Les langages de haut-niveau supportent des opérations réflectives qui permettent à l’environnement d’exécution d’un langage d’inspecter et de changer son propre état et sa propre exécution. Ces langages de haut-niveau s’exécutent normalement sur une machine virtuelle (VM) qui ajoute une couche d’abstraction au-dessus du matériel. À cause de cette séparation, peu d’opérations réflectives sont disponibles pour inspecter et modifier la VM. Plusieurs VMs expérimentales offrent de telles opérations réflectives en proposant un modèle unifié qui ne distingue pas la couche VM de la couche langage. Dans cette thèse, nous suivons une approche similaire qui propose un environnement d’exécution unifié et auto-décrit. Nous nous intéressons à une solution minimale. Au lieu de dépendre de modifications d’une VM, nous générons dynamiquement du code natif depuis la couche langage. Nous présentons Benzo, un framework pour la génération dynamique de code natif. Benzo fournit une interface générique et de bas-niveau pour accéder aux fonctionnalités fondamentales de la VM. Grâce à Benzo, nous analysons plusieurs applications qui nécessitent un accès direct à la VMM. Nous montrons comment Benzo peut être utilisé pour implémenter une librairie de Foreign Function Interfaces, permettant de faciliter l’accès aux fonctionnalités bas-niveau de la VM. Pour évaluer les limitations de Benzo, nous visons deux autres applications: la génération dynamique de primitive et un compilateur JIT (Just-In-Time). Ces deux applications doivent changer le comportement de la VM. Pour cela, elles ont besoin d’une interaction poussée avec la VM. / High-level languages implement reflection which allows a language runtime to inspect and alter its own execution and state. These high-level languages typically run on top of virtual machines (VMs) which have been built to create an abstraction layer over hardware. Due to the isolating nature of the VM, reflection is generally limited to the language-side. Several research VMs overcome this limitation and provide a unified model where there is no more a clear distinction between language-side and VM-side. In such a language runtime it is possible to reflectively modify VM components from language-side as they reside on the same abstraction layer. In this dissertation we follow the same global direction towards a unified language-runtime and self-aware VM. However, instead of looking for a holistic solution we focus on a minimal approach. Instead of using a custom tailored language runtime we use dynamic native code activation from language-side on top of an existing VM. We first present Benzo our framework for dynamic native code activation. Benzo provides a generic but low-level interface to the VM internals. Based on this framework we then evaluate several applications that typically require direct VM support. We show first how Benzo is used to build an efficient Foreign Function Interface, allowing for a more structured access to VM internal functions. To evaluate the limitations of Benzo we target two more applications: dynamic primitives and a language-side JIT compiler. Both of them require a tight interaction with the underlying VM.

Les nanostructures de semi-conducteurs de faibles dimensions (comme les nanofils(NFs)) sont devenues l'objet de recherches intensives pour explorer de nouveaux phénomènes émergents à l'échelle nanométrique et sonder leur possibilités d' utilisation dans l'électronique du futur. Parmi les différents nanofils semi-conducteurs, SiC a des propriétés très particulières, comme une large bande interdite, une excellente conductivité thermique, un haut champ électrique de claquage, une stabilité chimique et physique, une haute mobilité des électrons et une haute biocompatibilité.Nous proposons dans cette étude ; d'examiner une nouvelle approche pour fabriquer des nanostructures de SiC par l'approche " top-down ". Cela permet l'élaboration de nanostructures cristallines de SiC de haute qualité monocristalline avec un niveau de dopage contrôlé. Le comportement de nanostructures de SiC gravées a également été étudié en fonction de polytypes et des orientations cristallographiques.Nous avons également étudié les trois principaux sujets de SiC nano-devices pour atteindre une excellente performance. Pour répondre à ces questions, deux types de SiC nanoFET (SiC NFFET et SiC NPFET) ont été fabriqués et caractérisés par l'utilisation de nanofils de SiC et de nanopiliers de SiC préparés respectivement par les méthodes " bottom-up " et " top-down ".

Dans cette étude doctorale, nous analysons l'évolution des approches stratégiques de Tony Blair sur le processus de paix entre Israël et les Palestiniens à la suite de la mutation institutionnelle du Premier ministre en Représentant du Quartet. Nous examinons les postulats des théories de socialisation selon lesquels la socialisation dans les institutions internationales peut produire des changements dans la perception du problème et les identités des agents. Afin d'évaluer s'il y avait des changements dans les approches de Tony Blair en qualité de médiateur du Quartet, nous avons étudié sa vision du problème durant les années où il fut Premier ministre britannique. Pour cette raison, notre travail doctoral représente une étude de deux cas qui correspondent aux deux contextes institutionnels. Le premier cas est divisé en deux parties inégales : a) du 11 septembre, 2001 à janvier 2006; b) de janvier 2006 à juin 2007. Cette division est justifiée par notre choix des événements de début 2006 qui auraient pu potentiellement changer la conception de Tony Blair (la victoire de Hamas dans les élections nationales). Le corps empirique de premier cas constitué par les données qualitatives (principalement, 48 discours de Tony Blair, ses mémoires "A Journey") nous révèle une certaine stabilité dans son approche sur le processus ("de haut en bas"). De l'autre côté, les données empiriques relatives aux activités de Tony Blair en qualité de médiateur à partir de juin 2007 nous démontrent un changement stratégique dans son approche ("de bas en haut" accompagné par "de haut en bas"). Nous avons examiné ces changements dans sa position à la lumière de deux distinctions analytiques justifiées soit par l'adaptation au nouvel environnement stratégique (l'approche néoréaliste), soit par la reconsidération de son ancienne expérience et les changements idéationnels (l'approche constructiviste). Cette étude est une contribution sur l'un des conflits les plus complexes de l'histoire de la géopolitique contemporaine. Son objectif est d'analyser l'effet de la socialisation du médiateur dans une structure internationale - à savoir le Quartet - sur sa vision conceptuelle du problème qui a conservé sa stabilité dans le contexte institutionnel précédent.

