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Estudo de caos em junções JosephsonPellegrino, Giancarlo Queiroz 18 December 1991 (has links)
Orientador: Hilda Alicia Cerdeira / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-09-26T18:42:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1991 / Resumo: No trabalho faz-se um estudo do comportamento de junções Josephson sob ação de fontes de corrente externas. Este estudo é feito tendo em vista a possibilidade de comportamento caótico da junção, quando as fontes de corrente simulam pulsos de rápida duração. O tratamento, quântico e sem aproximações semiclássicas, incorpora elementos da Teoria de Informação e o uso de um algoritmo para tratar problemas envolvendo férmions, que se baseia no fechamento de uma álgebra de operadores sob a operação comutação com o hamiltoniano. A evolução temporal dos observáveis de interesse do problema (fase de Josephson f e sua derivada f', corrente de Josephson I e sua derivada I') parece não apresentar comportamento caótico, na forma como este se mostra classicamente para o sistema junção Josephson / Abstract: Not informed / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Estudo das propriedades dielétricas e magnéticas da matriz compósita: SrBi2Nb2O9(SBN)X-BaFe12O9(BFO)1-X / Study of the dielectric and magnetic properties of the composite matrix: SrBi2Nb2O9(SBN)X-BaFe12O9(BFO)1-XTheophilo, Klara Rhaissa Burlamaqui January 2011 (has links)
THEOPHILO, K. R. B. Estudo das propriedades dielétricas e magnéticas da matriz compósita: SrBi2Nb2O9(SBN)X-BaFe12O9(BFO)1-X. 2011. 104 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2011. / Submitted by Giordana Silva (giordana.nascimento@gmail.com) on 2016-10-04T21:53:04Z
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Previous issue date: 2011 / In this work we studied the properties of composites based in M-type barium hexaferrites BFO (BaFe12O19) and ferroelectric ceramic SBN (SrBi2Nb2O9). M-type barium hexaferrites (BaFe12O19) come out as a new alternative for the low cost production of ferrofluids, magnetic record media and sensors. Some of its characteristics are high magnetic saturation, high coercivity and good resistance to corrosion. Besides, the SBN (SrBi2Nb2O9) is a ceramic with uncountable applications in devices where ferro-piezoeletrics materials are needed. This material shows a good fatigue resistance, being one of the most liable substitutes for the Lead Zirconate Titanate (PZT) in the ferroelectrics random access memory (FERAM). The magneto-dielectric matrix composite (SrBi2Nb2O9)x(BaFe12O19)100-x, where x stands for 0,25,50,75 and 100 wt% were prepared by a new procedure in the solid state route. Also, it was done a study in the effects of a group of organic (TEOS, PVA and glycerin) binders in the structural properties of the ceramic matrix composites. The composite was analyzed with X-ray diffraction, Raman and Infrared spectroscopy, Mössbauer spectroscopy and scanning electron microscope (SEM) for a better understanding of the microstructural properties. Radiofrequency (RF) dielectric measurements and Impedance analysis, magnetic and electric hysteresis loops, microwave dielectric measures and monopole antenna measures and simulation are discussed as well. / Nesse trabalho, estudamos as propriedades da matriz compósita baseada na hexaferrita de bário do tipo M BFO (BaFe12O19) e da cerâmica ferroelétrica SBN (SrBi2Nb2O9). As hexaferritas de bário do tipo M despontaram como uma nova opção para a produção de baixo custo de ferrofluidos, meios de gravação magnética e sensores. Algumas de suas características são alta magnetização de saturação, alta coercividade e boa resistência à corrosão. Além disso, o SBN (SrBi2Nb2O9) é uma cerâmica com incontáveis aplicações em dispositivos onde materiais ferro-piezoeletricos são necessários. Esse material apresenta uma boa resistência à fadiga sendo um dos principais substitutos do Titanato Zirconato de Chumbo (PZT) nas memórias ferroelétricas de acesso aleatório (FERAM’s). A matriz cerâmica magneto-dielétrica (SrBi2Nb2O9)x(BaFe12O19)100-x, onde x = 25, 50, 75 e 100% do peso, foi preparada pela rota de estado sólido, com moagem e calcinação. Também, foi feito um estudo do efeito de um grupo de ligantes orgânicos (TEOS, PVA, Glicerina) nas propriedades estruturais do material. O compósito foi analisado com difração de raios-X, espectroscopia Raman e do infravermelho, espectroscopia Mössbauer e Microscopia eletrônica de Varredura, para uma melhor compreensão das propriedades estruturais do material. Medidas dielétricas na região de radiofreqüência e microondas, bem como histereses elétricas e magnéticas foram realizadas. Espectroscopia de impedância com variação de temperatura, medidas e simulação de antenas monopolo também foram estudadas nesse trabalho.
