Orientador: Marcelo Moraes Guzzo / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-21T03:59:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bartra_JorgeHumbertoColonia_M.pdf: 807888 bytes, checksum: d8915103e00d9fb655e3e19f2b276e51 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Estudamos um modelo onde ondas magnetossônicas lentas são produzidas devido a deslocamentos de plasma solar, perturbando o campo magnético no Sol. Como conseqüência, quando se supõe um momento magnético não nulo do neutrino, observam-se flutuações no fluxo do neutrino solar. A razão é a interação dos neutrinos solares com o campo magnético perturbado no Sol, que leva à; conversão de um neutrino ativo a outro não detectável. Resolvemos a equação que modela o campo magnético perturbado no Sol, e as equações de evolução dos neutrinos que interagem com o campo magnético solar. Simulamos o comportamento temporal do espectro do neutrino solar de 8B para analisar possíveis flutuações do fluxo a serem observadas em detalhe nos experimentos que entrarão em funcionamento num futuro próximo / Abstract: We analyse a model where slow magnetosonic waves are produced from solar plasma displacements perturbating the solar magnetic field. As a consequence, when a nonvanishing neutrino magnetic moment is assumed, we observe flutuations of solar neutrino flux. This is because the interaction of solar neutrinos with the perturbated solar magnetic field leads to a conversion of an active neutrino into a nondetectable one. We solved the equation that models the perturbated solar magnetic field and the evolution equations of neutrinos interacting with the solar magnetic field. We simulate the time behavior of 8B solar neutrino spectrum to analyse possible flux fluctuations which will be detailed observed in experiments will begin operating in a near future / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Alexys Bruno Alfonso / Banca: Fábio de Jesus Ribeiro / Banca: André Luiz Malvezzi / O Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi da Unesp / Resumo: São calculados os níveis de energia para o átomo de hidrogênio sob campo magnético uniforme, utilizando o método das diferenças finitas. Estes resultados, quando multiplicados pelo Rydberg efetivo (que depende da massa efetiva e da permitividade elétrica do meio) correspondem à solução do problema de um elétron ligado a uma impureza doadora rasa em um semicondutor sob campo magnético (caso isotrópico, parabólico, não degenerado). Os valores encontrados, para campo nulo, são comparados com a solução analítica. Para campos magnéticos não nulos as soluções são comparadas com resultados teóricos obtidos mediante o método variacional ou por expansão em séries de potências na direção radial. O efeito do campo magnético sobre os orbitais atômicos é analisado a partir da representação gráfica dos mesmos. Os valores numéricos das energias de transição são comparados com dados experimentais para impurezas doadoras rasas em GaN, GaAs e InP. / Abstract: The energy levels of the hydrogen atom in a uniform magnetic field are calculated by using the finite difference method. The resulting energy levels, when multiplied by the effective Rydberg (that depends on the effective mass and the electric permittivity of the medium), correspond to the energy levels of an electron bound to a shallow donor impurity in a semiconductor (with non-degenerate, parabolic and isotropic conduction band) subject to a magnetic field. The results in the absence of the magnetic field are compared with the analytical solutions. For finite magnetic-field strengths, the solutions are compared with the results obtained by the variational method or through an expansion in a power series of the radial variable. The effect of the magnetic field on the atomic orbitals is analyzed with the aid of their graphical representation. The calculated transition energies are compared with experimental data for shallow donor impurities in GaN, GaAs e InP. / Mestre