Return to search

Razón de Absorción Dieléctrica para Diagnosticar el Estado de una Aislación

En este trabajo de título se hace una investigación bibliográfica del tema de la
resistencia de aislación, el índice de polarización (IP) y la razón de absorción dieléctrica
(DAR) como métodos para diagnosticar el estado de una aislación. Se estudian las
características que tienen los sistemas aislantes y los fenómenos que ocurren en ellos al
aplicarles una tensión continua. Además se describen niveles de tensión para realizar el
test de resistencia de aislación y valores tentativos del IP y del DAR para definir el estado
de una aislación.
La segunda parte de este trabajo corresponde a la descripción de cuatro
experiencias realizadas en laboratorio para verificar la eficacia y veracidad del DAR como
método para diagnosticar el estado de una aislación, esto se logra mediante la
comparación empírica de los resultados del DAR con los diagnósticos que entrega el IP. Las
primeras dos experiencias se realizaron en el laboratorio de Alta Tensión del
Departamento de Ingeniería Eléctrica de la Universidad de Chile, y las últimas dos
experiencias en el laboratorio de la empresa Nexans S. A.
Para cada experiencia se simuló distintas condiciones del estado de una aislación,
sometiéndola a diferentes anomalías para así poder comparar los resultados de ambas
razones en un rango más amplio de situaciones, considerando variados factores que
afectan el valor de la resistencia de aislación.
En la última parte se discuten las conclusiones ligadas a la comparación entre lo
teórico y lo obtenido en laboratorio, y se analiza para cada experiencia la correlación
existente entre el DAR y el IP. En resumen, se confirma que el DAR sirve como criterio
para determinar el estado de una aislación, existiendo una alta correlación entre ambos
índices en los cuatro casos estudiados. Finalmente es importante mencionar la necesidad
de realizar un estudio similar, pero en equipos en funcionamiento y con fallas reales.

Identiferoai:union.ndltd.org:UCHILE/oai:repositorio.uchile.cl:2250/103547
Date January 2009
CreatorsGaray Bravo, Camilo Alejandro
ContributorsValdenegro Espinoza, Ariel, Facultad de Ciencias Físicas y Matemáticas, Departamento de Ingeniería Eléctrica, Segura Carrasco, Miguel, Asenjo Silva, Efraín
PublisherUniversidad de Chile
Source SetsUniversidad de Chile
LanguageSpanish
Detected LanguageSpanish
TypeTesis
RightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Chile, http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/cl/

Page generated in 0.0024 seconds