A Função Resposta (FR) foi obtida para os detectores semicondutores Ge e Si(Li) usando o método semiempírico. A FR foi calculada para cinco detectores, 4 de HpGe, de volumes ativos 89 cm3, 50 cm3, 8 cm3 e 5 cm3, e um detector de Si(Li) de 0,143 cm3 de volume ativo. O intervalo de energia estudado dói de 6 keV até 1,5 MeV. Dois tipos de estudos foram realizados neste trabalho. O primeiro estudo foi a dependência da FR com a geometria de detecção. Este estudo envolveu o cálculo da FR para uma geometria denominada simples e a extrapolação da FR calculada. A extração da FR foi realizada para analisar tanto espectros obtidos com uma geometria com blindagem, como espectros onde a distância fonte-detector foi modificada. O segundo estudo foi a dependência da FR com a eletrônica de detecção. Este estudo foi realizado variando-se o tempo de formação de pulso na eletrônica de detecção. O objetivo foi a de verificar a existência ou ausência do efeito do déficit balístico na resolução do detector. Este efeito não foi observado. As componentes da FR que descrevem a região de absorção total da energia dos fótons incidentes, bem como as componentes que descrevem a absorção parcial dessa energia foram estudadas. Particularmente, neste trabalho, foram propostas funções empíricas tanto para o tratamento do espalhamento Compton múltiplo originado no próprio detector (cristal), como para o espalhamento de fótons originado nas vizinhanças do cristal. Um estudo através de simulações via Monte Carlo foi também realizado, para a compreensão das estruturas de espalhamento de fótons produzidas numa blindagem de ferro. Uma proposta de deconvolução de espectros envolvendo radiação espalhada foi estudada, para fins de cálculo da dose depositada no material espalhador. / The Response Function (RF) for Ge and Si(Li) semiconductor detectors was obtained. The RF was calculated for Five detectors, four HpGe with active volumes of 89 cm3, 50 cm3, 8 cm3 and 5 cm3, and one Si(Li) with 0,143 cm3 of active volume. The intervalo f energy studied ranger from 6 keV up to 1,5 MeV. Two kinds of studies were done in this work. The first one was the RF dependence with the detection geometry. Here the calculation of the RF for a geometry named as simple and na extrapolation of that RF, were both done. The extrapolation peocess analyzed both, spectra obtained with a shielding geometry and spectra where the source-detector distance was modified. The second one was the RF dependence with the detection electronics. The purpose was to verify the effect of the ballistic déficit in the resolution of the detector. This effect was not observed. The RF component that describe the region of the total absorption of the energy of the incident phtons, and the partial absorption of this energy, were both treated. In particular, empirical functions were proposed for the treatment of both, the multiple scattering originated in the detector (crystal), and the phton scattering originated in materials of the neighborhood of the crytal. Another study involving Monte Carlo simulations was also done in order to comprehend the photon scattering strutures produced in na iron shield. A deconvolution method is suggested, for spectra related to scattered radition in order to assess the dose delivered to the scattered.

A Função Resposta (FR) foi obtida para os detectores semicondutores Ge e Si(Li) usando o método semiempírico. A FR foi calculada para cinco detectores, 4 de HpGe, de volumes ativos 89 cm3, 50 cm3, 8 cm3 e 5 cm3, e um detector de Si(Li) de 0,143 cm3 de volume ativo. O intervalo de energia estudado dói de 6 keV até 1,5 MeV. Dois tipos de estudos foram realizados neste trabalho. O primeiro estudo foi a dependência da FR com a geometria de detecção. Este estudo envolveu o cálculo da FR para uma geometria denominada simples e a extrapolação da FR calculada. A extração da FR foi realizada para analisar tanto espectros obtidos com uma geometria com blindagem, como espectros onde a distância fonte-detector foi modificada. O segundo estudo foi a dependência da FR com a eletrônica de detecção. Este estudo foi realizado variando-se o tempo de formação de pulso na eletrônica de detecção. O objetivo foi a de verificar a existência ou ausência do efeito do déficit balístico na resolução do detector. Este efeito não foi observado. As componentes da FR que descrevem a região de absorção total da energia dos fótons incidentes, bem como as componentes que descrevem a absorção parcial dessa energia foram estudadas. Particularmente, neste trabalho, foram propostas funções empíricas tanto para o tratamento do espalhamento Compton múltiplo originado no próprio detector (cristal), como para o espalhamento de fótons originado nas vizinhanças do cristal. Um estudo através de simulações via Monte Carlo foi também realizado, para a compreensão das estruturas de espalhamento de fótons produzidas numa blindagem de ferro. Uma proposta de deconvolução de espectros envolvendo radiação espalhada foi estudada, para fins de cálculo da dose depositada no material espalhador. / The Response Function (RF) for Ge and Si(Li) semiconductor detectors was obtained. The RF was calculated for Five detectors, four HpGe with active volumes of 89 cm3, 50 cm3, 8 cm3 and 5 cm3, and one Si(Li) with 0,143 cm3 of active volume. The intervalo f energy studied ranger from 6 keV up to 1,5 MeV. Two kinds of studies were done in this work. The first one was the RF dependence with the detection geometry. Here the calculation of the RF for a geometry named as simple and na extrapolation of that RF, were both done. The extrapolation peocess analyzed both, spectra obtained with a shielding geometry and spectra where the source-detector distance was modified. The second one was the RF dependence with the detection electronics. The purpose was to verify the effect of the ballistic déficit in the resolution of the detector. This effect was not observed. The RF component that describe the region of the total absorption of the energy of the incident phtons, and the partial absorption of this energy, were both treated. In particular, empirical functions were proposed for the treatment of both, the multiple scattering originated in the detector (crystal), and the phton scattering originated in materials of the neighborhood of the crytal. Another study involving Monte Carlo simulations was also done in order to comprehend the photon scattering strutures produced in na iron shield. A deconvolution method is suggested, for spectra related to scattered radition in order to assess the dose delivered to the scattered.