Στην διατριβή αυτή μελετήθηκαν και εξακριβώθηκαν θεωρητικά όλες οι φυσικές διεργασίες που υπεισέρχονται στις μετρήσεις του διαμορφωμένου φωτορεύματος. Με βάση αυτές δείξαμε ότι μπορούμε να εξάγουμε όλες τις πιθανές διεργασίες παγίδευσης και επανασύνδεσης σε διάφορες κατηγορίες ανόργανων ημιαγωγών. Σαν μελλοντική μελέτη μπορεί να γίνει η επέκταση της θεωρητικής ανάλυσης για υλικά όπου έχουμε ατέλειες που μπορούν να βρεθούν σε περισσότερες από δύο καταστάσεις φορτίου όπως είναι οι αιωρούμενοι δεσμοί του άμορφου . Επίσης η ανάλυση που προτείνουμε μπορεί να εφαρμοστεί και στην κατηγορία των οργανικών ημιαγωγών. / In this thesis we studied and verified theoretically, all the physical processes involved in modulated photocurrent measurements. Based on these measurements, we show that we can extract all possible trapping and recombination processes in different classes of inorganic semiconductors. As future study, we can extend the theoretical analysis for materials which have defects that may be found in more than two charge states such as the dangling bonds in amorphous silicon. Also, the analysis we propose can be applied to the class of organic semiconductors.

Um einen besseren Zugang zum Verständnis struktureller Eigenschaften von den ternären Verbindungen des Systems Yb–Pd–Ga zu bekommen, wurden zunächst die Ordnungs- und Unordnungsbeziehungen sowie die chemische Bindung in den Kristallstrukturen binärer Pd–Ga- bzw. Yb–Ga-Verbindungen analysiert. Im Rahmen der phasenanalytischen Untersuchungen des binären Systems Yb–Ga konnte eine neue Verbindung charakterisiert werden (Ytterbiumpentagallid). Für den galliumreichen Teil des ternären Phasendiagramms Yb–Pd–Ga wurde ein isothermer Schnitt bei 600 °C erstellt (> 50 At.-% Ga). Die Homogenitätsbereiche der untersuchten Verbindungen wurden metallographisch bzw. röntgenographisch bestimmt. Die Kristallstrukturen wurden aus Röntgen-Einkristalldaten bestimmt. In den Kristallstrukturen wurden drei unterschiedliche Arten von Unordnung beobachtet (Substitutionsunordnung, Symmetrie-Brechung, Positionsunordnung). Für eine Reihe von Verbindungen des Systems Yb–Pd–Ga wurde der elektronische Zustand von Yb bestimmt. Dies gelang mit Hilfe von Messungen der magnetischen Suszeptibilität bzw. mit der Röntgen-Absorptionsnahkantenspektroskopie.