Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2017-12-04T20:55:01Z No. of bitstreams: 1 AllysonIrineuAraujoLima_DISSERT.pdf: 4382658 bytes, checksum: 6a3930eaed71a4554f042f1cdee26a17 (MD5) / Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2017-12-07T20:50:44Z (GMT) No. of bitstreams: 1 AllysonIrineuAraujoLima_DISSERT.pdf: 4382658 bytes, checksum: 6a3930eaed71a4554f042f1cdee26a17 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-12-07T20:50:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 AllysonIrineuAraujoLima_DISSERT.pdf: 4382658 bytes, checksum: 6a3930eaed71a4554f042f1cdee26a17 (MD5) Previous issue date: 2017-08-07 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior (CAPES) / Propriedades estruturais, eletr?nicas e ?pticas do [(CH3)2NH2] Zn(HCOO)3 Tricl?nico foram determinadas atrav?s de c?lculos de primeiros princ?pios desenvolvidos no referencial da Teoria do Funcional da Densidade (DFT) conforme codificado no Software CASTEP, utilizando-se a aproxima??o da densidade local (LDA) e aproxima??o do gradiente generalizado (GGA). Uma boa concord?ncia entre os par?metros de rede calculados e os experimentais foi obtida. Contudo, na aproxima??o GGA os resultados da otimiza??o foram mais compat?veis com os dados experimentais, apresentando na pior margem de erro +0,87% para o par?metro de rede a. Al?m disso, constatamos que esse material ? um semicondutores de gap largo, com valores de 3,67 eV (LDA) e 4,23 eV (GGA) de energia de band gap, j? nas propriedades ?pticas observamos um comportamento isotr?pico na aproxima??o GGA e um comportamento semi-isotr?pico para a aproxima??o LDA. Neste trabalho obtivemos a Otimiza??o da Estrutura Cristalina, Estrutura Eletr?nica de Bandas, Densidade de Estados, Fun??o Diel?trica e Absor??o ?ptica desses materiais para as duas aproxima??es.