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Estudo de esquemas de amplificação para redes PON de longo alcance / Study amplification schemes for long reach PON networksPaiva, Getúlio Eduardo Rodrigues de 12 April 2012 (has links)
O surgimento de novos serviços que requerem uma largura de banda cada vez maior, bem como o crescente número de usuários de tais serviços, têm introduzido desafios às empresas operadoras de telecomunicações em sua capacidade de atender a estas demandas sem perda apreciável da qualidade de serviço e mantendo, ainda assim, os custos num nível aceitável pelos usuários. Neste contexto, redes ópticas passivas (PONs) vêm atraindo grande interesse em anos recentes. Na sua variante de longo-alcance, as redes PON permitem uma consolidação do uso dos equipamentos e centrais de serviço requeridos, reduzindo custos operacionais e de instalação. Uma das formas de atingir este maior alcance dá-se por meio da inserção de amplificadores ópticos nas redes de acesso. Neste trabalho, portanto, estudaram-se alguns tipos de amplificadores ópticos e suas possíveis aplicações em redes de acesso, levando a topologias de longo alcance e alta capacidade. Foram realizadas avaliações experimentais de um extensor, baseado em amplificadores ópticos semicondutores (SOAs), na rede GPON do CPqD, sob a Meta 3 do Projeto GIGA, possibilitando a obtenção de uma topologia do tipo Fiber-to-the-Building (FTTB) com 80 km de extensão e 128 usuários atendidos por uma única central de serviço. Além dessas validações experimentais, foram simulados computacionalmente SOAs com características otimizadas bem como sistemas que utilizam fibras dopadas com érbio bombeadas remotamente, sendo que nestes últimos, atingiram-se distâncias superiores a 100 km. / The emergence of new services which require an increasing bandwidth, as well as the growing number of users of such services, have introduced challenges to the network operators in regard to their capacity of supporting these demands with no penalty on the required quality of service, while keeping the costs at an acceptable level for the users. In this context, passive optical networks (PONs) have attracted a great deal of interest in recent years. In the long-reach configuration, PON networks allow for a consolidation of equipament usage, reducing operational and installation costs. One way to achieve this longer reach is by the insertion of optical amplifiers in the access network. Therefore, in our work, we have investigated several optical amplifier configurations, as well as their application in access networks, leading to longreach and high capacity network topologies. Experimental evaluations of an extender, based on semiconductor optical amplifiers, were carried out in the CPqD GPON network, under Goal 3 of GIGA Project, allowing the achievement of a Fiber-to-the-Building (FTTB) topology with 80km of extension and 128 users served by a single central office. Besides these experimental validations, were simulated computationally SOAs with optimized characteristics as well as systems using remotely pumped erbium-doped fibers, whereas in the latter were reached distances exceeding 100 km.
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Estudo de esquemas de amplificação para redes PON de longo alcance / Study amplification schemes for long reach PON networksGetúlio Eduardo Rodrigues de Paiva 12 April 2012 (has links)
O surgimento de novos serviços que requerem uma largura de banda cada vez maior, bem como o crescente número de usuários de tais serviços, têm introduzido desafios às empresas operadoras de telecomunicações em sua capacidade de atender a estas demandas sem perda apreciável da qualidade de serviço e mantendo, ainda assim, os custos num nível aceitável pelos usuários. Neste contexto, redes ópticas passivas (PONs) vêm atraindo grande interesse em anos recentes. Na sua variante de longo-alcance, as redes PON permitem uma consolidação do uso dos equipamentos e centrais de serviço requeridos, reduzindo custos operacionais e de instalação. Uma das formas de atingir este maior alcance dá-se por meio da inserção de amplificadores ópticos nas redes de acesso. Neste trabalho, portanto, estudaram-se alguns tipos de amplificadores ópticos e suas possíveis aplicações em redes de acesso, levando a topologias de longo alcance e alta capacidade. Foram realizadas avaliações experimentais de um extensor, baseado em amplificadores ópticos semicondutores (SOAs), na rede GPON do CPqD, sob a Meta 3 do Projeto GIGA, possibilitando a obtenção de uma topologia do tipo Fiber-to-the-Building (FTTB) com 