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Spelling suggestions: "subject:"エピタキシャル""

1

Isopolytypic Growth of Nonpolar 4H-AlN on 4H-SiC and Its Device Applications / 4H-SiC無極性面基板上への同一ポリタイプを有する4H-AlN成長とデバイス応用 / 4H-SiC ムキョクセイメン キバンジョウ エ ノ ドウイツ ポリタイプ オ ユウスル 4H-AlN セイチョウ ト デバイス オウヨウ

Horita, Masahiro 23 March 2009 (has links)
Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第14632号 / 工博第3100号 / 新制||工||1461(附属図書館) / 26984 / UT51-2009-D344 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 野田 進, 教授 川上 養一 / 学位規則第4条第1項該当
窒化アルミニウム(AlN)
シリコンカーバイド(SiC)
アイソポリタイプ
結晶成長
分子線エピタキシー
500
2

分子線エピタキシー法を用いたフォトニック結晶レーザ作製法の開発と空孔立体形状の検討

西本, 昌哉 23 March 2016 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第19718号 / 工博第4173号 / 新制||工||1644(附属図書館) / 32754 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 野田 進, 教授 藤田 静雄, 教授 川上 養一 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM
半導体レーザ
フォトニック結晶
分子線エピタキシー法
500

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