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11

Revêtements aluminium-platine obtenus par dépôt chimique en phase vapeur pour la protection de l'alliage Ti6242 contre l'oxydation à des températures inférieures à 600°C

Delmas, Mathieu Vahlas, Constantin. January 2006 (has links)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Science et génie des matériaux : Toulouse, INPT : 2005. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 130 réf.
12

Etude des matériaux diélectriques à très faible permittivité déposés par voie chimique en phase vapeur développés pour l'isolation des interconnexions cuivre des circuits intégrés pour les générations technologiques 45 nm et 32 nm

Vitiello, Julien Barbier, Daniel January 2007 (has links)
Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2006. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 171-181.
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Elaboration de SiNx:H par PECVD optimisation des propriétés optiques, passivantes et structurales pour applications photovoltaïques /

Lelievre, Jean-François Lemiti, Mustapha. Kaminski, Anne. January 2007 (has links)
Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2007. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 171-186.
14

Photocatalyseurs à base de TIO2 préparés par infiltration chimique en phase vapeur (CVI) sur supports microfibreux

Sarantopoulos, Christos Gleizes, Alain. January 2008 (has links)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Science et génie des matériaux : Toulouse, INPT : 2007. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 186 réf.
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Des particules revêtues aux matériaux massifs synthèse par mécanofusion et dépôt chimique en phase vapeur, caractérisation et étude de l'oxydation à haute température /

Jay, Frédéric Dubois, Sylvain Gauthier, Véronique January 2008 (has links) (PDF)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Milieux denses, matériaux et composants : Poitiers : 2008. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 90 réf.
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Contribution à la compréhension de l'épitaxie du diamant élaboré par MPCVD assisté par polarisation sur silicium étude de la réactivité du substrat et influence des étapes de prétraitement sur le dépôt /

Guise, Aurore Barrat, Silvère January 2008 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : Science et ingénierie des matériaux : INPL : 2008. / Titre provenant de l'écran-titre.
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Élaboration et caractérisation d'une structure GaAs par épitaxie en phase vapeur par organo-métallique à basse pression pour la fabrication d'une diode électroluminescente infrarouge

Benjelloun, Meriem. January 2001 (has links)
Thèses (M.Sc.A.)--Université de Sherbrooke (Canada), 2001. / Titre de l'écran-titre (visionné le 20 juin 2006). Publié aussi en version papier.
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Élaboration par OM-CVD du semi-conducteur composite désordonné GaAs : (SiC, H) : corrélations entre sa structure hétérogène et ses propriétés électroniques.

Maury, Francis, January 1900 (has links)
Th.--Sci. des matér.--Toulouse--I.N.P., 1985. N°: 95.
19

Sur la croissance en phase vapeur de phosphures GaP et InP à partir de composés organo-métalliques à liaison sigma entre les éléments III et V.

Combes, Myriam, January 1900 (has links)
Th. doct.-ing--Physico-chim. des matériaux--Toulouse--I.N.P., 1983. N°: 235.
20

Sur l'élaboration de couches minces épitaxiques d'arséniure de galliun par dépôt chimique en phase vapeur à partir des composés de coordination monochlorodialkylgallium-trialkylarsine.

Zaouk, Aref, January 1900 (has links)
Th.--Sci. phys.--Toulouse--I.N.P., 1983. N°: 68.

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