Orientador: Annette Gorenstein / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-21T23:33:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Faria_IrvalCardosode_D.pdf: 2276363 bytes, checksum: 0c68397a9c47d813cfbe54670c47ade9 (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Neste trabalho foram estudados filmes finos de óxido de níquel depositados por sputtering reativo, variando-se alguns parâmetros durante a deposição. A microestrutura, a composição e a morfologia dos filmes foram analisadas por Difração de Raios-X, Retroespalhamento de Rutherford e Microscopia de Fôrça Atômica, respectivamente. Todos os filmes apresentaram a fase cúbica do NiO, com parâmetros de rede, tamanhos de grão, planos preferenciais de crescimento, rugosidade e porosidade que dependem dos parâmetros de deposição. A relação de concentrações metal ligante ([Ni]/[O]) indicou a presença de vacâncias metálicas na rede cristalina. Além disto, as análises indicaram uma concentração importante de hidrogênio nos filmes, que comparece como um dopante não-intencional. As características ópticas dos filmes as grown foram estudadas por espectrofotometria, e são também apresentadas e discutidas. O comportamento das amostras frente à intercalação eletroquímica foi estudado em meio aquoso básico, acompanhando-se as variações de transmitância (efeito eletrocrômico) e as tensões mecânicas envolvidas no processo de inserção/de-inserção reversível de íons/elétrons na rede cristalina. Um modelo para o eletrocromismo em óxido de níquel é proposto. Finalmente, a técnica de eletrogravimetria foi utilizada para esclarecer o mecanismo da reação de intercalação / Abstract: In this work, nickel oxide thin films deposited by reactive sputtering under different deposition conditions were investigated. The microstructure, composition and morphology were studied by X-Ray Diffraction, Rutherford Backscattering Spectrometry and Atomiv Force Microscopy, respectively. All samples presented the cubic NiO structure. The lattice parameter, grain size, preferential growth direction, roughness and porosity are dependent on the deposition consditions. The metal-ligant concentration ratio ([Ni]/[O]) indicated the presence of metal vacancies in the films. Also, the analysis indicated an important hydrogen concentration in the films, that behaves as a non-intentional dopant. The thin film optical properties were analyzed by spectrophotometry, and are also presented and discussed in this work. The behavior of the samples upon intercalation were studied in basic aqueous electrolyte. The transmittance changes and the induced mechanical stresses were followed during the reversible insertion/extration of ions/electrons in the oxide structure. A model for the electrochromic effect in nickel oxide films is presented. Finally, the electrogravimetric technique was used to clarify the intercalation reaction mechanism / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Dario Antonio Donatti / Banca: Fábio Simões de Vicente / Banca: Agnaldo Aparecido Freschi / Resumo: A técnica sol-gel tem sido largamente utilizada na preparação de géis vítreos, filmes finos, fibras e partículas através de reações de hidrólise e policondensação de metais alcoóxidos. A grande variedade de alcoóxidos metálicos tem facilitado o processo de materiais com novas composições e propriedades como os Materiais Híbridos Orgânicos-Inorgânicos (OIHM), com potencial para muitas aplicações científicas e tecnológicas. Esses híbridos combinam as vantagens do processo sol-gel com as características específicas dos polímeros orgânicos, permitindo a fácil fabricação de filmes finos sem fraturas ou trincas e de alta qualidade óptica. Metais de transição têm sido utilizados como agentes fotocrômicos em OIHM, pois quando expostos à luz visível ou ultravioleta, seu espectro de absorção sofre mudanças (ex.: fotoescurecimento). Isto ocorre devido às mudanças no estado de oxidação, atribuídas às transições eletrônicas nos subníveis d, pois no momento em que a luz é absorvida, um elétron, que estava no estado de baixa energia, salta para um estado de mais alta energia, podendo escurecer o filme. Neste trabalho dedicou-se à preparação e caracterização óptica de filmes OIHM com utilização da técnica sol-gel e dopados com Molibdênio. Como precursores da matriz orgânica-inorgânica utilizamos o 3-Glicidoxipropil-trimetoxisilano (GPTS) e o Tetraetilortosilicato (TEOS) (como matriz orgânica-inorgânica) e o Ácido Molíbdico (AcMo) como dopante. As amostras foram preparadas na forma de filmes finos, sendo depositados em lâminas microscópicas pela técnica "dip-coating" e os espectros de absorção UV-Vis-IR foram obtidos na região de 300 a 1000 nm após exposição do filme por 5 min a 5,0 cm de uma lâmpada comercial UV (15 W). Esse... