La méthode de dépôt séquentiel par voie humide est une méthode adéquate pour obtenir des films denses et de bonne qualité aussi bien pour des applications aux diélectriques que pour des composés hybrides. En utilisant un automate programmable dans une atmosphère contrôlée d'azote, un échantillon de silicium est alternativement trempé dans des solutions diluées d'alkoxydes, d'acide phosphorique et d'eau (hydrolyse). Chaque séquence est suivie d'un rinçage à l'éthanol afin de greffer seulement une monocouche et dans de l'eau afin d'activer le substrat pour le cycle suivant. Un meilleur control de la densité des films par rapport au dépôt sol-gel classique est obtenue en travaillant avec des solutions très diluées (< 10-3 mol / L) et des vitesses de retrait lentes ! (< 2 cm/min). Des films de phosphate de titane (ou zirconium) bidimensionnels, des dépôts alternés de couches d'oxydes (ZrO2)n et des couches de phosphate de lanthane dopées par de l'europium (Eu3+) ont été élaborés sur du silicium grâce à cette méthode.