Ce travail a porté sur la croissance par épitaxie par jets moléculaires de semiconducteurs nitrures semipolaires orientés (11-22) déposés sur des substrats de saphir m. L'orientation cristallographique (11-22) est obtenue lors du dépôt d'AlN en excès d'azote. Sur cette couche tampon d'AlN, des couches bidimensionnelles de GaN non dopé ou dopé Si sont obtenues dans des conditions riche Ga, avec un excès stabilisateur d'une monocouche de Ga. Au contraire, l'incorporation d'atomes de Mg inhibe la formation de la monocouche. Cependant, des couchées uniformément dopées p ont été obtenues. Des puits quantiques GaN/AlN ont été fabriqués en utilisant les conditions de croissance ci-dessus. La transition 2D-3D nécessaire à la formation de boîtes quantiques est observée lorsque le dépôt de GaN est suivi d'un arrêt sous vide. La réduction du champ électrique interne dans les nanostructures GaN/AlN est confirmée par le décalage vers le bleu de leurs spectres de photoluminescence et par les courts temps de déclin mesurés à basse température. Ces résultats sont cohérents avec les calculs théoriques de leur structure électronique.

Voir fichier joint "1ère partie"

Thèse de doctorat : sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée : Ecully, Ecole centrale de Lyon : 2003. / Titre provenant de l'écran-titre. 189 réf.

Reproduction de : Thèse d'Etat : Sciences des matériaux : Toulouse, INPT : 1985. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr.130 réf.

Thèse de doctorat : sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée : Ecully, Ecole centrale de Lyon : 2004. / 172 réf.

Thèse de doctorat : sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée : Ecully, Ecole centrale de Lyon : 2004. / Titre provenant de l'écran-titre. 172 réf.

Thèse de doctorat : sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée : Ecully, Ecole centrale de Lyon : 2003. / 189 réf.

Reproduction de : Thèse de doctorat : microélectronique : Grenoble, INPG : 1987. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 173-180.

Thèse doctorat : Génie Electrique : Villeurbanne, INSA : 2007. Thèse doctorat : Génie Electrique : Faculté des Sciences de Monastir : 2007. / Thèse soutenue en co-tutelle. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 158-164.

Thèse de doctorat : Electronique : Lille 1 : 2000. / Bibliogr. en fin de chapitres.