[pt] As técnicas de otimização multicritérios, que tiveram sua origem na área econômica, são necessárias na busca de soluções em qualquer ambiente onde existam objetivos competindo entre si. Nestes ambientes pode não existir uma solução ótima para determinado problema e sim soluções de compromisso entre os vários objetivos conflitantes. Uma das muitas áreas onde múltiplos objetivos coexistem é a área de Projetos de Circuitos Eletrônicos, onde desde um compromisso entre ganho e banda passante até compromissos bem mais complexos são freqüentemente encontrados. Para circuitos com alguma complexidade, processos analíticos são virtualmente inviáveis, tornando-se assim indispensável a utilização do computador como instrumento de projeto. Foi desenvolvido, então, um pacote em FORTRAN com aproximadamente 3.000 linhas de instrução para projetar nominalmente circuitos eletrônicos não lineares. Este pacote, respeitando a topologia fornecida para o circuito, atribui valores aos parâmetros de projeto, no caso valores de resistores, capacitores e indutores, de forma a atingir as especificações solicitadas. As opções existentes de projeto que foram implementadas são as seguintes: especificação das tensões nodais DC e/ou polarização de transistores e/ou faixa dinâmica e/ou impedância de entrada e/ou impedância de saída nas freqüências desejadas, além de poder ser escolhida a faixa de variação dos parâmetros de projeto. Estão contidos também, modelos globais (DC/AC) dos dispositivos eletrônicos mais comuns que podem ser solicitados pelo usuário, conforme sua necessidade ao descrever o circuito. Os modelos disponíveis são os seguintes: diodo de junção, transistores bipolares npn e pnp e amplificador operacional com entrada bipolar. / [en] Multiple criterion optimization techniques must be used in environments which competing objetives. In such environments no optimal solution is attained, but only compromise solutions among all the competing objectives. One of these environments is the Designs of Electronic Circuits, whose design compromises generally range from gain and bandwith to much more complex ones. For somewhat complex circuits, analitical processes are virtually unfeasible, so a digital computer has to be used as an instrument for calculus. Thus, a FORTRAN package was written to design nominally non-linear electronic circuits. This package, maintaining the circuit topology unchanged, gives values to resisters, capacitors and inductores so that it may meet the design requirements. The design options provided by the package are: specification of the node voltages and/or total biasing bipolar transistors (Vce - Ic) and/or total power comsumption and/or frequency response and/or input impedance and/or output impedance and/or dynamic range. All these options can be requested limiting the range of variation in the design parameters (resistors, capacitors and inductors) The package still provides global models for semiconductor devides which are: junction diode, bipolar npn/pnp transistors and an operational amplifier macro-model. The design options offered and the general purpose structure of the package provide a favorable environment for the application of the multiple criterion optimization techniques.

[pt] Este trabalho trata dos efeitos das não-linearidades de transistores de efeito de campo utilizados em amplificadores de microondas. Para tanto, o transistor é modelado por um circuito não- linear equivalente, cujos elementos são determinados através da medição dos parâmetros espalhamento do mesmo, na faixa de 3 GHz a 9 GHz, e com o auxílio de um programa de otimização de circuitos e outro de ajuste de curvas. O método de análise utilizado é o da expansão em série de Volterra, para o qual foi desenvolvido um programa computacional que permite a determinação dos ganhos de transdução e das potências de saída na freqüência fundamental e no terceiro produto de intermodulação, bem como do ponto de 1dB de compressão de ganho, da taxa de distorção de intermodulação de terceira ordem. Esse programa permite, ainda, a verificação da influência das impedâncias de fechamento fora da faixa, nas características de distorção de intermodulação. Através dessa análise pôde-se verificar que as terminações fora da faixa exercem pouca ou nenhuma influência nas características de distorção de intermodulação, com exceção das terminações na freqüência diferença, (freqüência de diferença = freqüência 2 - freqüência 1), onde pôde-se constatar uma redução de até 8dB no nível do terceiro produto de intermodulação, para uma escolha apropriada das impedâncias de fechamento nessa freqüência. Esses resultados, contudo, não podem ser considerados definitivos, uma vez que o modelo adotado não levou em consideração o fato do FET utilizado ser pré-adaptado. Também, devido ao transistor ter-se danificado durante as medições de intermodulação, tais resultados não puderam ser comprovados experimentalmente. / [en] This work deals with the effects of non-linear ities of field-effect transistors used in microwave amplifiers. To do so, the transistor is modeled by a non-linear equivalent circuit, with its components determined through the measurement of its scattering parameters, in the range of 3 GHz to 9GHz, and with the aid of a circuit optimization program and another for curve fitting. The method of analysis used is the Volterra series expansion, for which a computer program was developed, permitting the determination of the transducer gains and output powers in the fundamental frequency, and in the third-order intermodulation product, as well as the 1 dB compression point, the third-order intermodulation distortion ratio, and the third-order intercept point. This program also allows for the verification of the influence of out-of-band terminating impedances on the intermodulation distortion characteristics. Through this analysis it was possible to verify that the out-of-band terminations have little or no influence on the intermodulation distortion characteristics, with the exception of the terminations in the difference frequency, (difference frequency = frequency 2 - frequency 1), for which it was found a decrease of up to 8 dB in the third- order intermodulation product level, for the appropriate choice of these impedances. These results, however, cannot be said to represent the real behavior of the FET since the model used did not account for the internal matching of the device. Also, due to the fact that the transistor was damaged during the intermodulation measurements, such results could not be verified experimentally.