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Etude ab initio de la résistivité de l'aluminium, le sodium, le plomb et le manganèse en phase liquideKnider, Fatima Hugel, Joseph. January 2007 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : Physique : Metz : 2007. / Thèse soutenue sur ensemble de travaux. Bibliogr. f. 123-124. Acronymes f. 5.
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Mise au point de dispositifs de mesure de conductivités et de propriétés thermoélectriques d'alliages métalliques liquides en environnement sévèreSar, Frédéric. Gasser, Jean-Georges. January 2005 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : Physique : Metz : 2005. / Thèse soutenue sur ensemble de travaux. Bibliogr. Index.
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Superconducteurs ioniques de structure fluorine : a) Mesure de la conductivité ionique du SrF à haute température : b) Etude des propriétés thermodynamiques du CaF par simulation numérique /Evangelakis, Georges. January 1989 (has links)
Th. Univ.--Physique--Nancy 1, 1989. / Résumé en anglais. Bibliogr. p. 105-111.
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Étude de la conduction électrique dans les solvants non polaires.Denat, André. January 1900 (has links)
Th.--Sci. phys.--Grenoble--I.N.P., 1982. N°: DE 122.
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Etude du couplage acousto-magnétique détection des gradients de conductivité électrique en vue de la caractérisation tissulaire /Montalibet, Amalric Jossinet, Jacques. January 2005 (has links)
Thèse de doctorat : Images et Systèmes : Villeurbanne, INSA : 2002. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p.140.
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Méthodes dilatométriques appliquées à l'étude du transport électrique dans les cristaux ioniques.Duclot, Michel Joseph, January 1900 (has links)
Th.--Sci. phys.--Grenoble 1, 1977. N°: 35 ; C.N.R.S. AO 12698.
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Influence des dislocations sur la conductivité du tellure.Farvacque, Jean-Louis, January 1900 (has links)
Th.--Sci. phys.--Lille 1, 1977. N°: 375.
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Étude de la conduction électrique dans un liquide fortement polaire et de grande résistivité, le carbonate de propylène.Theoleyre, Serge, January 1900 (has links)
Th. doct.-ing.--Génie électrique--Grenoble--I.N.P., 1983. N°: DI 336.
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Détermination de la résistivité d'une plaquette de silicium en microonde dans la bande 05-10 gigahertz.Naïli, Rabah, January 1900 (has links)
Th. 3e cycle--Génie électronique--Toulouse--I.N.P., 1982. N°: 147.
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Phénomènes de relaxation des porteurs libres dans le silicum de types p et n : contribution des transitions interbandes à la conductivité du p-Si dans le domaine des ondes millimétriques et de l'infrarouge lointain.Vindevoghel, Jean, January 1900 (has links)
Th.--Sci. phys.--Lille 1, 1980. N°: 504.
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