[pt] Este trabalho tem por objetivo estudar o (MES) FET de dupla porta de Arseneto de Gálio e algumas de suas propriedades como dispositivo de microondas. Inicialmente é desenvolvido um modelo para o FET de porta simples baseado na Aproximação do Canal Gradual, que inclue as variações com a polarização da capacitância entre a porta e o dreno e do tempo de trânsito. A partir desse modelo é obtido um outro para o FET de dupla porta. Então, as propriedades do FET de dupla porta relativas a sua aplicação como amplificador de ganho controlado e misturador são estudadas. A seguir suas propriedades que o fazem indicado para amplificador de ganho controlado são determinados. Também, a região de polarização que otimiza a isolação entre OL e RF quando ele é usado em misturadores é obtida. Usando fórmulas empíricas de forma relativamente simples e uma estratégia de aquisição de dados rápida e eficiente, obtém-se um modelo DC a partir de dados experimentais. Como exemplo de aplicação, esse modelo é usado para determinar o ponto de polarização ótimo com respeito, a ganho para um dispositivo medido. Dois amplificadores são construídos usando uma nova técnica de projeto. Essa técnica utiliza uma linha em aberto na porta 2 para manter o ganho plano sem necessidade de descassamento nas freqüências mais baixas. Em cada um dos amplificadores é usada uma técnica diferente para casamento do dreno. Esse trabalho apresenta-se como uma etapa na direção de aproveitar ao máximo o potencial desse versátil dispositivo de microondas, o FET de dupla porta. / [en] This work aims at studying the Gallium Arsenide dual gate (MÊS) FET and some of its properties as a microwave device. Initially, a model for the single gate FET is developed based upon the Gradual Approximation. It includes the gate to drain capacitance and transit time bias dependences. From this model, a model for the dual gate FET is obtained. Then, properties of the dual gate FET related to its use as gain controlled amplifier and mixer are studied. The properties that make it suitable for gain controlled amplifiers are pointed out. Also, the bias region that optmizes OL-RF rejection when it is used as a mixer, is obtained. Using a relatively simple empirical expression and a fast and efficient data acquisition strategy, a DC model is obtained from experimental data. As an example, this model is used to determine the optimum bias point with respect to gain for a measured device. Two amplifiers were built a new design technique. This technique makes use of an open line on the second gate to keep the gain flat without the need of mismatching at the lower frequencies. In each one of the amplifiers, a different technique is used to match the drain. This work is a step towards the use of the full capabilities of this versatile microwave device, the dual gate FET.