Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / In this work thin films of semiconductor compounds were prepared.
Focus was on a recipe for preparation of cadmium sulphide onto copper
selenide substrate. Copper selenide thin films dissolve when in contact
with the chemical bath for deposition cadmium sulphide. This drawback
triggered an investigation for using milder chelating agents. A new bath
composition was determined from chemical equilibrium analysis of
about ten species supposedly present in the bath, mass balance and
charge balance. From the results, a thin film of. cadmium sulphide has
been prepared on glass substrate by chemical bath deposition using
sodium acetate, sodium hydroxide and thiourea. Absorption spectra of
the film in the visible range was registered and compared with the
spectra from others authors. The band gap of the film was estimated
from the spectra. The junction copper selenide and poly-2-methoxy-5-
(2 -ethylhexyloxy)-phenylenevinilene was prepared and characterized.
Copper selenide was prepared on copper by chemical bath deposition
using sodium selenosulphate. The polymeric film was prepared by
casting technique, in which the polymer is dissolved in tetrahidrofurane,
dropped onto the substrate and let to dry. Ohmic contact was prepared
using graphite conductive glue. This glue was developed for this
purpose and is made up from graphite powder, epoxy and
polimercaptan dissolved in tetrahidrofurano. The electrical properties of
the junction were determined from current-potential curves. By using
the Fowler-Nordheim model, the energy barrier height was calculated.
The results were compared with the literature results obtained with a
similar devices, namely ITO/MEH-PPV. The energy barrier height of
copper selenide/MEH-PPV is about thirty times smaller than the energy
barrier height of ITO/MEH-PPV. The conclusion is that copper selenide
is a promising material for use in photoluminescent diodes. / No presente trabalho prepararam-se compostos semicondutores na forma de filmes
finos. Ênfase foi dada ao sulfeto de cádmio visando seu uso sobre seleneto de
cobre. Filmes finos de seleneto de cobre se dissolvem quando mergulhados na
solução de preparação de filmes finos de sulfeto de cádmio. Este inconveniente foi
contornado mediante o uso de agentes complexantes mais suaves. Foi possível
preparar sulfeto de cádmio em meio de acetato de sódio, tiouréia e hidróxido de
sódio. A composição foi determinada numericamente a partir das constantes de
equilíbrio das espécies presentes no meio reacional (cerca de dez espécies), pelo
balanço de massa e pelo balanço de carga. Foi preparado um filme de sulfeto de
cádmio nas condições experimentais encontrada sobre vidro. O espectro de
absorção do filme foi medido na região do visível e comparado com o espectro
obtido por outros autores. O band gap do filme foi estimado a partir dos espectros
de absorção. Preparou-se e caracterizou-se a junção entre seleneto de cobre e poli-
2-metóxi-5-(2 -etilhexiloxi)-fenilenovinileno como semicondutor. O seleneto de
cobre foi preparado sobre cobre por reação com selenossulfato de sódio. O filme
do material polimérico foi preparado sobre o seleneto de cobre por evaporação de
uma solução do polímero em tetrahidrofurano. Os contato elétrico foi estabelecido
no substrato de cobre e no filme polimérico com cola de grafite. A cola de grafite
foi desenvolvida para esta finalidade e constitui-se na dissolução de resina
comercial epóxi e polimercaptana em tetrahidrofurano misturados com grafite em
pó. As características elétricas da junção entre os dois semicondutores foram
determinadas a partir de curvas corrente potencial. Com uso do modelo de Fowler-
Nordheim , calculou-se o valor da barreira de energia entre banda de valência do
seleneto de cobre e a banda de condução do polímero. O valor obtido foi
comparado com o obtido por outros autores em dispositivos similares (ITO/MEHPPV)
e foi cerca de trinta vezes menor. Concluiu-se que o seleneto de cobre é um
material com características. / Mestre em Química
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/urn:repox.ist.utl.pt:RI_UFU:oai:repositorio.ufu.br:123456789/17297 |
| Date | 31 July 2008 |
| Creators | Rabelo, Adriano César |
| Contributors | Bottecchia, Otavio Luiz, Marletta, Alexandre, Silva, Leonardo Morais da |
| Publisher | Universidade Federal de Uberlândia, Programa de Pós-graduação em Química, UFU, BR, Ciências Exatas e da Terra |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFU, instname:Universidade Federal de Uberlândia, instacron:UFU |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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