Οι μνήμες τεχνολογίας NAND Flash χρησιμοποιούνται ευρέως για αποθήκευση δεδομένων λόγω της χαρακτηριστικής πυκνότητας, της χαμηλής απαιτούμενης ισχύος, του χαμηλού κόστους, της υψηλής διεκπεραιωτικής ικανότητας και της αξιοπιστίας τους. Η ανάπτυξη της πολυεπίπεδης τεχνολογίας (MLC) έχει καταστήσει δυνατή την αντικατάσταση των σκληρών δίσκων οδήγησης (HDDs) στις φορητές συσκευές και ορισμένους υπολογιστές με NAND μνήμες. Βεβαίως, οι NAND μνήμες δεν διακρίνονται για την απουσία λαθών κατά την αποθήκευση, αλλά στηρίζονται σε τεχνικές διορθώσεις λαθών (ECC) για να επιτύχουν την κατάλληλη αξιοπιστία.
Διάφορα φαινόμενα οδηγούν σε λάθη αποθήκευσης στις Flash μνήμες. Σκοπός της παρούσας διπλωματικής εργασίας είναι η ανάλυση αυτών των μηχανισμών εισαγωγής λαθών και η μελέτη από φυσικής πλευράς της τεχνολογίας των MLC NAND Flash μνημών. καθώς και η πειραματική αξιολόγηση τους και η εξαγωγή των αναγκαίων συμπερασμάτων. / --
| Identifer | oai:union.ndltd.org:upatras.gr/oai:nemertes:10889/4086 |
| Date | 19 January 2011 |
| Creators | Γεωργακοπούλου, Κωνσταντίνα |
| Contributors | Αντωνακόπουλος, Θεόδωρος, Georgakopoulou, Konstantina, Φακωτάκης, Νικόλαος |
| Source Sets | University of Patras |
| Language | gr |
| Detected Language | Greek |
| Type | Thesis |
| Rights | 0 |
Page generated in 0.002 seconds