Thèse de docteur-ingénieur : Génie mécanique : Villeurbanne, INSA : 2001. / Thèse : 2001ISAL0022. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p.160-165.

Thèse de doctorat--Sciences naturelles--Faculté des sciences de Paris, 1910. N°: 1359. / Notes bibliogr.

Th. 3e cycle--Génie chim. et chim. phys. appl.--Grenoble--I.N.P., 1985.

Le borohydrure de sodium réagit avec le soufre, à la température ambiante, avec dégagement d'hydrogène, pour donner un borohydrure sulfuré : NaBH2S3. Les autres borohydrures conduisent, en général, à des réactions semblables, dans Les mêmes conditions. Ce type de composés est inédit, malgré sa ressemblance avec les thioperborates et les thioborates préparés par Hagenmiiller et Chopin (1) ; les sulfoborohydrures, du fait de la présence d'ions hydrures et de leur caractère salin, semblent avoir de nombreuses applications possibles dans l'hydroboration et la réduction sélective des composés organiques. La formule du sulfoborohydrures a été établie par spectroscopie infrarouge, par résonance magnétique nucléaire et analyse élémentaire. La spectroscopie de masse donne également quelques indications. La décomposition thermique et l'hydrolyse sont rapportées, ainsi que d'autres méthodes d'étude. La réaction observée avec NaBH4 semble également être générale entre les borohydrures et les éléments inférieurs du groupe VIA : Se et Te. Une méthode facile pour préparer NaBH2S3 est proposée. L'élaboration et la manutention de certains composés analogues se sont cependant avérées particulièrement délicates en raison de leur extrême hygroscopicité et du dégagement d'hydrogène sulfuré qui en résulte. Aussi, sont-ils manipulés autant que possible en boîte sèche.

Les photodétecteurs ultraviolets actuels à base de silicium montrent des limitations inhérentes à la technologie en dépit de leur continuelle amélioration depuis ces dernières décennies. En collaboration avec l’Observatoire Royal de Belgique dans le cadre du projet LYRA (et BOLD), nous avons démontré la maturité des semiconducteurs à large bande interdite pour des applications dans les domaines spatiale et physique des hautes énergies. La disponibilité de ces nouveaux matériaux permet de surpasser les technologies existantes. En effet, de part leurs propriétés physiques et chimiques exceptionnelles, le diamant par exemple, est un des candidats idéal. Sa large bande interdite le rend insensible à la lumière visible et infrarouge (solarblind) et son excellente robustesse face aux radiations rend ce matériau très attractif pour des applications spatiales. Parallèlement à ce matériau, de nouveaux semiconducteurs nitrures à large bande interdite (AlN, BN) présentent des propriétés tout aussi remarquables et commencent à être élaborés avec succès. Le but de ce travail a été de concevoir et de fabriquer de nouveaux photodétecteurs UV innovants à base de ces matériaux. Cette activité a débuté par la simulation des propriétés de transports des matériaux à structure wurtzite par des modèles de types Monte Carlo, puis d’optimiser les performances des composants à élaborer par éléments finis au moyen du logiciel COMSOL® en tenant compte du matériau, de la géométrie de la structure, du design technologique, de la nature des électrodes (taille, contacts ohmiques, Schottky…), du couplage électro-thermique dans certain cas ainsi que des radiations incidentes. Différents capteurs UV ont ensuite été élaborés en salle blanche puis caractérisés sous rayonnement X-EUV d’une part et DUV-UV d’autre part. Les caractéristiques optoélectroniques (stabilité, fiabilité, sensibilité aux rayonnements UV, courant d'obscurité…) et les performances obtenues sont alors exposées pour chacun des matériaux étudiés. L’ensemble de ce travail a permis d’établir plusieurs performances à l’état de l’art sur diamant, AlN et BN et a contribué au développement du premier radiomètre solaire LYRA dans le domaine EUV au moyen de ces photodiodes diamant destinés au satellite PROBA2. / Currently, ultraviolet photodetectors based on silicon have shown limitations inherent to their technology in spite of their continual improvement for these last years. In collaboration with the Royal Observatory of Belgium within the LYRA (and BOLD) project, the maturity of the semiconductors with wide band gap is shown for specific applications in the space field and high-energy physics. The availability of these new materials makes it possible to exceed existing technologies. These materials present robustness, a radiation hardness and their wide band gap provide insensibility to visible and infrared lights. Indeed, because of their exceptional physical and chemical properties, diamond for example, is one of the ideal candidates from the point of view of fundamental research and technological applications. Furthermore, new nitrides semiconductors with wide band gap (AlN, BN) are now elaborated successfully and present remarkable properties such as diamond.The goal of this work was to design and to fabricate new UV photodetectors based on these materials. This work begins with determination of the transport properties of these semiconductors materials versus temperature by Monte Carlo simulation in order to optimize the performances of the photodetectors by means of a finite elements software based on COMSOL® by taking into account the material type, the geometry of the structure, the technological design, the nature of the electrodes (size, ohmic contacts, Schottky contacts, symmetry…) as well as incidental radiations. A physical-thermal coupling is implemented in some cases to determine the impact of thermal effects in device working behaviour. Various UV detectors are elaborated in clean room and characterized under X-EUV radiation on the one hand and DUV-UV on the other hand. The characteristics (stability, reliability, sensitivity to the radiations UV, dark current…) and the obtained performances are then described for each studied material. This work made it possible to establish several state of the art performances on diamond, AlN and BN and contributed to the development of the first solar EUV radiometer LYRA onboard PROBA2 satellite.

