<p>Истаживања у оквиру докторске дисертације имају за циљ да пруже допринос дубљем разумевању физичких механизама присутних код мемристора, с обзиром да у стручној литератури и даље постоје отворена питања везана за кључни процес који индукује мемристивни ефекат у материјалу. Као функционални материјал за меморије на бази промене валенце, на ком се испитује мемристивни ефекат, одабран је титанијум диоксид јер се већ показао као добар кандидат за резистивно-прекидачке меморије. Експериментални резултати показују ефекат квантизације проводности за ТiО2 мемристоре, што захтева развијање и примену модела балистичког транспорта за описивање електричних карактериристика узорка.</p> / <p>Istaživanja u okviru doktorske disertacije imaju za cilj da pruže doprinos dubljem razumevanju fizičkih mehanizama prisutnih kod memristora, s obzirom da u stručnoj literaturi i dalje postoje otvorena pitanja vezana za ključni proces koji indukuje memristivni efekat u materijalu. Kao funkcionalni materijal za memorije na bazi promene valence, na kom se ispituje memristivni efekat, odabran je titanijum dioksid jer se već pokazao kao dobar kandidat za rezistivno-prekidačke memorije. Eksperimentalni rezultati pokazuju efekat kvantizacije provodnosti za TiO2 memristore, što zahteva razvijanje i primenu modela balističkog transporta za opisivanje električnih karakteriristika uzorka.</p> / <p>Research topics in this PhD thesis aims to provide contribution in deeper<br />understanding of physical mechanisms which drives resistive-switching<br />mechanism in memristors, as existing literature provides open questions for<br />key mechanism processes which influences memristive effect in materials. In<br />order to test response of Valance Change Memories, TiO2 nanomaterial was<br />used as the functional layer, as this material was already shown suitable for<br />these applications. Measured results show conductance quantization effect<br />for TiO2 based memristors, which requiers ballistic transport model for<br />interpretation of electrical response of the device.</p>
| Identifer | oai:union.ndltd.org:uns.ac.rs/oai:CRISUNS:(BISIS)101710 |
| Date | 24 December 2016 |
| Creators | Samardžić Nataša |
| Contributors | Stojanović Goran, Živanov Ljiljana, Jakšić Zoran, Dautović Staniša, Satarić Miljko |
| Publisher | Univerzitet u Novom Sadu, Fakultet tehničkih nauka u Novom Sadu, University of Novi Sad, Faculty of Technical Sciences at Novi Sad |
| Source Sets | University of Novi Sad |
| Language | Serbian |
| Detected Language | Unknown |
| Type | PhD thesis |
Page generated in 0.0025 seconds