Orientador: Rui Fragassi Souza / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:24:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Paixao_OswaldoPedreira_M.pdf: 10062201 bytes, checksum: 4bd6b393db8da3d20d76ab91c9c07b5d (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Este trabalho apresenta o projeto e as técnicas de implementação de amplificadores distribuídos. para sua utilização em sistemas avançados de microondas, que operam com sinais de alta velocidade. Inicialmente, foram obtidas expressões aproximadas para o cálculo do ganho de potência e do fator de ruído destes amplificadores, que permitem avaliar o seu desempenho em freqüência e a compreender o seu mecanismo de funcionamento. Para uma análise mais rigorosa, foi desenvolvido o programa ANA, que realiza a análise nodal de CIMs lineares no domínio da freqüência, incluindo na sua análise, o efeito do ruído. O projeto final dos dois circuitos selecionados (AD710 e AD321), que empregam um arranjo unidimensional de 4 FETs, foram obtidos via otimização, utilizando o programa OTIMO. Dois amplificadores foram montados, na forma híbrida, utilizando transistores tipo MESFET de GaAs (AD710 ) e HEMT de AlGaAs/GaAs (AD321 ). Em ambos os circuitos foram utilizados substratos de alumina para a realização das linhas de microfita e para a deposição dos resistores de filme fino (NiCr). Nos circuitos do AD710 e AD321 foram medidos os parâmetros de espalhamento, com os resultados experimentais próximos dos previstos na teoria / Abstract: This work presents the design and implementation of hybrid distributed amplifiers, intendedfor advanced microwave systems that work with high velocity digital signals. Initially, approximated expressions for the computation of power gain and noise figure of these amplifiers were developed. Such equations allow the investigation of the frequency behavior and gives some insight about the working mechanism of distributed amplifiers in general. To improve the analysis a CAD program, called ANA, was developed which makes a nodal analysis of linear MICS in the frequency domain, including the noise effect. The final design of the two amplifiers investigated (AD710 and AD321), using a unidimensional array of four FETs, were obtained through an optimization program called OTIMO. Two distributed amplifiers were implemented, in hybrid structure, using GaAs MESFETs (AD710) and AlGaAs/GaAs HEMTs (AD321) transistors. Both circuits used alumina substrates to manufacture microstrip lines and NiCr thin film deposited resistors. The scaterring parameters of such circuits were measured, with good agreement with theoretical prediction / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Attilio Jose Giarola / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T06:47:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Regueira_Marcos_M.pdf: 2664026 bytes, checksum: c18a33d103cd85bacd130e2c13cf7306 (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Neste trabalho foram apresentadas duas tecnologias possíveis de serem utilizadas na fabricação de microlinhas de transmissão, para integração de circuitos de microondas. A primeira, de uso mais diversificado, é a de evaporação de Cromo e Ouro, e a segunda é a de deposição química de Cobre, de realização mais fácil e barata. Foram construídos circuitos nas duas tecnologias e comparados os resultados, observando-se valores de atenuação ligeiramente menores para os circuitos de Cobre. Por outro lado os circuitos de Cromo-Ouro apresentaram melhor aderência ao substrato de alumina. Este trabalho permitiu a verificação de que a deposição química de Cobre abre novos horizontes para a construção de microlinhas de transmissão como alternativa à evaporação de Cromo-Ouro até agora utilizada mas que se caracteriza como sendo de alto custo. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Rui Fragassi Souza / Tese (doutorado) Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:56:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cesar_AmilcarCareli_D.pdf: 10302523 bytes, checksum: ca323a1c2a18eaf403cd42f12c02caf9 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: O guia dielétrico não-radiativo (NRD) é uma alternativa viável de construção de circuitos integrados na faixa milimétrica. A estrutura NRD convencional consiste de uma lâmina de material dielétrico isotrópico disposta entre dois planos condutores paralelos, separados por uma distância menor que meio comprimento de onda. A redução da perda por radiação nas curvaturas e descontinuidades é uma de suas principais vantagens. Neste trabalho e, descrita a obtenção das expressões dos campos elétrico e magnético e da equação caracteristica dos modos hibridos que se propagam em uma estrutura NRD, onde a lâmina dielétrica convencional foi substitui da por outra de material ferrimagnético. A solução da equação caracteristica fornece a constante de propagação em função da geometria do guia, dos parâmetros da ferrita e das condições de operação. São apresentados vários resultados numéricos originais na forma de curvas de dispersão e de distribuição de campos. Discute-se a possibilidade de construção de dispositivos reciprocos e não-reciprocos / Abstract: Nonradiative Dielectric (NRD) waveguide is an attractive alternative in the implementation of mil lime ter integrated circuits. The conventional NRD structure consists of an isotropic dielectric slab inserted between two parallel conducting planes, separated by a distance less than half of a wavelength. The reduction of radiation loss by curvatures and discontinuities is one of its well known advantages. This work shows how to obtain the electric and magnetic field expressions and the characteristic equations of the hybrid modes that propagate in a NRD waveguide where the isotropic slab is substituted by a ferrimagnetic material. The solution of the characteristic equation gives the propagation constant as a function of the guide geometry, ferrite parameters and operating conditions. Unpublished numerical results are presented in the form of dispersion curves and field distributions. The possibility of implementing reciprocal and non-reciprocal devices is discussed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador : Attilio Jose Giarola / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-16T15:41:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Saviani_SidneySergio_M.pdf: 2781312 bytes, checksum: d23bc59a6a9d30c98414172a681c19cb (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Ao se projetar um circuito integrado de microondas encontram-se grandes dificuldades em se fazer um lay-out que realmente se comporte como o modelo desejado, pois é preciso reunir o acervo técnico, necessário a esse projeto, que está disperso entre muitas publicações. Estas, geralmente são restritas à análise, síntese ou discussão sobre um componente, dispositivo ou material. Por isso, achamos que é muito bom termos em mãos um sistema de processamento que auxilie o projeto e analise o lay-out desses circuitos. Se ele tiver um acervo técnico básico que possa ser modificado quando necessário, então satisfaz aos anseios de qualquer projetista que queira sintetizar ou analisar um circuito integrado de microondas. Este trabalho descreve um sistema de processamento que permite projetar e analisar lay-out de dispositivos e circuitos de microondas fabricados pela técnica de microfita. Este sistema permite forte interação projetista-computador, através de um terminal gráfico do tipo GT. 40, para definição do lay-out desejado. Um acervo de técnicas de lay-out faz parte do mesmo e permite a sua ampliação conforme as necessidades futuras. Um acervo de técnicas de análise, também aprimorável de acordo com as necessidades, integra o sistema e permite ao seu usuário prever as principais características elétricas do dispositivo ou circuito por ele projetado. Para a comprovação dos modelos adotados foi feita uma simulação de todas as descontinuidades que são elementos simples, componentes de lay-out, alguns dispositivos compostos e um circuito mais complexo, seguida de uma critica detalhada dos resultados obtidos. Com seus programas computacionais escritos de uma forma simples e na linguagem Fortran IV, o sistema descrito permite o intercâmbio de dados com outros sistemas, e integra um sistema de projetos auxiliado por computador para a área de microondas em desenvolvimento na FEC-UNICAMP. Por desconhecermos a existência de algo semelhante, acreditamos termos feito uma contribuição visando o desenvolvimento de projetos, análises e otimizações de circuitos, no caso de microondas, auxiliados por computador / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Ciências

Made available in DSpace on 2014-12-17T14:55:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MariaRMLA_da_capa_ate_pag_35.pdf: 6138605 bytes, checksum: 7f71c70a867f399ca2d557dfd94faa99 (MD5) Previous issue date: 1985-04-11 / Abstract / A an?lise de linhas de fitas n?o-homog?neas com camadas diel?tricas anisotr?picas uniaxiais ? desenvolvida para uma formula??o quase-est?tica. Consideram-se o m?todo da equa??o integral, o m?todo do mapeamento e o m?todo da permissividade efetiva equivalente. O primeiro m?todo ? o mais geral, permitindo a an?lise diretamente das estruturas dadas. Nos outros dois m?todos, as estruturas dadas s?o transformadas em estruturas equivalentes com substratos isotr?picos. Curvas de imped?ncias caracter?sticas, velocidades de fase e permissividades efetivas s?o apresentadas para linhas de microfita: (a) invertidas, (b) suspensas, e (c) com camada superposta (com overlay). O efeito da espessura finita da fita condutora em linha de microfita convencional sobre substratos anisotr?picos ? tamb?m determinado, com uma maior simplicidade computacional. Observa-se concord?ncia com resultados de outros autores. As estruturas analisadas s?o adequadas ao desenvolvimento de circuitos de microondas, tais como: radiadores, bloqueadores, cc e acopladores direcionais