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Vänerns stränder håller på att växa igen av buskar, träd och vass, detta hotar den biologiska mångfalden runt sjön Många vikar och sund täcks av vass och detta är en stor orsak till att de hotade arterna får svårt att överleva, möjliga orsaker till igenväxning är ökat kvävenedfall, markdeponerat kväve från jordbruk, minskad skötsel i form av bete eller slåtter samt reglering av vattenståndet i sjön. Många arter kräver en öppen solbelyst miljö för sin överlevnad, så även Liten myrlejonslända (Myrmeleon bore) som kan fungera som en indikator för hög biologisk mångfald. Syftet med denna rapport är att ge en bild av vilka faktorer i naturen som gynnar liten myrlejonslända. Detta för att eventuellt kunna bidra med underlag vid vidare arbete med restaurering av Vänerns stränder och omgivande mark. Liten myrlejonslända föredrar torra väl solexponerade sandslänter i söderläge där den finns en bit upp från strandkanten. Inventeringen av larver av Liten myrlejonslända på stränder gjordes med hjälp av linjetransekter med 2 meters mellanrum, där man räknar fångstgroparna som byggs av myrlejonsländans larver. De miljövariabler som mättes i undersökningen för att kunna se ett eventuellt samband med förekomsten av Liten myrlejonslända var trädtäthet, väderstreck på stranden, avstånd till annan strand med förekomst av Liten myrlejonslända, kornstorlek, lutningen av stranden, andel blottad sand på stranden, andel vegetation på stranden samt förekomst av tall i strandområdet. Analysen visar att den viktigaste förklaringsfaktorn för förekomst av Liten myrlejonslända är närhet till annan strand där det förekommer Liten myrlejonslända. Som förklaringar till variationer i tätheten hos Liten myrlejonslända finns sluttning på stranden främst följt av andelen blottad sand på stranden. / The beaches of Lake Vänern in Sweden are in a stage of being overgrown by bushes, trees and reeds. Today many of the bays and channels are covered with reeds, and this is one of the main reasons for the loss of species around the beaches of Lake Vänern. Causes that may be affecting, for example, increased nitrogen deposition, increased amounts of ground deposited agricultural nitrogen, reduced maintenance in the form of grazing or mowing, and also the fact that the water levels are being regulated in the lake which reduces the natural fluctuations that may otherwise contribute to a more open beach environment. Many species are dependent of an open sunlit area for their survival and amongst them is the small antlion (Myrmeleon bore), who can serve as an indicator species for the biodiversity of an area. The purpose of this report is to provide a frame of what factors in nature that favors small antlion. This is to possibly provide a basis for further work on the restoration of the shores of Lake Vänern and surrounding land. The small antlion prefers dry, well sunlit sand slopes, where it can be found somewhat uphill from the shoreline. The inventory of larvae of small antlion on beaches were made using line transects with 2 meter intervals, from where the conical traps built by the antlions where counted. The environment variables that were measured in the survey in order to see a possible link with the presence of small antlion was tree density, cardinal on the beach, distance to another beach with the presence of small myrlejonslända, grain size, the slope of the beach, proportion exposed sand on the beach, proportion of vegetation on the beach and the presence of pine in the beach area. The analysis shows that the most important explanatory factor for the occurrence of small antlions is proximity to another beach where there are small antlions. As explanations for variations in the density of small antlions, slope of the beach was number one followed by the proportion of bare sand on the beach.

