A manutenção dos níveis de dose abaixo dos limites exigidos pelas normas nacionais e internacionais é essencial em todas as aplicações das radiações ionizantes. Os níveis de restrição de dose no Brasil são estabelecidos utilizando a grandeza equivalente de dose ambiente, H* (10) e na prática de levantamentos radiométricos, os níveis de radiação são calculados por meio de medições com câmaras de ionização utilizando a grandeza kerma no ar convertidas para equivalente de dose ambiente por urn coeficiente constante. 0 presente trabalho tern por objetivo o estudo experimental das relações entre kerma no ar e a grandeza operacional equivalente de dose ambiente, pela medição de feixes de raios X transmitidos através de materiais utilizados em salas radiológicas dedicadas à exames de tórax. Uma metodologia experimental, baseada em técnicas de espectroscopia, foi desenvolvida para a medição dos espectros de raios X. Com os resultados, as estimativas da grandeza equivalente de dose ambiente, obtidas através de coeficientes de conversão entre o kerma no ar e esta grandeza, tornam-se mais realistas por levar em consideração as alterações espectrais decorrentes da atenuação dos feixes primários por objetos simuladores antropomórficos e por diferentes materiais atenuadores. Foi encontrada uma diferença máxima de 53,52% entre esses coeficientes e aquele adotado no Brasil por meio da ANVISA (1,14 Sv/Gy), o que indica uma subestimação desse valor. 0 comportamento espectral dos feixes de raios X transmitidos por barreiras primárias e atenuadores presentes em procedimentos radiológicos apresentou influencia sobre resultados relacionados a levantamentos radiométricos e procedimento de cálculos de barreiras. / The maintenance of dose levels below the limits required by national and international standards are essential in all applications of ionizing radiation. The dose constrains levels in Brazil are established in terms of the quantity ambient dose equivalent, H*(10), while the radiation levels in radiometric surveys are calculated by means of measurements with ion chambers using the quantity air-kerma converted to ambient dose equivalent by a constant factor. The present work aims the experimental study of the relationship between the air­ kerma and the operational quantity ambient dose equivalent, by measuring X-ray beams transmitted through materials used in dedicated chest radiographic facility. An experimental methodology, based on spectroscopic techniques was developed for the X-ray spectra measurements. With the results, estimates of ambient dose equivalent quantity through conversion factors between this quantity and the air-kerma, become more realistic by taking into account the spectral changes resulting from the attenuation of primary beams by anthropomorphic phantoms and different attenuating materials. The maximum difference founded between these coefficients and the one adopted in Brazil by ANVISA (1.14 Sv I Gy) was 53.52%, which indicates underestimation of the value. The spectral behavior of the X-ray beam transmitted by primary barriers and attenuators present in radiological procedures presented influences on results related to radiometric surveys and procedure calculations barriers.

A manutenção dos níveis de dose abaixo dos limites exigidos pelas normas nacionais e internacionais é essencial em todas as aplicações das radiações ionizantes. Os níveis de restrição de dose no Brasil são estabelecidos utilizando a grandeza equivalente de dose ambiente, H* (10) e na prática de levantamentos radiométricos, os níveis de radiação são calculados por meio de medições com câmaras de ionização utilizando a grandeza kerma no ar convertidas para equivalente de dose ambiente por urn coeficiente constante. 0 presente trabalho tern por objetivo o estudo experimental das relações entre kerma no ar e a grandeza operacional equivalente de dose ambiente, pela medição de feixes de raios X transmitidos através de materiais utilizados em salas radiológicas dedicadas à exames de tórax. Uma metodologia experimental, baseada em técnicas de espectroscopia, foi desenvolvida para a medição dos espectros de raios X. Com os resultados, as estimativas da grandeza equivalente de dose ambiente, obtidas através de coeficientes de conversão entre o kerma no ar e esta grandeza, tornam-se mais realistas por levar em consideração as alterações espectrais decorrentes da atenuação dos feixes primários por objetos simuladores antropomórficos e por diferentes materiais atenuadores. Foi encontrada uma diferença máxima de 53,52% entre esses coeficientes e aquele adotado no Brasil por meio da ANVISA (1,14 Sv/Gy), o que indica uma subestimação desse valor. 0 comportamento espectral dos feixes de raios X transmitidos por barreiras primárias e atenuadores presentes em procedimentos radiológicos apresentou influencia sobre resultados relacionados a levantamentos radiométricos e procedimento de cálculos de barreiras. / The maintenance of dose levels below the limits required by national and international standards are essential in all applications of ionizing radiation. The dose constrains levels in Brazil are established in terms of the quantity ambient dose equivalent, H*(10), while the radiation levels in radiometric surveys are calculated by means of measurements with ion chambers using the quantity air-kerma converted to ambient dose equivalent by a constant factor. The present work aims the experimental study of the relationship between the air­ kerma and the operational quantity ambient dose equivalent, by measuring X-ray beams transmitted through materials used in dedicated chest radiographic facility. An experimental methodology, based on spectroscopic techniques was developed for the X-ray spectra measurements. With the results, estimates of ambient dose equivalent quantity through conversion factors between this quantity and the air-kerma, become more realistic by taking into account the spectral changes resulting from the attenuation of primary beams by anthropomorphic phantoms and different attenuating materials. The maximum difference founded between these coefficients and the one adopted in Brazil by ANVISA (1.14 Sv I Gy) was 53.52%, which indicates underestimation of the value. The spectral behavior of the X-ray beam transmitted by primary barriers and attenuators present in radiological procedures presented influences on results related to radiometric surveys and procedure calculations barriers.

Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). Esses filmes foram submetidos a diferentes seqüências de tratamentos térmicos em atmosferas inerte e de O2, e foram caracterizados através de análises de feixe de íons e espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS). Nesse estudo foi observado que a incorporação de oxigênio se dá através da troca com N ou O previamente existente nos filmes. Em filmes de aproximadamente 50 nm de espessura foi observado que a presença do N limita a difusão de oxigênio de forma que a frente de incorporação avança em direção ao interior do filme com o aumento do tempo de tratamento, enquanto nos filmes de HfSiO/Si o oxigênio é incorporado ao longo de todo o filme, mesmo para o tempo mais curto de tratamento. Diferentemente de outros materiais high- estudados, não foi possível observar migração de Si do substrato em direção a superfície dos filmes de HfSiON/Si com aproximadamente 2,5 nm de espessura. Os resultados obtidos nesse trabalho mostram que filmes de HfSiON/Si são mais estáveis termicamente quando comparados com outros filmes dielétricos depositados sobre Si anteriormente estudados, mas antes que ele se torne o dielético de porta é ainda necessário que se controle a difusão de N em direção ao substrato como observado nesse trabalho.

Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). Esses filmes foram submetidos a diferentes seqüências de tratamentos térmicos em atmosferas inerte e de O2, e foram caracterizados através de análises de feixe de íons e espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS). Nesse estudo foi observado que a incorporação de oxigênio se dá através da troca com N ou O previamente existente nos filmes. Em filmes de aproximadamente 50 nm de espessura foi observado que a presença do N limita a difusão de oxigênio de forma que a frente de incorporação avança em direção ao interior do filme com o aumento do tempo de tratamento, enquanto nos filmes de HfSiO/Si o oxigênio é incorporado ao longo de todo o filme, mesmo para o tempo mais curto de tratamento. Diferentemente de outros materiais high- estudados, não foi possível observar migração de Si do substrato em direção a superfície dos filmes de HfSiON/Si com aproximadamente 2,5 nm de espessura. Os resultados obtidos nesse trabalho mostram que filmes de HfSiON/Si são mais estáveis termicamente quando comparados com outros filmes dielétricos depositados sobre Si anteriormente estudados, mas antes que ele se torne o dielético de porta é ainda necessário que se controle a difusão de N em direção ao substrato como observado nesse trabalho.

Esse trabalho estuda a estabilidade térmica e o transporte atômico em filmes dielétricos de HfSiO e HfSiON depositados por sputtering reativo sobre c-Si. Esses materiais possuem alta constante dielétrica (high- ) e são candidatos a substituir o óxido de silício como dielétrico de porta em dispositivos do tipo transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). Esses filmes foram submetidos a diferentes seqüências de tratamentos térmicos em atmosferas inerte e de O2, e foram caracterizados através de análises de feixe de íons e espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS). Nesse estudo foi observado que a incorporação de oxigênio se dá através da troca com N ou O previamente existente nos filmes. Em filmes de aproximadamente 50 nm de espessura foi observado que a presença do N limita a difusão de oxigênio de forma que a frente de incorporação avança em direção ao interior do filme com o aumento do tempo de tratamento, enquanto nos filmes de HfSiO/Si o oxigênio é incorporado ao longo de todo o filme, mesmo para o tempo mais curto de tratamento. Diferentemente de outros materiais high- estudados, não foi possível observar migração de Si do substrato em direção a superfície dos filmes de HfSiON/Si com aproximadamente 2,5 nm de espessura. Os resultados obtidos nesse trabalho mostram que filmes de HfSiON/Si são mais estáveis termicamente quando comparados com outros filmes dielétricos depositados sobre Si anteriormente estudados, mas antes que ele se torne o dielético de porta é ainda necessário que se controle a difusão de N em direção ao substrato como observado nesse trabalho.