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Ataque quimico seletivo do silicio excitado por laser de Hene

Orientador : Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T19:08:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1988 / Resumo: Neste trabalho apresentamos uma técnica para a abertura de janelas no silício monocristalino tipo N com avaliação da profundidade de ataque em tempo real , baseado na reação fotoinduzida do silício com HFaq quando excitado por um laser de HeNe de 0,8 mW de potência atuando com o comprimento de onda de 6328 A. É apresentado também todo o modelamento matemático da cinética de ataque em termos de parâmetros físicos , entre eles o tempo de exposição, corrente total e a potência do laser / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261655
Date14 June 1988
CreatorsThim, Gilmar Patrocinio
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Baranauskas, Vitor, 1952-2014
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format96f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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