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: The sol-gel technique is being widely used for the preparation of glass gels, thin films, fibers and particles from the reactions of hydrolysis and polycondensation of metal alkoxides. The great variety of functionalized alkoxides has facilitated the processing of materials with new compositions and properties, such as Organic-Inorganic Hybrids Materials (OIHM), with potential for several scientific and technological applications. These hybrids combine the advantages of sol-gel process with specifics characteristics of organic polymers, allowing easier processing of thin films without fractures or cracks and high optical quality. Transition metals have been used as photochromic agent in OIHM, because when exposed to light their absorption spectrum changes (ex. photodarkening). This occurs due to changes in the oxidation state, attributed to electronic transitions in the d subshell. When light is absorbed, an electron is raised from a lower state to a higher state, giving the rise to color.Our work is dedicated to the preparation and optical characterization of OIHM films doped with Molybdenum, prepared by sol-gel using 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane (GPTS), Tetraethylorthosilicate (TEOS) as organic-inorganic matrix, and Molybdic acid as dopant. The samples are prepared in the form of thin films deposited on microscope slides by dip-coating technique. The films showed intense photochromic effect (photodarkening) when illuminated by a UV irradiation, and a reversible effect was rising when the films were heated (photobleaching). The films were placed at a distance of 5,0 cm from a commercial UV lamp (15 W). The UV-VIS-IR optical absorption spectrum was measured from 300 to 1000 nm each 5 minutes. The photodarkening causes the rising of an absorption band in the 550-900 nm region and this band increases with UV exposition achieving... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Orientador: Maria Aparecida Zaghete / Banca: Carlos de Oliveria Paiva-Santos / Banca: Sidney José Lima Ribeiro / Banca: Ducinei Garcia / Banca: Antonio Carlos Hernandes / Resumo: Nos últimos anos, filmes finos dos óxidos ferroelétricos de camadas de bismuto, também conhecidos como compostos pertencentes à família do Aurivillius, têm sido extensivamente estudados para aplicações em memórias ferroelétricas de acesso aleatório (FERAM). No entanto, muito pouco se sabe a respeito da preparação e propriedades dielétricas de filmes de BaBi2Ta2O9 (BBT) e BaBi2Nb2O9 (BBN), bem como a respeito da estrutura do BBT. Por isso, numa primeira etapa deste trabalho, pós de BBT foram preparados pelo método Pechini, para a determinação da estrutura. A formação de fases foi acompanhada por DRX. O pó calcinado a 800 oC por 2 horas e sinterizado a 850 oC por 4 horas apresentou 100% da fase BBT. A estrutura do BBT foi determinada pelo Método de Rietveld. Verificou-se que o BBT tem estrutura tetragonal com grupo espacial I4/mm, os cátions Ba e Bi compartilham ambos os sítios 2b e 4e. A fórmula (Ba0,70Bi0,30)(Bi1,64Ba0,36)Ta2O9 pode ser usada para escrever sua fórmula unitária. Numa segunda etapa, filmes finos de BBT e BBN foram preparados pelo método químico de Pechini. As soluções foram depositadas por "spin-coanting" em substratos de Pt/TiO2/SiO2/Si e rotacionados a 3000 rpm durante 30 segundos. Após a deposição os filmes foram tratados termicamente entre 600 e 800 oC sob atmosfera de oxigênio. Os filmes foram analisados por DRX, MEV, MFA, MET e propriedades elétricas. Os filmes preparados por este processamento apresentaram microestrutura heterogênea e piores propriedades dielétricas. Visando controlar a microestrutura e obter melhores propriedades dielétricas, foram feitas algumas modificações no processamento, tais como, adição de excesso de bismuto e adição de uma camada intermediária de tungstênio entre as camadas dos filmes de BBT ou BBN. Tanto a adição de excesso de bismuto como a utilização do dopante tungstênio...(Resumo Completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: In recent years the layered-structure perovskites, also known as Aurivillius compounds have attracted considerable attention for use in ferroelectric random access memories (FeRAM). However, there is little information available about the preparation and dielectric properties of BaBi2Ta2O9 (BBT) and BaBi2Nb2O9 (BBN) thin films, as well as, about the structure of BBT. Therefore, firstly BBT powders were prepared by Pechini method and the phase formation was verified by XRD. The powder calcined at 800 oC / 2 hours and sintered at 850 oC / 4h showed 100% of BBT phase. The structure of BBT was determined by the Rietveld method. BBT shows tetragonal structure (I4/mmm), and Ba and Bi share both the 2b and 4e sites. The (Ba0,70Bi0,30)(Bi1,64Ba0,36)Ta2O9 can be used to describe its unit formula. Secondly, thin films of BBT and BBN were prepared by Pechini method. They were deposited by spin coating over Pt/TiO2/SiO2/Si substrates followed by annealing under oxygen flux at different temperature. The thin films were analyzed by XRD, SEM, AFM, TEM and electric properties. The thin films showed heterogeneous microstructure and worst dielectric properties. Aiming to control the microstructure, it was done some modification during the process of preparation of BBT and BBN thin films. The use of Bi excess as well as the use of W6+ as dopant was favorable to control the microstructure and to obtain better dielectric properties. The best values to dielectric constant and dissipation factor were obtained for BBT thin films with addition of 5 wt% Bi excess heat annealed at 750 oC for 1 hour and BBN thin films with addition of 2 wt% Bi excess heat annealed at 700 oC for 1 hour The typical measured small signal dielectric constant and dissipation factor at 100 kHz were 210 and 0,025 for BBT and 356 and 0,023 for BBN, respectively...(Complete abstract click electronic access below) / Doutor

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:25:31Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2012-04-26Bitstream added on 2014-06-13T20:53:29Z : No. of bitstreams: 1 rocha_fsp_me_rcla.pdf: 742158 bytes, checksum: 52168444834f5e8d655665167988fed0 (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / A técnica sol-gel tem sido largamente utilizada na preparação de géis vítreos, filmes finos, fibras e partículas através de reações de hidrólise e policondensação de metais alcoóxidos. A grande variedade de alcoóxidos metálicos tem facilitado o processo de materiais com novas composições e propriedades como os Materiais Híbridos Orgânicos-Inorgânicos (OIHM), com potencial para muitas aplicações científicas e tecnológicas. Esses híbridos combinam as vantagens do processo sol-gel com as características específicas dos polímeros orgânicos, permitindo a fácil fabricação de filmes finos sem fraturas ou trincas e de alta qualidade óptica. Metais de transição têm sido utilizados como agentes fotocrômicos em OIHM, pois quando expostos à luz visível ou ultravioleta, seu espectro de absorção sofre mudanças (ex.: fotoescurecimento). Isto ocorre devido às mudanças no estado de oxidação, atribuídas às transições eletrônicas nos subníveis d, pois no momento em que a luz é absorvida, um elétron, que estava no estado de baixa energia, salta para um estado de mais alta energia, podendo escurecer o filme. Neste trabalho dedicou-se à preparação e caracterização óptica de filmes OIHM com utilização da técnica sol-gel e dopados com Molibdênio. Como precursores da matriz orgânica-inorgânica utilizamos o 3-Glicidoxipropil-trimetoxisilano (GPTS) e o Tetraetilortosilicato (TEOS) (como matriz orgânica-inorgânica) e o Ácido Molíbdico (AcMo) como dopante. As amostras foram preparadas na forma de filmes finos, sendo depositados em lâminas microscópicas pela técnica “dip-coating” e os espectros de absorção UV-Vis-IR foram obtidos na região de 300 a 1000 nm após exposição do filme por 5 min a 5,0 cm de uma lâmpada comercial UV (15 W). Esse... / The sol-gel technique is being widely used for the preparation of glass gels, thin films, fibers and particles from the reactions of hydrolysis and polycondensation of metal alkoxides. The great variety of functionalized alkoxides has facilitated the processing of materials with new compositions and properties, such as Organic-Inorganic Hybrids Materials (OIHM), with potential for several scientific and technological applications. These hybrids combine the advantages of sol-gel process with specifics characteristics of organic polymers, allowing easier processing of thin films without fractures or cracks and high optical quality. Transition metals have been used as photochromic agent in OIHM, because when exposed to light their absorption spectrum changes (ex. photodarkening). This occurs due to changes in the oxidation state, attributed to electronic transitions in the d subshell. When light is absorbed, an electron is raised from a lower state to a higher state, giving the rise to color.Our work is dedicated to the preparation and optical characterization of OIHM films doped with Molybdenum, prepared by sol-gel using 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane (GPTS), Tetraethylorthosilicate (TEOS) as organic-inorganic matrix, and Molybdic acid as dopant. The samples are prepared in the form of thin films deposited on microscope slides by dip-coating technique. The films showed intense photochromic effect (photodarkening) when illuminated by a UV irradiation, and a reversible effect was rising when the films were heated (photobleaching). The films were placed at a distance of 5,0 cm from a commercial UV lamp (15 W). The UV-VIS-IR optical absorption spectrum was measured from 300 to 1000 nm each 5 minutes. The photodarkening causes the rising of an absorption band in the 550-900 nm region and this band increases with UV exposition achieving... (Complete abstract click electronic access below)

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:35:05Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2001Bitstream added on 2014-06-13T21:07:11Z : No. of bitstreams: 1 mazon_t_dr_araiq.pdf: 3325805 bytes, checksum: 1e16f8675a27d9c718c1eacce9a6a467 (MD5) / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / Nos últimos anos, filmes finos dos óxidos ferroelétricos de camadas de bismuto, também conhecidos como compostos pertencentes à família do Aurivillius, têm sido extensivamente estudados para aplicações em memórias ferroelétricas de acesso aleatório (FERAM). No entanto, muito pouco se sabe a respeito da preparação e propriedades dielétricas de filmes de BaBi2Ta2O9 (BBT) e BaBi2Nb2O9 (BBN), bem como a respeito da estrutura do BBT. Por isso, numa primeira etapa deste trabalho, pós de BBT foram preparados pelo método Pechini, para a determinação da estrutura. A formação de fases foi acompanhada por DRX. O pó calcinado a 800 oC por 2 horas e sinterizado a 850 oC por 4 horas apresentou 100% da fase BBT. A estrutura do BBT foi determinada pelo Método de Rietveld. Verificou-se que o BBT tem estrutura tetragonal com grupo espacial I4/mm, os cátions Ba e Bi compartilham ambos os sítios 2b e 4e. A fórmula (Ba0,70Bi0,30)(Bi1,64Ba0,36)Ta2O9 pode ser usada para escrever sua fórmula unitária. Numa segunda etapa, filmes finos de BBT e BBN foram preparados pelo método químico de Pechini. As soluções foram depositadas por “spin-coanting” em substratos de Pt/TiO2/SiO2/Si e rotacionados a 3000 rpm durante 30 segundos. Após a deposição os filmes foram tratados termicamente entre 600 e 800 oC sob atmosfera de oxigênio. Os filmes foram analisados por DRX, MEV, MFA, MET e propriedades elétricas. Os filmes preparados por este processamento apresentaram microestrutura heterogênea e piores propriedades dielétricas. Visando controlar a microestrutura e obter melhores propriedades dielétricas, foram feitas algumas modificações no processamento, tais como, adição de excesso de bismuto e adição de uma camada intermediária de tungstênio entre as camadas dos filmes de BBT ou BBN. Tanto a adição de excesso de bismuto como a utilização do dopante tungstênio... / In recent years the layered-structure perovskites, also known as Aurivillius compounds have attracted considerable attention for use in ferroelectric random access memories (FeRAM). However, there is little information available about the preparation and dielectric properties of BaBi2Ta2O9 (BBT) and BaBi2Nb2O9 (BBN) thin films, as well as, about the structure of BBT. Therefore, firstly BBT powders were prepared by Pechini method and the phase formation was verified by XRD. The powder calcined at 800 oC / 2 hours and sintered at 850 oC / 4h showed 100% of BBT phase. The structure of BBT was determined by the Rietveld method. BBT shows tetragonal structure (I4/mmm), and Ba and Bi share both the 2b and 4e sites. The (Ba0,70Bi0,30)(Bi1,64Ba0,36)Ta2O9 can be used to describe its unit formula. Secondly, thin films of BBT and BBN were prepared by Pechini method. They were deposited by spin coating over Pt/TiO2/SiO2/Si substrates followed by annealing under oxygen flux at different temperature. The thin films were analyzed by XRD, SEM, AFM, TEM and electric properties. The thin films showed heterogeneous microstructure and worst dielectric properties. Aiming to control the microstructure, it was done some modification during the process of preparation of BBT and BBN thin films. The use of Bi excess as well as the use of W6+ as dopant was favorable to control the microstructure and to obtain better dielectric properties. The best values to dielectric constant and dissipation factor were obtained for BBT thin films with addition of 5 wt% Bi excess heat annealed at 750 oC for 1 hour and BBN thin films with addition of 2 wt% Bi excess heat annealed at 700 oC for 1 hour The typical measured small signal dielectric constant and dissipation factor at 100 kHz were 210 and 0,025 for BBT and 356 and 0,023 for BBN, respectively...(Complete abstract click electronic access below)

Orientador: José Roberto Ribeiro Bortoleto / Banca: Rogério Pinto Mota / Banca: Tiago Fiorini da Silva / O Programa de Pós Graduaação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi / Resumo: Neste trabalho foram investigadas as propriedades tribológicas e mecânicas de um filme de carbono amorfo hidrogenado (a-C:H) na superfície de uma liga de aço 16MnCr5. Filmes de a-C:H foram aplicados com o objetivo de aumentar a dureza superficial e reduzir o coeficiente de atrito entre superfícies de elementos de motores. As amostras foram obtidas a partir do aço liga 16 MnCr5, através de tiras metálicas. Os sustratos foram inicialmente limpos por um processo de lichamento, lavagem e subseqüentemente por um procedimento a plasma. Os filmes foram então depositados utilizando-se plasmas de baixas temperaturas de misturas de hidrocarbonetos e gases nobres. Foi utilizada a técnica híbrida de implantação iônica e deposição por imersão em plasma (IIDIP), aplicando-se pulsos de alta tensão negativa às amostras para promover a deposição mediante à implantação iônica. Neste caso, o metano (CH4) diluído em argônio foi utilizado como mistura precursora da formação do filme. Foi investigado o efeito da ampliação dos pulsos de polarização, da proporção de metano e do tempo de implantação nas propriedades dos filmes. As espectroscopia de infravermelho e Raman foram empregadas para se avaliar a composição química e a microestrutura dos filmes. A análise dos espectros Raman associada às análises do módulo de elasticidade e coeficiente de atrito apresenta características de filmes com teores de hidrogênio em torno de 20%. A molhabilidade dos filmes foi determinada pela técnica de ângulo de contato utilizando-se água deionizada como líquido de prova. De uma forma geral, os resultados revelaram que os filmes são levemente receptivos à agua e tal fenômeno da superfície foi determinado por perfilometria e microscopia de força atômica (AFM), enquanto a morfologia superficial das superfícies foi investigada... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: This work investigated the tribological and mechanical properties produced by a film of hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) on the surface of an alloy steel 16MnCr5. The a-C:H films were applied to increase the surface hardness and reduce the coefficient of friction between surfaces of engine components. The samples were obtained from alloy steel 16 MnCr5 through metallic strips. The substrates were initially creaned in a process of sanding and washing and subsequently in a plasma processing. The films were made using low temperature plasmas of hydrocarbons and noble gas mixtures. The plasma immersion ion implantation and deposition (IDIP), was used, applying high negative voltage pulses to the samples to promote deposition by ion bombardment. Methane (CH4) dilluted in argon was used as the gas mixture for film formation. The effects of the pulse magnitude, the proportion of methane and deployment time on the properties of the films were employed to evaluate the films chemical composition and microstructure. The analysis of the Raman spectra along with the elastic modulus and coefficient of friction indicates a films with a hydrogen content of aroud 20%. The receptivity of the films to water was analyzed by contact angle (Θ) measurements which revealed a moderated affinity to water (Θ~80º) as a consequence of a low concentrations of polar groups on the film surface. The surface topography was determined by perfilometry and atomic force microscopy (AFM), while the surface morphology was investigated by scanning electron microscopy (SEM), respectively. The roughness did not vary greatly among the samples. The hardness of the samples was measured by nanoindentation, varying between 13 and 21 GPa that are characteristic of plasma deposited a-C:H. It was found that films prepared with higher proportions of methane and higher deposition times presented... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Orientador : Len Mei / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-16T11:26:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MeloJunior_AlfeuVazde_M.pdf: 3260864 bytes, checksum: a6fd63c72afeda893ca39ecfc989135c (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Neste trabalho foi desenvolvido o sistema de deposição de filmes pela técnica de "sputtering" D.C., com aplicação ao Tântalo e seus compostos. O equipamento foi projetado e construído dentro da opção de se utilizar o máximo de recursos e tecnologias nacionais. Diversos acessórios, necessários à operação do sistema, foram projetados e construídos localmente, e apresentam algumas novidades em suas concepções. O sistema foi montado e caracterizado dinamicamente, variando-se as condições de bombeamento, as pressões de operação, a tensão e corrente de deposição. e a natureza do conjunto de gases utilizado. Como aplicação ao trabalho realizado foram depositados e analisados filmes finos com.base no Tântalo, visando a obtenção de tecnologia para a realização posterior de componentes eletr6nicos. Foram obtidos filmes de Nitreto de Tântalo, em condições de repetibilidade, com resistividade de "plateau" da ordem de 250 mOcm e coeficiente de temperatura da resistividade melhor que -100 ppm °c-1, sem o uso complementar de "annealing", oxidação e envelhecimento / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Rene Brenzikofer / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T11:12:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Souza_PauloGarciade_M.pdf: 1461639 bytes, checksum: c67f6de3a596423f9dc51ecdefb3aa71 (MD5) Previous issue date: 1980 / Resumo: Neste trabalho é testada a produção de filmes finos de CdS por vaporização de uma solução aquosa contendo os íons Cd++ e S--, uma técnica recente e promissora, visando sua aplicação em fotodiodos em junções do tipo CdS/Cu2S. Paralelamente, para fins de comparação, foram crescidos monocristais e filmes finos evaporados de CdS. Os filmes de CdS produzidos por vaporização, tem coloração alaranjadas e a superfície apresenta uma camada de grãos de ordem demicron e sobre esta grãos maiores, da ordem de 100 mm. Os filmes são policristalinos com estrutura hexagonal e sem orientação preferencial, conforme determinado por difração de RX. Apresentam transição eletrônica direta com banda de energias proibidas de 2.37eV, e formam contato elétrico ôhmico com zinco. Os filmes de CuxS crescidos por troca iônica sobre o CdS, tem estrutura Djurlite, 1.96 > x > 1.86, coloração escura e formam contato ôhmico com ouro. A heterojunção formada por ambos apresenta conversão fotovoltaica, envelhecimento quando exposta ao ar e eficiência de conversão baixa / Abstract: We have tested the production of CdS thin films by vaporization of an aqueous solution containing the ions Cd++ e S--, a recent and promising technique, aiming its utilization in photovoltaic converters