Made available in DSpace on 2014-06-11T19:25:31Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2006-12-18Bitstream added on 2014-06-13T20:53:29Z : No. of bitstreams: 1 biscuola_ma_me_rcla.pdf: 2829290 bytes, checksum: 4f1c3c8a080dce0360b3e6c8d278b78c (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / As novas tecnologias para a construção de telas e displays têm permitido reduzir o consumo de energia, o peso e a espessura, como também melhorar a eficiência e flexibilidade se comparado aos antigos monitores de CRTs e até mesmo aos atuais displays de cristal líquido. Dentre estas novas tecnologias destacam-se as que utilizam materiais orgânicos (OLED) ou orgânicos poliméricos (PLED) não somente por suas possibilidades de aplicações industriais, mas também por permitirem o desenvolvimento das ciências básica e aplicada. Seguindo uma linha alternativa, propomos, neste trabalho, um novo compósito híbrido, resultante da combinação de uma fase polimérica e uma fase inorgânica, que, do nosso ponto de vista também poderá contribuir para o desenvolvimento dessa nova geração de displays e telas. Este compósito é formado pela blenda de um polímero condutor dopado, a PANI (polianilina) ou POMA (poli(o-metóxi anilina)), e um polímero isolante, o P(VDF-TrFE) poli(vinilideno-co-trifluoretileno), na qual micro partículas de Zn2SiO4:Mn (SZF) foram adicionadas. Para o desenvolvimento desse novo compósito, estudamos cada um de seus elementos constituintes, notadamente quanto ao seu modo de preparo, características morfológicas e propriedades elétricas. Como resultado final, obtivemos dispositivos constituídos de uma única camada do compósito híbrido depositado por espalhamento sobre um substrato de ITO/FTO, acrescido, ainda, de um eletrodo de alumínio depositado por evaporação. Para a caracterização destes dispositivos foram realizadas medidas de condutividade elétrica, luminescência (L) e fotoluminescência (PL). Os compósitos PANI/P(VDF-TrFE)/SZF 05/95/80 e POMA/P(VDF-TrFE)/SZF 25/75/80 com condutividade elétrica da ordem de 10-3 S/m foram os que melhor se adequaram para a construção dos dispositivos. Os espectros de L e PL apresentaram um pico em ? = 538... . / New technologies recently applied to the fabrication of organic screens and displays have allowed the manufacture of lighter, thinner monitors in comparison to either the conventional cathodic rays tube (CRTs) or the liquid crystal displays (LCDs). In addition, displays based on organic materials (the so-called organic light emitting displays (OLEDs and the polymeric light emitting displays - PLEDs) may exhibit improved efficiency and flexibility. The organic displays have attracted attention of a number of research groups aimed at investigating the potential applications of these new devices in the electronic industry. In this study, a new hybrid composite comprising an inorganic phase dispersed in a polymeric matrix was investigated as a possible candidate material for displays fabrication. The continuous, organic phase was a blend containing a conducting polymer, viz. polyaniline (PANI) or its derivative poly(o-methoxyaniline) (POMA) and an insulating polymer, P(VDF-TrFE) (Poly(viny1idene fluoride- trifluorethylene)). Micro particles of Zn2SiO4:Mn (SZF) was added to the polymeric phase as the luminescent, active material. Luminescent devices were fabricating using a conventional trilayer architecture in which a thin film of the hybrid composite was deposited between two conducting electrodes. As the anode electrode we used either Indium-TinOxide (ITO) or Fluorine-Tin-Oxide (FTO)-covered glass plates. Evaporated aluminum was used as the cathode electrode. The material/device characterization was carried out using electric conductivity, luminescence (L) and photoluminescence (PL) measurements. PANI/P(VDFTrFE)/ SZF (05/95)/80 and POMA/P(VDF-TrFE)/SZF (25/75)/80 composites compositions presented the best performance, with electric conductivity of ca. 10-3 S/m. Luminescence and photoluminescence measurements revealed that both devices exhibited an emission band centered at 538 nm... (Complete abstract, click electronic address below).

