Made available in DSpace on 2015-03-26T13:35:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 7178569 bytes, checksum: b7f915a255beb77386b9a40b7b8113cd (MD5) Previous issue date: 2012-07-20 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / This work consists of the optical characterization of CdMnTe films grown on glass substrate. The films were deposited by the technique of molecular beam epitaxy (MBE) and characterized by optical spectroscopy and ellipsometry. The energy gap for films with different manganese concentration was determined. We demonstrate the increase in gap energy as concentration of manganese increases. The pronounced interference fringes observed show the good optical quality of the films grown. By ellipsometry technique we can observe the behavior of the refractive index and extinction coefficients a function of manganese concentration. We have also obtained values of sample thickness and growth rate. / Este trabalho consiste na caracterização ótica de filmes de CdMnTe crescidos sobre substratos de vidro. Os filmes foram depositados pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) e caracterizados através de espectroscopia ótica e elipsometria. Foram determinados parâmetros como gap dos filmes em função da concentração de manganês. Podemos comprovar o aumento do gap com o aumento da concentração de manganês. As franjas de interferência nos mostram a boa qualidade dos filmes crescidos. Através da técnica de elipsometria podemos observar o comportamento do índice de refração e do coeficiente de extinção em função da concentração de manganês. Foram obtidos também os valores da espessura e taxa de crescimento dos filmes.

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:15:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 TeseWFS.pdf: 4914051 bytes, checksum: 4550c1829eb7c8f4350da734e26556b4 (MD5) Previous issue date: 2004-11-17 / Universidade Federal de Minas Gerais / Diamond films grown by both hot filament (HFCVD) and microwave-plasma (MW-CVD) assisted chemical vapor deposition were investigated. Raman spectroscopy, scan- ning electron microscopy and X-ray di¤raction were employed in order to perform systematic studies about the crystalline quality and the phase purity of the films, as a function of the deposition temperature. It was found that both techniques produced diamond films of similarly good purity; however, the MWCVD produced films of higher crystalline quality. Changes in the shape of the Raman line were found to be due to both phonon confinement and residual stress. Photoluminescence (PL) measurements were employed in a detailed study of the origin of defects in the diamond films grown by MWCVD and HFCVD. The results showed evidence of optical centers induced by different impurities. The defects were captured by silicon and tungsten atoms incorporated, respectively, in the diamond lattice of films grown by MWCVD and HFCVD. Boron-doped diamond films were also studied using Raman and transport measurements. Boron incorporation induces disorder in the diamond structure, causes the appearance of a band observed at ~ 1220 cm-1, and provokes an effect in the Raman line of diamond that could be attributed to the Fano type interference. Resistivity as a function of the boron concentration - in association with the Raman spectra - and temperature dependent transport measurements were employed. The results showed that the variable range hopping mechanism (VRH) dominates the transport in these doped diamond films. / Filmes de diamante crescidos por deposição de vapor químico (CVD) assistido por filamento quente (HFCVD) e plasma de microondas (MWCVD) foram investigados. Espectroscopia Raman, microscopia eletrônica de varredura e difração de raios-X foram utilizadas para realizar estudos sistemáticos sobre a qualidade cristalina e a pureza de fase dos filmes, como função da temperatura de deposição. Ambas as técnicas produziram filmes de pureza similarmente boa. No entanto, a técnica de MWCVD foi a que forneceu maior qualidade cristalina. Mudanças na forma da linha Raman foram atribuídas tanto ao confinamento do fônon quanto ao estresse residual. Medidas de fotoluminescência (PL) foram realizadas em um estudo detalhado sobre a origem dos defeitos nos filmes de diamante crescidos por MWCVD e HFCVD. Os resultados mostraram evidências de centros ópticos induzidos por diferentes impurezas. Os defeitos foram aprisionados pela incorporação de átomos de silício e de tungstênio, respectivamente, na rede do diamante dos filmes crescidos por MWCVD e HFCVD. Filmes de diamante dopados com boro também foram estudados, usando medidas Raman e de transporte. A incorporação do boro induz desordem na rede do diamante, causando a aparecimento de banda Raman em ~ 1220 cm-1, e provoca efeito na linha Raman do diamante que pôde ser atribuído a uma interferência tipo-Fano. Medidas da resistividade em função da concentração de boro - em associação com os espectros Raman - e de transporte dependente da temperatura também foram realizadas. Os resultados mostraram que o mecanismo "hopping" de alcance variável (VRH) domina o transporte nesses filmes.