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Fases de vórtices e antivórtices em filmes supercondutores com nanoestruturas magnéticasMILLÁN, Miguel Alejandro Zorro 18 July 2008 (has links)
Submitted by Isaac Francisco de Souza Dias (isaac.souzadias@ufpe.br) on 2016-05-19T16:56:26Z
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Previous issue date: 2008-07-18 / Na última década tem sido mostrado que híbridos supercondutor-ferromagnéticos
podem usar o ferromagnetismo para melhorar algumas propriedades
dos supercondutores. Um exemplo bem-sucedido é uma bicamada
formada por um filme supercondutor e um filme magnético nanoestrutrado.
Esse sistema se apresenta como uma maneira eficiente e altamente controlável
de aprisionar e/ou manipular o movimento dos vórtices. Além disso, pode
apresentar geração espontânea de pares vórtice-antivórtice (v-av), com conseqüências
profundas sobre as características da amostra. A maneira como
estes pares são gerados e a forma com que influem nas propriedades macroscópicas
do supercondutor continuam sendo matéria de intenso debate. Neste
trabalho, foram resolvidas numericamente as equações de Ginzburg-Landau
dependentes do tempo (TDGL) para fazer uma análise detalhada da nucleação
de pares v-av num filme supercondutor interagindo com uma camada de
dipolos magnéticos pontuais idênticos, localizados acima da superfície supercondutora
e polarizados perpendicularmente ao filme. A simulação utiliza o
método de variáveis de ligação com invariância de calibre adaptado para o algoritmo
de diferenças finitas e foi utilizada para calcular a densidade de pares
de Cooper assim como a vorticidade e a energia livre do sistema. Esse estudo
é realizado em função da temperatura, a intensidade do momento magnético m e parâmetros geométricos da rede de dipolos. Observamos transições
abruptas no número de pares v-av estabilizados por cada dipolo em função
de m, assim como transições na maneira como os antivórtices se arranjam
em torno dos vórtices. Em geral, quando a distância d entre as camadas supercondutora
e de dipolos é maior ou da ordem do comprimento de coerência
do supercondutor », observa-se que os antivórtices se arranjam em torno das
posições intersticiais da rede de dipolos. A esta fase denominamos deslocalizada,
pois os antivórtices encontram-se “desligados” dos vórtices. Para d / »,
os antivórtices posicionam-se nas proximidades dos dipolos magnéticos, fase
que chamamos localizada (os antivórtices estão agora “ligados” aos vórtices).
Apresentamos um diagrama de fases que resume as várias configurações de
vórtices e antivórtices encontradas e propomos um experimento baseado em
técnicas usuais de medidas de transporte o qual poderia ser utilizado para
identificar estas fases. / It has been systematically shown, in the past decade, that artificially
created superconductor-ferromagnet hybrids are able to use ferromagnetism
to enhance some superconducting properties. One of the most successful
examples is the superconducting-film/magnetic-dot-array bilayer, which offer
highly controllable and efficient pinning of vortices. However, these structures
are sometimes able to spontaneously generate vortex-antivortex pairs,
with profound consequences on the sample characteristics. How these pairs
are generated and how they interfere on the macroscopic properties of these
hybrid systems are still a matter of debate. In the present work, we solve
numerically the time-dependent Ginzburg-Landau equations to analyze in
detail how vortex-antivortex pairs nucleate in a superconducting film interacting
with an identical magnetic dipoles layer, on top of the superconducting
film, in the off-plane magnetic moment situation. The simulations follow
the gauge invariant link-variable method adapted for a finite difference algorithm
and was used to calculate the density of Cooper pairs, as well as
vorticity and the system free energy. That study is carried out as a function
of temperature, magnetic moment intensity m and geometric parameters of
the dipoles array. We see abrupt transitions in the number of v-av pairs
stabilized by each dipole according to m, and transitions in the way that antivortex are positioned around the vortex. In general, when the distance
d between the superconductor layer and the dipoles array is greater or the
order of the superconducting coherence length », it is observed that the antivortex
are positioned around the interstitial positions of the dipoles array. At
this phase we named “delocalized” because the antivortex are “disconnected”
from vortex. For d / », the antivortex positioned itself near to the magnetic
dipolos, phase we named “localized”(the antivortex are now "connected"to
the vortex). We presented a phase diagram which summarizes the various
vortex and antivortex configurations found and propose an experiment based
on usual techniques of transport measures which could be used to identify
these phases.