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:25:31Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2009-10-05Bitstream added on 2014-06-13T18:53:36Z : No. of bitstreams: 1 stefanelo_jc_me_rcla.pdf: 1971755 bytes, checksum: f2545c6a190dc7a872bf14f2c2b4fce6 (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Neste trabalho foi desenvolvido um dispositivo eletroluminescente (EL) constituído de um compósito híbrido (CH), formado por uma blenda polimérica e um material EL inorgânico. A blenda é composta por um polímero condutor, a poli(o-metoxianilina) (POMA) dopada com ácido tolueno sulfônico (TSA), e um polímero isolante, o poli(fluoreto de vinilideno-co-trifluoretileno) (P(VDF-TrFE)). A esta blenda é acrescentado um material EL inorgânico, o silicato de zinco dopado com Manganês (Zn2SiO4:Mn), formando assim, o compósito híbrido. O dispositivo foi construído depositando o compósito por drop casting sobre um substrato de óxido de estanho dopado com flúor (FTO) e após cristalização em uma estufa foi depositado um eletrodo de metal por evaporação à vácuo formando uma estrutura tipo “sanduíche”. Neste trabalho foram construídos dispositivos com eletrodo superior de Alumínio (Al) e Ouro (Au), denominados: FTO/CH/Al e FTO/CH/Au. O comportamento elétrico dos dispositivos de FTO/CH/Al foram analisados aplicando-se as teorias de Emissão Termoiônica, Emissão Schottky e Emissão Poole-Frenkel, o que tornou possível encontrar alguns parâmetros como: altura da barreira para a junção metal/CH, condutividade do CH e fator de retificação. O dispositivo de FTO/CH/Au foi caracterizado pela técnica de espectroscopia de impedância, sendo obtido também a altura da barreira para a junção metal/CH, a condutividade do CH, além da constante dielétrica do compósito e como variam esses dois últimos parâmetros com a temperatura. A aplicação das teorias de Emissão Termoiônica, Emissão Schottky e Emissão Poole-Frenkel produziram resultados semelhantes aos obtidos pela técnica de espectroscopia de impedância. Os espectros de luminescência apresentaram um pico em l = 528 nm com estabilidade temporal de emissão comparável a dos dispositivos inorgânicos puros. / In this work was developed an electroluminescent (EL) device made up with a hybrid composite (CH), that is formed by a polymeric blend and an inorganic EL material. The conductive polymer, poly(o-methoxyaniline) (POMA) doped with p-Toluene sulphonic acid (TSA), and an isolating polymer, the poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene) (P(VDFTrFE)), was used to make the polymer blend. An inorganic EL material, the zinc silicate manganese-doped (Zn2SiO4:Mn), was added to the blend, forming the hybrid composite. The composite was deposited by drop-casting over a Fluoride Tin Oxide substrate (FTO) and after the crystallization in an oven a metal electrode was deposited by vacuum evaporation, forming a type “sandwich” structure. In this work were constructed different devices. Aluminum (Al) and Gold (Au) were used as upper electrodes, therefore the device structures were: FTO/CH/Al and FTO/CH/Au. To analyze the electrical behavior of the FTO/CH/Al device was applied the theories of Thermionic Emission, Schottky Emission and Poole- Frenkel Emission. Using these theories was possible to obtain parameters such as; the barrier height from the metal/CH junction, CH conductivity and diode rectifier factor. The FTO/CH/Au device was characterized using the impedance spectroscopy technique. For this device was also possible to obtain the barrier height from the metal/CH junction, CH conductivity and CH dielectric constant. For the last two parameters the dependence with the temperature were also observed. The application of the theories of Thermionic Emission, Schottky Emission and Poole-Frenkel Emission produced similar results to that obtained by the impedance spectroscopy technique. The luminescence spectra, for the devices, showed a peak at l = 528 nm with emission stability in time that it is comparable of pure inorganic devices.