Cette thèse explore deux voies alternatives d’élaboration de l’émetteur bore des cellules à base de silicium cristallin de type n, afin de simplifier leur procédé de fabrication, d’une part, et d’améliorer leur rendement de conversion, d’autre part. La première voie, orientée transfert industriel, propose l’utilisation d’une couche diélectrique dopante (SiOx:B) déposée par PECVD-LF, recuite par diffusion thermique. Des paramètres d’émetteur similaires à ceux obtenus dans le cas d’une diffusion gazeuse BCl3 sont recherchés. La seconde approche, plus amont, envisage quant à elle l’élaboration d’un hétéro-émetteur en silicium microcristallin dopé bore (µc-Si:B), obtenu par cristallisation thermique d’une couche de silicium amorphe dopée bore, déposée par PECVD-RF. La formation d’un hétéro-émetteur bore à haute température vise l’obtention de Vco plus élevées sur cellules n-PERT. L’élaboration et le suivi des propriétés des couches SiOx:B ont permis de mettre en évidence différents phénomènes ayant lieu lors de la diffusion. La qualification du dopage et de la passivation de l’émetteur bore a montré de bonnes performances. L’utilisation du SiOx:B lors d’une étape de codiffusion a permis de réaliser des cellules de type n-PERT (239 cm²) selon deux procédés simplifiés (3 étapes de moins) avec les rendements les plus hauts atteints à notre connaissance (20%) sur la structure considérée. D’autre part, les couches µc-Si:B ont été développées puis caractérisées. Le potentiel électrique des hétéro-émetteurs associés a été évalué sur structure symétrique indiquant que des iVco supérieures à 700mV peuvent être atteintes. L’évaluation de la prise de contact sur ce nouvel émetteur a été réalisée par sérigraphie. A ce jour, un phénomène de cloquage limite néanmoins l’intégration de cet émetteur en cellule complète. / This thesis focuses on two alternative boron emitter elaboration routes for n-type crystalline silicon solar cells in order to simplify fabrication processes on one hand, and to improve conversion efficiencies on the other hand. The first route, driven by industrial integration concern, proposes the use of PECVD-LF boron-doped dielectric layers (SiOx:B), annealed by thermal diffusion. Emitter parameters similar to those made by BCl3 gaseous diffusion are obtained on n-type substrates. The second approach, which is more exploratory, considers a boron-doped microcrystalline silicon layers (µc-Si:B) made by boron-doped amorphous silicon crystallization. The elaboration of this high temperature hetero-emitter targets higher open-circuit voltages than standard n-PERT cells.SiOx:B layers elaboration and structural properties study highlighted several phenomena occurring during diffusion annealing. Doping and passivation qualification of associated boron emitters showed good performances. The use of SiOx:B layers during a dopant codiffusion step led to industrial size (239 cm²) n-PERT solar cells fabrication according to two simplified processes (3 steps suppression) with, what is to our knowledge, the highest published efficiencies (20%) on the considered structure. On the other hand, µc-Si:B layers were developed and characterized. The electrical potential of associated hetero-emitters was assessed on symmetrical devices showing that iVoc higher than 700mV can be reached. Contacting on this new emitter was evaluated by metal screen-printing. However, to date, blistering issues limit emitter integration into solar cells.

Thèse de doctorat : SCIENCES BIOLOGIQUES FONDAMENTALES ET APPLIQUEES. PSYCHOLOGIE : Metz : 1999. / 1999METZ029S. 86 ref.

Th. Univ.--Métallurgie--Paris 6, 1989. / Bibliogr. p. 127-130.