Orientador: Len Mei / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T23:16:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Paladini_Jaime_M.pdf: 3094449 bytes, checksum: bc263513083ce2b126309ff2cb61b3e9 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Neste trabalho iniciamos o contato com a tecnologia de plasma aplicada na fabricação de dispositivos microeletrônicos, bem como a utilização de algumas ferramentas para controle e/ou estudo mecanismos envolvidos na geração da região de dos mecanismos envolvidos tais como a sonda elétrica simples e o espectrômetro óptico, procurando-se entender os descarga luminosa. Buscamos encontrar uma maneira alternativa para a execução de alguns processos, notadamente o processo de remoção de fotoresiste e abertura de janelas em camadas de óxido de silício. O modelamento (capitulo 3), apesar de não ser rigoroso, nos dá uma visão geral dos fenômenos que controlam tais processos. O sistema de reações (capitulo 2) foi construído a parti r de materiais disponíveis em nosso mercado, com exceção feita ã câmara do reator, onde experimentalmente verificou-se a necessidade da utilização de quartzo. Realizou-se com êxito a remoção do fotoresiste µR 747 (capitulo 4) obtendo-se taxas de ataque razoavelmente altas e com grandes vantagens em relação ã remoção convencional por via úmida. A abertura de janelas em óxidos de silício (capítulo 5) não se mostrou satisfatória, possivelmente pelo fato de não dispormos de uma fonte de R.F. capaz de entregar maiores potências e também pelo tipo de gás empregado. Demonstramos também a viabilidade de aplicação do reator para a fabricação de resistores de filmes finos de nitreto de tântalo. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Jacobus W. Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T21:54:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ramos_AntonioCelsoSaragossa_M.pdf: 4033740 bytes, checksum: c740eecdc7a2e85a5429be9bb98021c2 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Este trabalho foi concebido da necessidade que se tinha de corroer amostras que requerem características específicas, como é o caso de circuitos integrados com tecnologias avançadas. Com este objetivo, projetou-se e construiu-se um sistema de Corrosão Iônica Reativa (RIE). Foi montado para isto, um gerador de RF de 300W e freqüência de 500KHz, freqüência esta escolhida pela alta taxa de corrosão em filmes de fotorresiste e tungstênio, facilidade na instalação, dispensando grandes cuidados, pela disponibilidade de peças no mercado e pelo baixo custo. O sistema de vácuo é composto por uma bomba mecânica e um soprador de Industrial operando em sentido Inverso. Caracterizamo-lo comparando-o com equipamentos comerciais usados para sistemas de corrosão por plasma. Esta caracterização constou da determinação da velocidade de bombeamento do sistema de vácuo. Este comportou-se razoavelmente bem, melhorando a velocidade de bombeamento da bomba mecânica. Para se ter controle de um processo, necessita-se saber quando se termina a corrosão do filme desejado. Para Isto, fizemos estudos com espectrometria óptica que mostra o espectro com os picos característicos da luz do plasma e detecção do ponto final da corrosão. Obtivemos uma boa sensibilidade do método, que foi capaz de detectar o final da corrosão do filme de W em uma amostra com área de 1 cm cúbico e fotogravada ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: This work has as objective the development of a Reactive Ion Etching (RIE) System, motivated by the need of this technique for the fabrication of devices and Integrated circuits with advanced technologies. The RIE equipment has been designed, constructed and characterized. An RF generator of up to 300W at a fixed frequency has been designed and built. This relatively low frequency was adapted because lt a) produces a higher etch rate of Tungsten and Photoresist, b) facilitates the installation by avoiding special precautions when dealing with high frenquency RF signals. c) facilitates the acquisition of the needed parts and devices resulting in a very cost effective solution. The vacuum system is composed of a mechanical pump In serles with an industrial air blower which operates in reverse. The system Is characterized ln terms of pumping speed and compared with commercial vacuum systems for plasma etching. The obtained pumping speed values are very reasonable, improvlng considerable the characteristics compared to a single mechanical pump ... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-graduação em Ciência e Engenharia de Materiais / Made available in DSpace on 2012-10-21T16:02:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 211290.pdf: 1653083 bytes, checksum: fcb84b36bb2f75c399f2718c443ec370 (MD5)