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Propriedades eletrônicas de nanoestruturas moduladas

Fagotto, Eric Alberto de Mello 12 December 1995 (has links)
Orientadores: José Antonio Brum, Peter Alexander Bleinroth Schulz / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-09-25T12:54:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fagotto_EricAlbertodeMello_D.pdf: 3739896 bytes, checksum: 399d9582ccd894abbd37cedecbf31c2a (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Neste trabalho investigamos os efeitos causados por um campo elétrico às propriedades eletrônicas de um sistema de fio quântico corrugado, conectado a dois reservatórios bidimensionais (2D). Este campo elétrico é aplicado de forma paralela à direção do transporte no sistema, dando origem à formação de estados localizados de Wannier-Stark. Devido à geometria da estrutura, que possuem cavidades abertas (quase-OD) conectadas por canais unidimensionais (1D), temos a formação de minibandas hibridizadas que sob a ação do campo elétrico quebram-se, dando origem a ressonâncias de Fano. Nosso estudo, para o acompanhamento destes fenômenos foi conduzido através da análise da transmissão eletrônica através do sistema e do cálculo da densidade espectral / Abstract: In this work we investigated the effects of an electric field on the electronic properties of a corrugate quantum wire system, linked to two two-dimensional (2D) reservoirs. The applied electric field is parallel to the transport direction in the system, and it produces localized Wannier-Stark states. The structure has open cavities (quasi-OD) connected to one-dimensional channels (1D), leading to the formation of hybridized minibands. These minibands under the action of the electric field are broken, what produces Fano resonances. We followed these phenomena by analyzing the electronic transmission through the system and by calculating the spectral density / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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Uma contribuição ao estudo de transitorios em dispositivos eletromagneticos utilizando o metodo dos elementos finitos

Alcantara Junior, Naasson Pereira de 12 March 1992 (has links)
Orientador : Ernesto Ruppert Filho / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T02:31:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 AlcantaraJunior_NaassonPereirade_D.pdf: 8043508 bytes, checksum: 99e9b0497b7b5f458d670553b13cca5d (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Esta tese apresenta dois modelos matemáticos para o estudo de fenômenos transitórios em dispositivos eletromagnéticos. Os model0s são implementados computacionalmente em uma estação de trabalho SUN SPARC 1+. Simulações são realizadas para um pequeno transformador monofásico, com o intuito de estabelecer uma comparação entre os modelos. Resultados de simulações são comparados com resultados de ensaios de laboratório, realizadas com o transformador. Mapas de linhas de fluxo são apresentados para diversos instantes das simulações / Abstract: This thesis presents two models for electromagnetic devices transient analysis. The models are computationall implemented in a SUN SPARC 1+ workstation. Simulations are done for as mall monophase transformer, to stablish a comparison between them. Simulations results are compared with experimetals results, obtained in laboratory to the transformer. Line flux mapping are done for several instants in the simulations / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica
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Propriedades eletrônicas em cristais unidimensionais

Chiquito, Marisa Virginia Strurion 23 July 1981 (has links)
Orientador: George Gershom Kleiman / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T08:39:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Chiquito_MarisaVirginiaStrurion_M.pdf: 988195 bytes, checksum: 8d028cdf730ee62c7a6a45fbaafb5e12 (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Resultados úteis na física do estado sólido, tal como a aproximação da massa efetiva para impurezas em semicondutores, são baseados na invariância translacional que há num cristal perfeito. O estado atual avançado das teorias de tais materiais foi atingido depois de muitos esforços baseados no entendimento físico de modelos simples. No caso de materiais inhomogeneos, tais como junções e interfaces vácuo-sólido, as teorias se encontram num estado mais rudimentar. O objetivo deste trabalho é o de fornecer soluções exatas a um modelo simples (uma cadeia inhomogenea de potenciais de funções delta) de junções, de modo a providenciar um teste para esquemas de aproximações que podem ser estendidos a modelos mais realistas. Realizamos um estudo exaustivo dos autoestados de tais sistemas inhomogeneos, com ênfase na explicação física dos resultados. Por exemplo, nós discutimos sistematicamente, estados localizados nas interfaces vácuo-sólido (modelo de Tamm) e sólido-óxido-sólido. No ultimo caso, demonstramos a existência de estados localizados acima da barreira do óxido cujo comportamento espacial é diferente daqueles estados localizados interfaciais convencionais. Nós apresentamos, também, soluções exatas para um potencial de alcance variável num sistema sólido-sólido / Abstract: Useful results of the physics of bulk materials, such as the effective mass approximation for impurities in semi-conductors, are based upon the translacional invariance of a perfect crystal. The present advanced state of theories of such materials was reached after much effort based upon physical understanding of simple models. In the case of inhomogeneous materials, such as junctions and sold-vacuum interfaces, theories are n a more rudimentary state. The motivation of the present work is that of providing exat solutions to a simple model (an inhomogeneous chain of delta function potentials) of junctions, in order to provide a test for - approximation schemes which report an exhaustive study of the eigenstates of such inhomogeneous systems, with emphasis upon physical explanation of the results. For example, we systematically discuss localized states of the vacuum-solid (the - Tamm models) and solid-oxide-solid interfaces. In the latter case, we demonstrate the existence of localized states above the oxide barrier whose spatial behavior is different from that of conventional localized interfacial states. We also present exact solutions for a potencial of varying range in a solid-solid system / Mestrado / Física / Mestre em Física
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O metodo APW-k.p auto-consistente e sua aplicação ao NaCl

Lima, Ivan Costa da Cunha 15 July 1975 (has links)
Orientador: Nelson de Jesus Parada / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T21:08:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lima_IvanCostadaCunha_D.pdf: 5333944 bytes, checksum: 38404fd56e0d954a5c07b37330cd9de3 (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Um processo auto-consistente para o cálculo das bandas de energia e funções de onda eletrônicas é desenvolvido a partir do método APW - k.p. Obtem-se as expressões para a densidade de carga e potencial cristalino na aproximação "muffin-tin", bem como um procedimento simples para a obtenção das descontinuidades do potencial coulombiano nas superfícies das esferas. O método é aplicado ao NaCl e discute-se a possibilidade da utilização da expansão k.p. Na última iteração são usados, para fins comparativos, os pontos especiais de Chadi e Cohen. O método mostrou-se rapidamente convergente / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

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