Orientador: Luiz Carlos Kretly / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-09T03:22:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_Eduardo_M.pdf: 14948633 bytes, checksum: 63579d1a8844e33a2c577a9aed963b41 (MD5) Previous issue date: 2007 / Resumo: Este trabalho tem como escopo o projeto e implementação de indutores ativos em tecnologia CMOS para operação em sistemas de rádio freqüência. A grande área demandada por indutores passivos integrados, bem como a sua baixa indutância e baixo fator de qualidade associados, apresentam-se como um dos maiores limitantes no projeto de circuitos integrados aplicados às comunicações. Como alternativa, indutores ativos integrados têm sido propostos. O uso de topologias de circuitos que emulam o efeito do indutor passivo convencional torna-se atraente ao passo que o grau de compactação e seletividade podem ser obtidos. Quatro topologias distintas de indutores ativos integrados são abordadas, bem como uma aplicação prática. Resultados de simulação e de experimentos são apresentados / Abstract: This work aims the design and implementation of integrated active inductors in CMOS technology for applications in radio frequency systems. The large area occupied by passive inductors, as well its low quality factor and low inductance, have been detached as one of the major drawbacks in the design of integrated circuits applied to communication systems. Alternately, active inductors have been proposed. Circuits usage which emulates conventional spiral inductors becomes interesting since die area reduction and selectivity can be obtained. Four different topologies of integrated active inductors are discussed, as well a practical application. Simulation results and experimental results are presented. / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-18T12:44:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Yamamoto_SilasDemmy_M.pdf: 5306597 bytes, checksum: 9dd3930c43415f31bf913b4d374c25eb (MD5) Previous issue date: 2011 / Resumo: O trabalho intitulado Integração de Sistema Transceptor de 60 GHz para Aplicações Sem Fio de Interface Multimídia de Alta Definição (Wireless HDMI) foi realizado na empresa STMicroelectronics (França), no departamento de P&D de Tecnologia / CAD Central e Soluções, como requisito para a obtenção do título de mestre. O objetivo deste trabalho foi de pesquisar e propor uma integração de sistema do tipo Sistema no Empacotamento (SiP ou System in Package) a nível industrial, com o desenvolvimento de um Módulo de Múltiplos Chips (MCM ou Multi-Chip Module) de camadas cerâmicas com tecnologia Cerâmica Cossinterizada sob Alta Temperatura (HTCC), integrando componentes de diferentes tecnologias - um circuito integrado CMOS 65 nm, um circuito integrado monolítico de micro-ondas (MMIC) de Arseneto de Gálio (GaAs) comercial e antenas IPD (Dispositivo de Integração Passiva) de vidro. Além disso foram desenvolvidas técnicas de projeto de integração na tecnologia HTCC, atendendo-se às regras para fabricação e montagem industrial. Utilizaram-se no projeto ferramentas software de projeto de simulação elétrica e eletromagnética, resultando no módulo com área de 13 x 8 mm2 e 1,12 mm de espessura incluindo os componentes. Nas linhas de transmissão do sinal a 60 GHz e de banda base foram medidas perdas de inserção de 1,0 dB/mm e 0,6 dB respectivamente. A antena integrada no módulo apresentou um ganho mínimo de 6 dBi (de 53,5 a 59,5 GHz), com perda de retorno maior que 10 dB (de 51 a 63 GHz) e um pequeno deslocamento em relação à banda especificada. Os resultados de medição de algumas amostras demonstraram que a tecnologia HTCC, para integração do sistema, é viável tanto em termos de desempenho, quanto nos aspectos industrial e comercial, mesmo antes da análise da montagem e desempenho do MMIC HPA e do sistema / Abstract: This Master's degree work, entitled System-in-Package (SiP) Integration of 60 GHz Transceiver for Wireless High Definition Multimedia Interface Application, was executed at STMicroelectronics Company (France), Minatec site in the department of Research and Technological Development/Central CAD and Solutions Department, under the guidance of PhD. Andreia Cathelin. The objective was to research and propose a SiP integration for industrial production. The Multi-Chip Module with ceramic materials (MCM-C) of High Temperature Cofired Ceramic technology (HTCC) was developed. Components and devices of different technologies - an RF 65 nm CMOS Integrated Circuit (IC), a commercial Gallium Arsenide (GaAs) monolithic microwave IC (MMIC), and IPD (Integrated Passive Device) antennas with glass substrate - were integrated into the same module. Further design techniques were developed complying with techniques for industrial assembly and the design rules of Kyocera, the company which provides HTCC technology and module manufacturing. The complete system integration was designed with electronic design automation (EDA) software tools with electrical and electromagnetic simulation resulting in a 13 x 8 mm2 area and 1.12 mm thickness module including its components. The 60 GHz and the base band transmission lines presented an insertion loss of 1.0 dB/mm and 0.6 dB respectively. The IPD antenna integrated in the module presented a 6 dBi minimum gain (53.5 to 59.5 GHz band) with return loss above 10 dB (51 to 63 GHz band) and a small shift of the frequency band. The measurement results of some assembled samples showed that HTCC technology is viable in terms of performance and industrial production for the 60 GHz application, even before the analysis of MMIC HPA and the system evaluation / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica