Ce travail contribue à établir une méthode de test permettant de déterminer l'impact des radiations naturelles sur le fonctionnement de circuits intégrés de type FPGA SRAM-Based. L'étude des erreurs potentielles liées aux événements singuliers ou multiples ayant lieu dans la mémoire de configuration sera faite à l'aide d'expériences d'injection de fautes réalisées avec un équipement laser. Il s'appuie sur une présentation du contexte scientifique ainsi qu'une description de l'architecture complexe des FPGA SRAM-Based et des moyens de tests usuels. Des expériences d'injection de fautes à l'aide d'un laser sont menées sur plusieurs familles de composants afin de réaliser des tests statiques de la mémoire de configuration et de trouver les liens avec le fonctionnement de l'application. Elles révèlent ainsi l'organisation et la sensibilité des cellules SRAM de configuration. Des tests dynamiques en accélérateur de protons permettent de définir des critères de criticité des bits de configuration en fonction de leur impact sur l'application. Un outil de prédiction du taux d'erreur critique a été développé et validé à partir de cette classification.