80 km de extensão e 128 usuários atendidos por uma única central de serviço. Além dessas validações experimentais, foram simulados computacionalmente SOAs com características otimizadas bem como sistemas que utilizam fibras dopadas com érbio bombeadas remotamente, sendo que nestes últimos, atingiram-se distâncias superiores a 100 km. / The emergence of new services which require an increasing bandwidth, as well as the growing number of users of such services, have introduced challenges to the network operators in regard to their capacity of supporting these demands with no penalty on the required quality of service, while keeping the costs at an acceptable level for the users. In this context, passive optical networks (PONs) have attracted a great deal of interest in recent years. In the long-reach configuration, PON networks allow for a consolidation of equipament usage, reducing operational and installation costs. One way to achieve this longer reach is by the insertion of optical amplifiers in the access network. Therefore, in our work, we have investigated several optical amplifier configurations, as well as their application in access networks, leading to longreach and high capacity network topologies. Experimental evaluations of an extender, based on semiconductor optical amplifiers, were carried out in the CPqD GPON network, under Goal 3 of GIGA Project, allowing the achievement of a Fiber-to-the-Building (FTTB) topology with 80km of extension and 128 users served by a single central office. Besides these experimental validations, were simulated computationally SOAs with optimized characteristics as well as systems using remotely pumped erbium-doped fibers, whereas in the latter were reached distances exceeding 100 km.
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Síntese e caracterização de compostos do sistema x/2 Al²O³-x/2 Y²O³ (100 - x) SiO² (x=10,20,30,40 e 50) dopados com Er³+ para aplicação em fotônica / Synthesis and characterization of the system x/2 Al²O³-x/2 Y²O³ (100 - x) SiO² (x=10,20,30,40 e 50) dopados com Er³+ para aplicação em fotônica.OLIVEIRA, Alexandre Miranda de 15 December 2010 (has links)
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Previous issue date: 2010-12-15 / This work is to study the crystallization of compounds in the form of post system alumina-yttria-silica prepared by sol-gel mixed methodology and Pechini. Powders (x / 2) Y ² ³ - (X / 2) Al ² O ³ - (1-x) SiO ² (x = 0.1 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5 mol) were doped with erbium prepared and characterized. The physical properties of composite SiO ² ¹ YO-, 5 - AlO ¹, 5 were studied by x-ray diffraction, FTIR spectroscopy, thermogravimetry, differential thermal analysis and photoluminescence measurements. It was possible to maintain the amorphous compositions at high temperatures, no crystallization below 900 ° C and the formation of phase Y ² ² O7 Si at 1100 ° C. We obtained a reasonable life time of some compositions treated at 1000 ° C. We observed the emission of green upconversion to excite the samples with high power laser. All synthesized samples exhibit photoluminescence emission and have maximum emission at 1530 nm with a width of ~ 47nm. This broad issue is a desirable property for amplifiers used in systems division multiplexing wavelengths (WDM) and suggests that Er ³ + ions are hosted in the amorphous phase. / Neste trabalho estudo-se a cristalização de compostos na forma de pós do sistema alumina-ítria-sílica preparados pela metodologia mista sol-gel e Pechini. Pós de (x/2) Y²O³-(X/2) Al²O³-(1-x) SiO² (x=0,1 0,2, 0,3, 0,4 e 0,5 em mol) dopados com érbio foram preparados e caracterizados. As propriedades físicas dos composto de SiO²-YO¹,5- AlO¹,5 foram estudadas por difração de raios-x, espectroscopia FTIR, termogravimetria, análise térmica diferencial e medidas de fotoluminescência. Foi possível manter as composições amorfas a altas temperaturas, não houve cristalização abaixo de 900° C e a formação da fase Y²Si²O7 a 1100 °C. Obtivemos um tempo de vida razóavel de algumas composições tratadas a 1000°C. Observamos a emissão verde de upconversion ao excitar as amostras com laser de alta potência. Todas as amostras sintetizadas apresentam emissão fotoluminescente e possuem máximo de emissão em 1530 nm com largura a meia altura de ~47nm. Essa emissão larga é uma propriedade desejável para amplificadores usados em sistemas de multiplexação por divisão de comprimentos de onda (WDM) e sugere que os íons Er³+ estão hospedados na fase amorfa.
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