Les nanostructures de semi-conducteurs de faibles dimensions (comme les nanofils(NFs)) sont devenues l'objet de recherches intensives pour explorer de nouveaux phénomènes émergents à l'échelle nanométrique et sonder leur possibilités d’ utilisation dans l'électronique du futur. Parmi les différents nanofils semi-conducteurs, SiC a des propriétés très particulières, comme une large bande interdite, une excellente conductivité thermique, un haut champ électrique de claquage, une stabilité chimique et physique, une haute mobilité des électrons et une haute biocompatibilité.Nous proposons dans cette étude ; d'examiner une nouvelle approche pour fabriquer des nanostructures de SiC par l'approche « top-down ». Cela permet l'élaboration de nanostructures cristallines de SiC de haute qualité monocristalline avec un niveau de dopage contrôlé. Le comportement de nanostructures de SiC gravées a également été étudié en fonction de polytypes et des orientations cristallographiques.Nous avons également étudié les trois principaux sujets de SiC nano-devices pour atteindre une excellente performance. Pour répondre à ces questions, deux types de SiC nanoFET (SiC NFFET et SiC NPFET) ont été fabriqués et caractérisés par l'utilisation de nanofils de SiC et de nanopiliers de SiC préparés respectivement par les méthodes « bottom-up » et « top-down ». / Low dimensional semiconductor nanostructures, such as nanowires (NWs), have become the focus of intensive research for exploring new emergent phenomena at the nanoscale and probing their possible use in future electronics. Among these semiconductor NWs, Silicon Carbide (SiC) has very unique properties, such as wide bandgap, excellent thermal conductivity, chemical and physical stability, high electron mobility and biocompatibility. These factors makes SiC a long standing candidate material to replace silicon in specific electronic device applications operating in extreme conditions or/and harsh environments. SiC nanostructures have been studied extensively and intensively over the last decade not only for their fabrication and characterization, but also for their diverse applications. I have outlined the growth of SiC nanostructures based on different growth methods, a noteworthy feature of their characteristic properties and potential applications in the chapter one. As-grown SiC NWs fabricated by bottom-up method present a high density of structural defects, such as stacking faults. This kind of defect is one of the factors which lead to poor electrical performance (such as weak gate effect and low mobility) of the related devices. Therefore, it is required to develop a high quality of SiC nanostructures with low density of the structural defects using an alternative method, such as top-down process. Main objectives of this thesis are divided into three main parts. The first part of the thesis (Chapter two), we present the simulation results of the electrical transport and thermoelectric properties of SiC NWs. I have investigated the thermoelectric enhancement by studying the complex interplay of the size of NWs, temperature and surface roughness. Our simulation results show that the ZT of C terminated SiC NW (2.05×2.05 nm2) reaches a maximum value of 1.04 at 600K. The second part of the thesis (Chapter there) is devoted to the fabrication of high quality SiC nanostructures with controlled doping level. I have developed a top-down fabrication technique for high quality nanometer scale SiC nanopillars (NPs) using inductively coupled plasma etching. The etching behavior of SiC NPs has also been studied depending on polytypes and crystallographic orientations. Under the optimal etching conditions using a large circular mask pattern with 370 nm diameter, the obtained 4H-SiC nanopillars exhibit high anisotropy features (6.4) with a large etch depth (>7μm). A hexagonal, rhombus and triangle based pillar structures have been obtained using α-SiC (0001), 3C-SiC (001) and 3C-SiC (111) substrates, respectively. The last part of the thesis (Chapter four) is dedicated to the design and the electrical characterization of SiC nanodevices. To investigate the electrical properties of SiC nanostructures, two different kinds of SiC nanoFETs (SiC NWFET and SiC NPFET) have been fabricated by using SiC NWs and SiC NPs prepared via bottom-up method and top-down methods, respectively. In case of SiC NWFET, low resistivity ohmic contacts (378 kΩ) have been obtained after the annealing at 650 °C. Ni silicide intrusion into the SiC NW channel has been observed the annealing at 700 °C. This temperature is compared to one of other group IV materials. In case of SiC NPFET, two different types of NPFET (3C-SiC (001) and 4H-SiC (0001)) have been fabricated using our SiC nanopillars, obtained by top-down approach. The estimated values of the field-effect carrier mobility are 232.7 cm2⋅V-1s-1 for 3C-SiC (001) NPFET (#2) and 53.6 cm2⋅V-1s-1 for 4H-SiC (0001) NPFET, which is higher than the best values reported in the literature (15.9 cm2⋅V-1s-1).