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[en] DEVELOPMENT OF ITO THIN FILMS FOR INVERTED (IOLEDS) AND TRANSPARENT (TOLEDS) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES / [pt] DESENVOLVIMENTO DE FILMES DE ITO PARA DISPÔSITIVOS ORGÂNICOS ELETROMUNISCENTES INVERTIDOS (IOLEDS) E TRANSPARENTES (TOLEDS)GUSTAVO ADOLFO LANZA BAYONA 17 July 2013 (has links)
[pt] Neste trabalho são apresentados os resultados da produção e caracterização de dispositivos orgânicos emissores de luz invertidos (IOLEDs) e trasnparentes (TOLEDs). Como eletrodo superior transparente , utilizou-se o óxido de índio estranho (ITO), que foi depositado via pulverização catadótica assistida por radiofrequência sobre camadas protetoras ôrganicas (CuPC) e metálicas (Alumínio). Para evitar possivéis danos efetuados nas camadas dos dispositivos pelo processo de pulverização catódica, as disposições de ITO foram realizadas a baixa potência. Primeiramente, os filmes de ITO foram caracterizados elétrica e opticamente. A seguir, foi estudada a interaçãoentre a superfície das camadas protetoras (CuPC e Alumínio) e o filme de ITO. Por fim, os dispositivos IOLEDs e TOLEDs foram caracterizados através de medidas de eletromuninescência, densidade de corrente e luminância, todas elas, em função da tensão aplicada. A paritir desses estudos foi possivélproduzir dipositivos de TOLEDscom transmitânciamédia de 70 por cento na região do espectro visível. / [en] This work presents the results of production and characterization of organic light emitting devices inverted (IOLEDs) and transparent (TOLEDs). As transparent top electrode, a thin film of indium tin oxide (ITO) deposited via rf magnetron sputtering was used. The ITO films were deposited onto organic (CuPC) and metal (Aluminum) protective layers. In order to provent the damage incurred on the organic and metal layers by the sputtering process, the ITO disposition carried out at room temperature and under low rf power. First, the ITO films were characterized by electrical and optical measures. Next, the interaction between the surface of the protective layers (CuPC and Aluminum) and the ITO film was analyzed. Finally, the IOLEDs and TOLEDs devices were characterized by electroluminescence, current density and luminance measures, all as a function of the applied voltage. Form the studies, was possible to produce IOLEDs devicesonto opaque substrates and TOLEDs devices whit average transmittance of 70 per cent in the visible range.
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