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Caracterização de semicondutores III-V : descontinuidade de bandas e poços quânticosLoural, Maria Salete Sartorio 18 July 1991 (has links)
Orientador: Mario Tosi Furtado / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:57:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho apresentamos um estudo sistemático de duas propriedades de compostos III-V que são de grande interesse tanto para a Física de Semicondutores como de Dispositivos: descontinuidade de bandas em heterojunções (HJs) isotipo crescidas por LPE e propriedades ópticas de poços quânticos crescidos por MOVPE.
Utilizando pela primeira vez a técnica de C-V eletroquimico para medida de perfil de portadores, calculamos as descontinuidades na banda de condução (DEc) em HJs e determinamos a razão entre DEc e DEg, a diferença entre as bandas proibidas dos dois materiais da HJ. Em HJs Ga1-xAlxAs/Ga1-yAlyAs, onde pela primeira vez se variou a composição da camada de banda proibida menor, com 0 £ x £ 0,21, mantendo-se y em torno de 0,42, encontramos o valor DEc/DEg = 0,6 independente de x. A relação DEc/DEg também foi medida para In0.59Ga0.47As/lnP resultando num valor de 0.36.
Poços quânticos de GaAs/GaAIAs com diferentes alturas de barreira crescidos por MOVPE foram caracterizados por fotoluminescência a 77K e foi desenvolvido um método para a determinação da gradualidade de interfaces em tais heteroestruturas. Utilizando a aproximação da função envelope, calculamos as curvas teóricas de comprimento de onda em função da largura do poço (l x Lz) correspondentes à recombinação entre os níveis de mais baixa energia para poços perfeitamente retangulares. A partir do afastamento dos pontos experimentais da curva teórica determinamos as gradualidades de interfaces que melhor descreveram os pontos experimentais. Os cálculos foram feitos resolvendo-se a Equação de Schroedinger por métodos numéricos. Os resultados mostraram que a gradualidade é função da fração de Al na barreira, aumentando com esta. Esse método é muito preciso, ficando a resolução limitada à incerteza na velocidade de crescimento. Poços de InGaAs/InP e InGaAs/InGaAIAs também foram investigados sendo que os últimos se mostraram mais eficientes porque não envolvem as dificuldades inerentes dos primeiros devidas à troca de hidretos nas interfaces.
Uma extensão deste método foi feita para o estudo de desordem induzida por difusão de Zn e temperatura em estruturas pseudomórficas de InGaAs/GaAs. Os coeficientes de interdifusão In-Ga para diferentes condições de difusão de Zn foram determinados usando o mesmo método descrito para poços de GaAs/GaAlAs / Abstract: In this work, we present a systematic study of two properties of III-V compounds heterostructures which are of great interest to Semiconductor and Device Physics: band offsets in isotype heterojunctions (HJs) grown by LPE and optical properties of MOVPE grown quantum wells.
Using for the first time the technique of electrochemical C-V profiling, we measured the conduction band discontinuities (DEc) in HJs and determined the ratio between D Ec and DEg, the difference between the two HJs band gaps. We found DEc/DEg to be 0.6 in Ga1-xAlxAs/Ga1-yAlyAs, for x between 0 and 0.21, keeping y around 0.42. These are the first results in samples where the composition of the smaller band gap layer was varied. We also found DEc/DEg to be 0.36 for In0.59Ga0.47As/InP.
We also characterized MOVPE grown GaAlAs/GaAs quantum wells by photoluminescence at 77K, varying the confining barrier height, and developed a method for determining interface grading in such heterostructures. Using the envelope function approximation. We calculated theoretical curves Wavelength versus Well Width (l x Lz) corresponding to the recombination between the lowest energy levels in an ideally perfect well. The departure of the experimental curves from the theoretical one allowed us to determine the interface grading that best describes the experimental points. Calculations were made by solving the Schroedinger equation by simple numerical methods. Grading determination was shown to increase with the Al content in the barrier. The method is very precise, limited only by the uncertainty in the growth rate. InGaAs/InP and InGaAs/InGaAlAs wells were also investigated and the latter had been shown more efficient because the former involves difficulties in hydride changes at the interfaces.
