In der vorliegenden Arbeit wird der reaktive ITO-Abscheidprozess unter Verwendung metallischer In:Sn-Targets eingehend untersucht. Die Schichtabscheidung erfolgt am symmetrisch bipolar gepulstem Dual-Magnetron sowohl auf ruhende als auch bewegte Substrate. Die Arbeit umfasst zwei Teilgebiete. Einerseits wurde der dynamische ITO-Abscheideprozess an einer industrienahen Versuchsanlage umfassend charakterisiert und anhand seiner physikalischen Parameter erfolgreich an eine industrielle Beschichtungsanlage überführt. Andererseits fanden statische Beschichtungen statt. Diese ermöglichen die Analyse der lateralen Verteilung der funktionellen Schichteigenschaften. Dadurch konnte eine Korrelation zu den lateralen Verteilungen der gemessenen Plasmaparameter herausgearbeitet werden.

In der vorliegenden Arbeit wird der reaktive ITO-Abscheidprozess unter Verwendung metallischer In:Sn-Targets eingehend untersucht. Die Schichtabscheidung erfolgt am symmetrisch bipolar gepulstem Dual-Magnetron sowohl auf ruhende als auch bewegte Substrate. Die Arbeit umfasst zwei Teilgebiete. Einerseits wurde der dynamische ITO-Abscheideprozess an einer industrienahen Versuchsanlage umfassend charakterisiert und anhand seiner physikalischen Parameter erfolgreich an eine industrielle Beschichtungsanlage überführt. Andererseits fanden statische Beschichtungen statt. Diese ermöglichen die Analyse der lateralen Verteilung der funktionellen Schichteigenschaften. Dadurch konnte eine Korrelation zu den lateralen Verteilungen der gemessenen Plasmaparameter herausgearbeitet werden.