L'étude des mécanismes fondamentaux qui contrôlent l'injection des électrons polarisés en spin à partir d'un métal ferromagnétique vers le silicium ainsi que l'interaction entre ces spins et l'aimantation d'une électrode ferromagnétique « collectrice » en spin, constitue le sujet de ce travail de thèse. Cette étude est basée sur l'analyse et la modélisation des caractéristiques électriques obtenues sur une structure « test » composée de deux électrodes ferromagnétiques servant respectivement à injecter et à collecter les électrons polarisés en spin. Une étude approfondie des propriétés électriques de la diode ferromagnétique/isolant/silicium (FMIS) est aussi réalisée. Le renversement sélectif de l'aimantation d'une des deux électrodes et la variation de la (magnéto-) résistance attendue fournissent un outil pour l'étude de l'injection de spins dans le silicium. Ce concept de mémoire magnétique intégrée sur silicium pourrait fournir à terme une solution alternative aux mémoires de type flash qui vont être de plus en plus confrontées au problème de rétention d'information.