Orientadora : Alaide P. Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T07:48:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Hung_JinYen_M.pdf: 2405398 bytes, checksum: 72b6144c22414b3bc943cbf40ac66b5c (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Construiram-se heterojunções de. óxido de índio por evaporação térmica e por canhão de elétrons sobre silício monocristalino, tipos p e n e de resistividades escolhidos entre 0,015 a 15 ?cm. Os filmes de In2O3 submetidos ao tratamento térmico, alcançaram transparência acima de 85% na faixa do visível (300 a 2500 nm), e baixas resistividades, da ordem de l0-2 a 10-3 ?cm. As análises por microscopia eletrônica e por difração de raios-x revelaram filmes policristalinos de forma cúbica de corpo concentrado cujos grãos tem aproximadamente 100nm a 200 nm. Por sua vez microanálise por espectroscopia de elétrons não revelou desvios estequiométricos nem tampouco a presença de outras fases químicas foram identificadas. Já a análise por microsonda eletrônica revelou traços de Mo e W utilizados nos cadinhos de evaporação térmica. Para conveniência das medidas elétricas os dispositivos foram montados com áreas de aproximadamente de 10mm2. Heterojunções de In2O3/Si-n, sob iluminação de AM1, apresentaram tensão de circuito aberto da ordem de 0,25V e correntes de curto circuito da ordem de 20mA/cm2. Também as amostras obtidas com Si-n de baixas resistividades (0,015?cm) apresentaram o comportamento de fotoiodos. A grande limitação destas células está no alto valor de resistência série apresentado (>50?) fazendo com que a eficiência caia para 1 a 2%. Os dispositivos de In2O3/Si-p de resistividades entre 1 a 10 ?cm apresentaram pobre retificação com baixos valores de Voc e Isc , quando sob iluminação, em contradições às expectativas baseadas em resultados publicados por outros grupos de pesquisas. Já substrato de Si-p de baixa resistividades (0,015 ?cm) levaram a dispositivos com características ôhmicas, de acordo com os modelos anteriormente propostos / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Peter Jurgen Tatsch / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T09:53:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Goncalves_JoseLino_M.pdf: 3628330 bytes, checksum: 34e77e3fd5c0401e242c9d530d6dc8a0 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: o objetivo deste trabalho foi o desenvolvimento de um processo de reaproveitamento e purificação de índio a partir de soluções de InP, InGaAs e InGaAsP. Essas soluções são usadas como fonte para obtenção de camadas semicondutoras na confecção de dispositivos optoeletrônico. O processo consiste de duas etapas: a pré-purificação e a purificação num forno a vácuo, e uma terceira etapa opcional; puxamento de cristais pela técnica Czochralski. Todos os procedimentos adotados no processo de purificação estão descritos no Capítulo II. Na etapa de pré-purificação observou-se a formação de uma crosta na superfície. Esta crosta foi analisada por microsonda eletrônica e por difratometria de raio-x. Com o índio reaproveitado, fizemos vários crescimentos epitaxiais a partir da fase líquida para testar o seu grau de pureza. Foram feitas camadas de 'In IND. 1-x¿ 'Ga IND. x¿ As sobre substrato de InP que foram caracterizadas quanto a espessura, morfologia; resistividade, concentração de portadores e mobilidade por efeito Hall. As análises das crostas, as condições e procedimentos adotados para o crescimento e a caracterização das camadas crescidas estão contidos no Capítulo III. No Capítulo IV apresentamos as conclusões do trabalho / Abstract: The objective of this research was that of developing a process in with one can purifity indium from a solutions of InP, InGaAs, InGaAsP. These solution were uses as a source for obtaining the semiconductor layer in the fabrication of opto-electronic devices. The process consists of two steps: those of prepurification and of purification in a vacuum oven. There also exists an optional step in which crystal is pulIed by the Czochralski method. AlI the the procedures adopted for described in chapter II. the processes of purification are In the step of prepurification we observed the formation of a crust on the surface. This crust was analised by electronic microscopy and X-ray diffractometry. From the purified indium we made several liquid phase epitaxial growths to test the degree of the purity of the indium. The layers of 'In IND. 1-x¿ 'Ga IND. x¿ As obtained by epitaxial growth on the substrate of indium phosphide were characterized with respect to thickness and morphology and to resistivity, carrier concentration and Hall mobility. The analysis of the crusts, the conditions and procedures adopted for the growth and the characterization of the layers are given in chapter III. Chapter IV presents the conclusions of this research / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientadores: Roberto T. Assumpção, Annette Gorenstein / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-18T16:10:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lourenco_Airton_M.pdf: 2652850 bytes, checksum: 428b5d8b58f5cddd02c0eb40d22d795e (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Filmes de Óxido de indio dopado com estanho (ITO) foram preparados pela técnica de sputtering RF reativo. Os fi lmes, foram caracterizados no que concerne: propriedades elétricas (resistência de folha, resistividade-dc, concentração de portadores e mobilidade de Hall) , propriedades ópticas (transmitância e refletância em função do comprimento de onda) , difração de raios-X e microscopia eletrônica de varredura. Sob ótimas condições de deposição foram obtidos filmes com uma resistência de folha de 4,20/0, resistividade elétrica de 1.23x10-40-cm com uma transmitância visivel melhor que 87% (O, 55um) e refletividade infravermelha ao redor de 80% (2,5um) / Abstract: Tin-doped Indium Oxide (ITO) films were prepared by the, reactive RF sputtering technique. The films were characterized concerning: electrical properties (sheet resistance, dc-resistivity, carrier concentration and Hall mobility), optical properties (transmittance and reflectance as a function of wavelength), X-ray diffraction and scanning electron microscopy. Under optimum deposition conditions, films with sheet resistance of 4,20/0, electrical resistivity of 1.23x10-40-cm with a visual transmittance better than 87% (0,55um) and infrared reflectivity above 80% (2,5um) were obtained. / Mestrado / Mestre em Engenharia Mecânica