Předkládaná práce se zabývá parametrem “Reverse Recovery Time“ u polovodičových prvků a jeho vlivem na typické spínací obvody. V první části práce je objasněno co je “Reverse Recovery Time“ a jeho jednotlivé části. V další sekci je popsána jeho fyzikální podstata. Na konci teoretická části je rozebrán jeho efekt na spínací ztráty a doporučená metoda měření tohto parametru . Praktická část práce je zaměřena na simulace Dpdr45nres45 v prostředích Cadence a TCAD. Poslední část se zabývá návrhem obvodu na měření u reálných diod a samotným měřením diod a tranzistorů.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:nusl.cz/oai:invenio.nusl.cz:242128 |
| Date | January 2016 |
| Creators | Šuľan, Dušan |
| Contributors | Žák, Jaromír, Boušek, Jaroslav |
| Publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií |
| Source Sets | Czech ETDs |
| Language | English |
| Detected Language | Unknown |
| Type | info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Rights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
Page generated in 0.0024 seconds