by means of the junction CdS/Cu2S. In parallel we have grown single crystals and evaporated thin films of CdS. The films of CdS produced by vaporization are orange colored and the surface presents a layer of small grains of the order of microns and over it larger grains of the order of 100 m m. The films are polycrystalline, with hexagonal structure, and without any prefered orientation, as tested by X Ray diffraction. They present a direct band gap in 2.37eV and ohmic contact with Zn. The cuprous sulfide CuxS grown by ionic exchange on top of the CdS have the Djurlite structure 1.96 > x > 1.86, dark color and make ohmic contact with Au. The heterojunction formed by both present the photovoltaic conversion, aging when exposed to the air, and low conversion efficiency / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : Jacobus W. Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-17T11:41:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bonfim_MarlioJ.Couto_M.pdf: 9736447 bytes, checksum: 9bc085512ccc501eb2f30e31d53220db (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: A técnica de deposição de filmes finos por CVD (Chemical Vapor Deposition) é de grande interesse atual, especialmente na mlcroeletrônica. Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um sistema RT/RPCVD (Rapid Thermal / Remote Plasma CVD) para deposição de filmes isolantes e metálicos, voltado para aplicações em microeletrônica. O sistema possui alta versatilidade, devido principalmente às características de aquecimento rápido e disponibilidade de plasma-remoto. A câmara de reação é isolada do meio ambiente através de uma antecâmara, o que torna o processo menos susceptível a contaminantes externos, bem como permite a automação da seqüência de processo, entre outras vantagens. Um estudo preliminar da deposição de Óxido de Silício foi efetuado para caracterização e validação do equipamento. Foi avaliada a dependência do processo com as variáveis temperatura, tempo, pressão, fluxo de reagentes e potência de plasma. As características dos filmes obtidos foram determinadas a partir de medidas de espessura, uniformidade, espectroscopia de Infra Vermelho, microscopia óptica e eletrônica. Taxas de deposição entre 10 nm/min e 1000 nm/min foram obtidas em determinadas condições de processo, enquanto que a uniformidade de deposição situou-se entre 2% e 5%. Á partir das análises por espectroscopia de Infra Vermelho, os filmes demonstraram estequiometria SiO1,7-1,9, e baixa incorporação de outros elementos mesmo em deposições auxiliadas por plasma / Abstract: Thin film deposition by means of Chemical Vapor Deposition (CVD) has been of a great interest, specially in microelectronics. This work shows the development of a RT/RPCVD (Rapid Thermal / Remote Plasma CVD) systems for thin film deposition of dielectrics and metais, for use on microelectronics appliations. It is a very fIexible system because of its capabilities of Remote Plasma and Rapid Thermal Processing. It's reaction chamber is isolated from environment through a load-Iock, making the process less susceptible to external contaminants and allowing automated loading, and other advantages. A preliminary study of Silicon Dioxide deposition was used to characterize and validate the system. The process dependency with temperature, time, pressure, fIow of reactants and plasma uniformity measurements, Infra power was evaluated. Film thickness and Red spectroscopy, optical and electronics microscopy were performed to characterize the films. Deposition rates between 10 nm/min and 1000 nm/min were achieved in selected process conditions, while the uniformity of the film was from 2% to 5%. Film stoiquiometry was Si 1,7-1,9 with low incorporation of strange elements, even under plasma assisted depositions / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Maria Cristina Cunha Bezerra / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Matematica, Estatistica e Ciencia da Computação / Made available in DSpace on 2018-07-20T04:25:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Wolupeck_Anderson_M.pdf: 951055 bytes, checksum: caf123f93a4c270db749a4bc839f1e84 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Não informado. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Matemática Aplicada