An extension of this method was successfully applied to the study of Ga-In disorder in InGaAs/GaAs pseudomorphic structures, enhanced by Zn doping and heat treatment In-Ga interdiffusion coefficients for different Zn diffusion conditions were determined using this characterization method / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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Propriedades eletrônicas em sistemas unidimensionaisDantas, Socrates de Oliveira 08 October 1991 (has links)
Orientador: George G. Kleiman / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:39:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1991 / Resumo: Não informado / Abstarct: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Evolução temporal de excitações elementares em semicondutores fortemente fotoexcitadosAlgarte, Antonio Carlos Sales, 1944- 24 July 1982 (has links)
Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:53:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1982 / Resumo: É apresentado um método que permite, a partir de primeiros princípios, obter equações de transporte generalizadas com as quais é possível estudar sistemas longe do equilíbrio térmico. Usando esse método obtivemos equações de transporte não lineares que descrevem os processos irreversíveis que ocorrem em experimentos do tipo "bombeamento-prova". Conseguimos, dessa forma, analisar a termodinâmica de não equilíbrio e os processos de relaxação em semicondutores polares submetidos a altos níveis de excitação ótica. Calculamos também a função número de ocupação para diferentes modos de fonons longitudinais óticos. A equação cinética para essa função é escrita em termos dos parâmetros termodinâmicos relevantes que descrevem o estado macroscópico de não equilíbrio. Em ambos os casos os resultados obtidos são comparados com dados experimentais referentes ao GaAs / Abstract: We present a method that using a first principle theory allow us for the determination of nonlinear transport equations which describe irreversible processes in far from equilibrium systems.
This method is applied to study the nonequilibrium thermodynamics and kinetics of evolution of relaxation processes in polar semiconductors under high levels of optical excitation. We also calculate the time-evolution of the number occupation function of different longitudinal optical phonon modes. The kinetic equation for this function is written in terms of the relevant thermodynamic parameters that describe the nonequilibrium macroscopic state of the system. Comparison of theory with results obtained in experiments of ultra-fast time resolved optical spectroscopy of GaAs is done, obtaining a good agreement / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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Influência dos metais de transição em vidros de aluminato de cálcio e soda-limeBaesso, Mauro Luciano 13 March 1987 (has links)
Orientador: Zoraide Primerano Arguello / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T03:14:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1987 / Resumo: Este trabalho apresenta um estudo da influência de ions de metais de transição em vidros de soda-lime e de aluminato de cálcio.
Como conseqüência, além de algum entendimento sobre o mecanismo físico dessas absorções seletivas no visível, o trabalho leva à possibilidade de execução pratica de "filtros de cor".
O uso da espectroscopia fotoacústica para as medidas de absorção, propiciou o início de uma promissora cooperação futura, dadas as inúmeras possibilidades de trabalho de interesse mútuo apresentadas / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Estudo da permeabilidade inicial em ligas amorfas de magnetostrição aproximadamente zeroSinnecker, João Paulo 15 June 1992 (has links)
Orientador: Reiko Sato Turtelli / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T04:17:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1992 / Resumo: Foram feitas medidas permeabilidade inicial (m ) e de campos críticos (Hp) em fitas de liga amorfa de composição nominal CO70.4Fe4.6Si15B10, em função da temperatura e de campos magnéticos ac aplicados. Para isso foi construído um forno que permite tratamentos térmicos a temperatura constante e, à taxas de aquecimento constantes. As medidas de permeabilidade inicial foram feitas com campos magnéticos H constantes, variando-se a temperatura entre a temperatura ambiente (Tamb) e a temperatura de Curie (Tc) e vice-versa. Os campos críticos foram determinados através das curvas de permeabilidade inicial em função de H, para uma dada temperatura constante. As amostras foram analisadas com difratogramas de Raios-X, depois de todos os tratamentos térmicos, para assegurar a amorficidade das mesmas. Os resultados mostram que existe uma súbita, mudança em m, à temperaturas características, dependentes do campo aplicado H. Saltos na permeabilidade inicial em valores característicos de Hp nas Curvas de m x H também foram observados. Estes resultados podem ser explicados por meio de fenômenos envolvendo "pinning" de paredes de domínios, causados por anisotropias locais induzidas por ordenamento de pares atômicos e tensões localizadas / Abstract: Measurements of initial magnetic permeability (m ) and critical fields (Hp) were performed in ferromagnetic amorphous ribbons of nominal composition CO7O.4Fe4.6Si15B10, as a function of temperature and applied magnetic field. A furnace that allow thermal treatments at constant heating rate, was contructed. The initial permeability rneasurements were performed with constant magnetic applied field H, and temperature varying from room temperature (Tamb) to Curie temperature (Tc) and vice-versa. The critical fields were found from the initial permeability as a function of applied field curves, for a constant temperature. The samples were analyzed with X-ray difratometer to ensure amorphicity. The results shown suden jumps in m at characteristic temperatures which depends on the applied field H. Suden jumps in the initial permeability at characteristic values of Hp in the m x H curves, were also observed. These results can be explain by domain wall "pinning" effect caused mainly by local anisotropy induced by atomic pair ordering and local stresses / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Estudo dos fonons dipolares no rutilo (TiO2) em função da temperatura, usando-se tecnica de infravermelhoSilva, Mario Pereira da 15 July 1978 (has links)
Orientador: Ram Sharam Katiyar / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T03:30:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1978 / Resumo: O Dióxido de Titanio (TiO2) quando na estrutura do Rutilo, pertence ao grupo espacial D144h contendo duas fórmulas em sua célula unitária, portanto possuindo no total 18 , modos normais de vibração, três dos quais acústicos.
