[pt] Neste trabalho é realizado um estudo sobre os transistores HEMT. A partir da geometria do dispositivo, espessuras e densidades de dopagem das camadas que compõem a heterojunção, são obtidas expressões analíticas para a característica IXV do componente bem como para o circuito equivalente de pequenos sinais na faixa de microondas. Posteriormente, os principais efeitos ópticos que ocorrem nos HETM´s são discutidos. O objetivo é determinar o comportamento do dispositivo quando este é iluminado com energia óptica. Ênfase especial é dada aos efeitos fotocondutivo e fotovoltaico. Finalmente, duas aplicações práticas explorando os mecanismos citados acima são apresentadas: sintonia óptica de um oscilador de microondas operando em 2 Ghz e controle óptico do ganho de um amplificador de microondas. / [en] In this work a study about HETMs transistors is carried out. Given the geometry of the device, thickness and doping densities of the layers that form the heterojunction, analytical expressions for the component´s IXV characteristics as well as for the small-signal microwave equivalent circuit are obtained. Later, the major photoffects that occur in HETM´s are discussed. The goal is to determine the behaviour of the device under optical illumination. Special emphasis is given for the photovoltaic and photoconductive effects. Finally, two pratical applications exploring the mechanisms cited above are presented: optical tuning of a 2 Ghz HETM oscillator and optical control of gain of a microwave HEMT amplifier.