Atomic-Scale Analysis of Plasma-Surface Interactions and Formation Mechanisms of Profile Anomalies and Surface Roughness during Plasma Etching of Silicon / シリコンエッチングにおけるプラズマ・表面相互作用と形状異常および表面ラフネス形成機構の原子スケール解析

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第17787号 / 工博第3766号 / 新制||工||1576(附属図書館) / 30594 / 京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻 / (主査)教授 斧 髙一, 教授 稲室 隆二, 教授 青木 一生 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/179356
2. 14301甲第17787号
3. 10.14989/doctor.k17787
4. 14301

Tags

形状進展シミュレーション

セルリムーバル法

分子動力学法

形状異常

表面ラフネス

リップル構造

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/179356
Date	23 May 2013
Creators	Tsuda, Hirotaka
Contributors	斧, 髙一, 稲室, 隆二, 青木, 一生, 津田, 博隆, ツダ, ヒロタカ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf