Neste trabalho apresentamos um procedimento para o cálculo da contribuição eletrônica para o gradiente de campo elétrico no núcleo (GCE), baseado no método de recorrência e no método de arbitais \"muffin-tin\" linearizados (LMTO) na representação forteme~ te ligada (\"tlght-binding\"). Este esquema é desenvolvido no esp~ ço real e pode ser aplicado em sistemas sem simetria, tais como metais amorfos, onde métodos de espaço-k não podem ser utilizados. A contribuição eletrônica é a dominante em sistemas metálicos e requer para sua avaliação o conhecimento das funções de onda eletrônicas do sistema. O esquema sugerido aqui, possui duas etapas principais: a es colha da Hamiltoniana do sistema, que neste caso foi a LMTO na aproximação de esfera atômica fortemente ligada (LMTO-ASA-TB), e o desenvolvimento dos termos do tensor GCE em uma abordagem de orbl tais fortemente ligados. Para o cálculo deste último, sugerimos a utilização do método de recorrência na obtenção dos elementos diagonais e não diagonais da função de Green, que compõem as expressões dos termos do tensor GGE em cada sitio. Como teste para nosso procedimento de espaço real, calculamos o GCE para o ao longo do eixo Zr hcp com o eixo /1. z do sistema de /1. c do cristal e também ao longo de coordenadas uma direção arbitrária. Os resultados se mostraram independentes da escolha do sistema, mostrando que o procedimento funciona na ausência de simetria. FinaJ.mente, como iLustração, calcuLamos a distribuição de GCE\'s para um agJ.omerado de Zt amorfo construído segundo o mode- Io de empacotamento denso e aleatório de esferas rígidas (DRPHS). / We present here a new method to cal-culate the el-ectronic contrlbution to the electric field gradient (GCE), which is based on the recursion method and in the recently developed tight-binding representation of the LMI0 method. This is a real-space scheme and can be applied to systems which lack symmetry, as amorphous metal.s where R-space methods can not be used. The electronic contribution is dominant Ín metalLÍc systems and requÍres for its evaluation the knowledge of the electronic wave functions of the system. The scheme I¡/e suggest here has two main steps: the choice of the Hamiltonian which in this case was the tight-binding LMT0 i\'n the atomÍc sþhere approxÍmation ( t-Uf O-ASA-TB ) and the deveJ.opment of the GCE tensor\'s components in a tight-binding approach. In the last step we suggest to use the recursion method to caLculate the diagonal and the off-diagonal Greenrs function eLements which build the GCE tensot\'s components in each site. As a test of our real space method we calculate the GCE for hcp zr with the c axis parall-eL to the crystaI\' s z axis and also in an arbitrary direction. The resuLts have shown to be independent of the choice of the system, showing that the procedure works in the abcense ofl symmetry. FinaJ.ly, as an iliustration we cal-cuLate the GCErs distribution for an amorphous Zr cluster buÍ1t in the model of dense random packing of hard spheres (DRPHS).

Neste trabalho apresentamos um procedimento para o cálculo da contribuição eletrônica para o gradiente de campo elétrico no núcleo (GCE), baseado no método de recorrência e no método de arbitais \"muffin-tin\" linearizados (LMTO) na representação forteme~ te ligada (\"tlght-binding\"). Este esquema é desenvolvido no esp~ ço real e pode ser aplicado em sistemas sem simetria, tais como metais amorfos, onde métodos de espaço-k não podem ser utilizados. A contribuição eletrônica é a dominante em sistemas metálicos e requer para sua avaliação o conhecimento das funções de onda eletrônicas do sistema. O esquema sugerido aqui, possui duas etapas principais: a es colha da Hamiltoniana do sistema, que neste caso foi a LMTO na aproximação de esfera atômica fortemente ligada (LMTO-ASA-TB), e o desenvolvimento dos termos do tensor GCE em uma abordagem de orbl tais fortemente ligados. Para o cálculo deste último, sugerimos a utilização do método de recorrência na obtenção dos elementos diagonais e não diagonais da função de Green, que compõem as expressões dos termos do tensor GGE em cada sitio. Como teste para nosso procedimento de espaço real, calculamos o GCE para o ao longo do eixo Zr hcp com o eixo /1. z do sistema de /1. c do cristal e também ao longo de coordenadas uma direção arbitrária. Os resultados se mostraram independentes da escolha do sistema, mostrando que o procedimento funciona na ausência de simetria. FinaJ.mente, como iLustração, calcuLamos a distribuição de GCE\'s para um agJ.omerado de Zt amorfo construído segundo o mode- Io de empacotamento denso e aleatório de esferas rígidas (DRPHS). / We present here a new method to cal-culate the el-ectronic contrlbution to the electric field gradient (GCE), which is based on the recursion method and in the recently developed tight-binding representation of the LMI0 method. This is a real-space scheme and can be applied to systems which lack symmetry, as amorphous metal.s where R-space methods can not be used. The electronic contribution is dominant Ín metalLÍc systems and requÍres for its evaluation the knowledge of the electronic wave functions of the system. The scheme I¡/e suggest here has two main steps: the choice of the Hamiltonian which in this case was the tight-binding LMT0 i\'n the atomÍc sþhere approxÍmation ( t-Uf O-ASA-TB ) and the deveJ.opment of the GCE tensor\'s components in a tight-binding approach. In the last step we suggest to use the recursion method to caLculate the diagonal and the off-diagonal Greenrs function eLements which build the GCE tensot\'s components in each site. As a test of our real space method we calculate the GCE for hcp zr with the c axis parall-eL to the crystaI\' s z axis and also in an arbitrary direction. The resuLts have shown to be independent of the choice of the system, showing that the procedure works in the abcense ofl symmetry. FinaJ.ly, as an iliustration we cal-cuLate the GCErs distribution for an amorphous Zr cluster buÍ1t in the model of dense random packing of hard spheres (DRPHS).