Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2016-02-22T21:55:16Z No. of bitstreams: 1 JoseCesarAugustoDeQueiroz_DISSERT.pdf: 11090566 bytes, checksum: 538148e21b61bcc8bb2deea11aad91bd (MD5) / Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2016-02-24T20:09:42Z (GMT) No. of bitstreams: 1 JoseCesarAugustoDeQueiroz_DISSERT.pdf: 11090566 bytes, checksum: 538148e21b61bcc8bb2deea11aad91bd (MD5) / Made available in DSpace on 2016-02-24T20:09:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 JoseCesarAugustoDeQueiroz_DISSERT.pdf: 11090566 bytes, checksum: 538148e21b61bcc8bb2deea11aad91bd (MD5) Previous issue date: 2015-02-13 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Cient?fico e Tecnol?gico - CNPq / No in?cio do s?culo XX revestimentos superficiais ou filmes finos, eram materiais que despertavam interesses unicamente em aplica??es ?ticas. Esses filmes tinham uma participa??o meramente utilit?ria, onde necessitava apenas da medida da espessura do mesmo e suas propriedades ?ticas. Com o crescimento exponencial do emprego de filmes finos em microeletr?nica, criou-se a necessidade de compreender a natureza intr?nseca dos filmes. Em 1907 foi publicado o primeiro estudo sobre um filme fino transparente e condutor para a luz vis?vel. Tais propriedades foram observadas em filmes de ?xido de c?dmio (CdO) obtidos por pulveriza??o cat?dica seguida de oxida??o t?rmica. Ao passar do tempo, outros filmes como ZnO, SnO2, In2O3 e suas ligas tamb?m foram classificadas como TCO (?xidos Condutores Transparentes). Atualmente o campo de aplica??o de tais filmes ? amplo e compreende setores como mostradores eletr?nicos de cristais l?quidos, eletrodos transparentes usados em eletroqu?mica, janelas inteligentes refletoras de radia??o no infravermelho, coletor solar plano, camada anti-refletoras para c?lulas solares, transistores e camadas passivadoras de superf?cies de dispositivos semicondutores. Neste trabalho estudou-se a propriedades ?ticas e el?tricas de filmas de SnO2:F (di?xido de Estanho dopado com Fl?or) para aplica??es fotovoltaicas, variando a temperatura de sinteriza??o do filmes (500, 550 e 600?C) e a quantidade do agente dopante (NH4F) na solu??o. Os filmes foram depositados via deposi??o qu?mica de vapor, por spray, e caracterizados por Difra??o de raios-X, Transmit?ncia e reflet?ncia, resistividade e condut?ncia. Como resultados pode-se destacar que para filmes sintetizados a temperaturas mais altas tem estruturas mais cristalinas, a cristalinidade dos filmes ? diretamente proporcional a sua resistividade e que para maiores concentra??es de agente dopante tem-se uma diminui??o na resistividade dos filmes.