Une utilisation intelligente de l’espace Hertzien sera nécessaire pour permettre aunombre croissant d’objets sans-fil connectés de communiquer dans le même espace de propagation.Ces travaux de thèse proposent une architecture d’émetteur radiofréquence flexible, faiblecoût et faible consommation, en rupture avec les techniques conventionnelles. Cet émetteur estfondé sur un encodage de la dérivée du signal à générer, ce qui permet de réduire le coût énergétiquede la conversion de l’information. Un convertisseur numérique analogique compatibleavec cette architecture est présenté et ses performances sont évaluées dans le cadre de la générationde signaux radiofréquence. Les résultats de mesures obtenus avec un prototype réalisé entechnologie CMOS 65 nm apporte la preuve du concept. / The increasing density of wireless devices and the associated communication flowssharing the same air interface will require a smart and agile use of frequency resources. Thisthesis proposes a flexible, low cost and low power disruptive transmitter architecture. It usesa differentiating coding scheme which leverages a mathematical and technological reduction ofthe energy cost of information conversion. The design of a DAC suited to this architecture isdeveloped and its performances are assessed toward RF signal generation. The measurementsof a demonstrator designed in 65 nm CMOS technology bring a proof of concept.

L’augmentation des capacités des systèmes de télécommunications optiques passe par le développement des dispositifs optoélectroniques innovants et des technologies clés à hautes performances. Ces dispositifs sont sujets à une forte intégration des composants et les technologies déployées mettent en œuvre des fonctions complexes (PDM – QPSK, PDM – 16 QAM, etc.). Il est donc nécessaire avant toute réalisation d’étudier le comportement électromagnétique de ces composants afin d’envisager des performances en haute fréquence et une bonne intégrité du signal contenant l’information dans la chaîne de transmission. Ainsi à travers une modélisation EM – circuit le comportement global d’un modulateur à plusieurs niveaux de phase, basé sur la déplétion de porteurs dans une jonction PN, est étudié et analysé. Le modulateur est dans un premier temps représenté par un modèle prenant en compte la jonction. Cette dernière est modélisée par sa résistance et sa capacité équivalentes. Ensuite le packaging du modulateur avec son circuit d’entrée pour les signaux RF et son circuit de sortie pour l’adaptation de charges en sortie est réalisé et optimisé. Une modélisation EM a également permis de concevoir le circuit d’entrée d’un multiplexeur intégré à un Convertisseur Numérique – Analogique 3 bits, destiné à mettre œuvre une modulation PDM – 64 QAM dans un système optique. Les résultats obtenus respectent les spécifications industrielles et permettent de d’envisager le fonctionnement en haute fréquence des dispositifs intégrés. / The increase of the capacities of optical telecommunications systems goes through the development of innovative optoelectronics devices and key technologies with high performances. These devices are subjects to high components integration and the deployed technologies implement complex functions (PDM - QPSK, PDM - 16 QAM etc.). Therefore, it is necessary before any realization to study the electromagnetic behavior of these components in order to predict good performances at high frequency and signal integrity in the transmission chain. Thus, through an EM - circuit modeling, the overall behavior of an electro-optical multilevel modulator based on carrier depletion in a PN junction has been studied and analyzed. The modulator is firstly represented by a model taking in account the junction. The junction is modeled by her equivalents resistance and capacity. Subsequently, the packaging of the modulator with the input and out circuit is realized and optimized. The EM modeling has also helped to design the input circuit of an integrated multiplexer to a 3 bits digital - analog converter for an optical system. The obtained results meet the industry specifications and allow predicting good performances in high frequency for the integrated devices.