A partir de técnicas de grupos foram determinados aqueles modos de vibração cujos movimentos dos átomos têm como resultante um dipolo elétrico permanente, ativos no infravermelho. Existem em 1ª ordem, um modo A2u e três modos Eu duplamente degenerados.
Usando-se um monocristal de TiO2 um espectrômetro de infravermelho PE-180 e um sistema Displex do tipo Ciclo-fechado que permite medidas desde; 10 K até 300 K, foram obtidos espectros da. reflectividade deste cristal em função da temperatura.
A aplicação, tanto de um modelo clássico de osciladores harmônicos amortecidos que usa o método de "fitting" dos parâmetros de dispersão, como da análise de Kramers-Krönig que calcula a diferença de fase entre as ondas incidente e refletida, permitiu a determinação das constantes óticas do Rutilo e a identificação das frequências dos modos ativos no infravermelho.
Determinou-se o comportamento dos modos A2u(TO) e Eu(1) (TO) em função da temperatura, concluindo-se serem eles os responsáveis pelo aumento da constante dielétrica estática, nas respectivas polarizações. A constante dielétrica estática é calculada, fazendo-se uso da relação de LST, e uma análise do modo A2u(TO) com a temperatura mostra ser este um modo "soft", cuja frequêncla não chega a zero pelo fato do TiO2 não possuir transição de fase no intervalo de temperatura medido / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Contribuição magnetoelástica para as constantes elásticas do térbio monocristalinoTorikachvili, Milton Starosta 18 July 1978 (has links)
Orientador: Daltro Garcia Pinatti / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T03:28:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1978 / Resumo: Nós investigamos o comportamento das constantes elásticas de 2ª ordem do térbio monocristalino, com o estado de magnetização do material, em campos magnéticos de até 73 kOe, entre 4,2 e 300 K, intervalo que inclui 3 tipos de ordem magnética: ferromagnética ( T < 221 K ), antiferromagnética helicoidal ( 221 K< T <229 K ) e paramagnética ( T > 229 K ). As constantes elásticas foram determinadas com técnicas de ultrasom e as curvas de magnetização foram obtidas com magnetômetro de amostra vibrante, na mesma amostra. Nós, desenvolvemos um modelo para calcular a dependência das constantes elásticas com a magnetízação, em que as interações magnetoelásticas são tratadas até 2ª ordem nas deformações e a energia elástica de 3ª ordem não é desprezada. Nós aplicamos este modelo a região paramagnética e os resultados experimentais observados indicam que este tratamento é adequado. Para analisar qualitativa e quantitativamente os resultados deste modelo, nós desenvolvemos um modelo numérico em que, para evitar o tratamento com um número muito grande de constantes de acoplamento magnetoelástico. fazemos muitas aproximações. Com isso, passamos a buscar uma descrição apenas qualitativa dos resultados observados, no que somos bem sucedidos / Abstract: We have investigated the behavior of the 2nd order elastic constants of single-crystal terbium, with the state of magnetization of the material, in magnetic fields up to 73 kOe, between 4.2 and 300 K, range that includes 3 kinds of magnetic ordering: ferromagnetic , helical antiferromagnetic ( T< 221 K ) and paramagnetic (221 K < T < 229 K ) and paramagnetic ( T > 229 K ). The elastic constants were determined with ultrasonic techniques and the magnetization curves were obtained with a vibrating sample magnetometer, in the same sample. We develop a model to calculate the dependence of the elastic constants on magnetization, in which the magnetoelastic interactions are treate up to 2nd order in the strains and the 3rd order elastic energy is not neglected. We apply this model to the paramagnetic region and the observed experimental results indicate that this treatment is adequate. To analise qualitative and quantitatively the results of this model. we develop a numerical model in which, to avoid treating a very large number of magnetoelastic coupling constants, we make many aproximations. With this, we search for just a qualitative description of the observed results, in which we are successful / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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