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Preparação e caracterização de filmes finos de CdS para aplicações fotovoltaicas

Orientador: Rene Brenzikofer / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T11:12:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1980 / Resumo: Neste trabalho é testada a produção de filmes finos de CdS por vaporização de uma solução aquosa contendo os íons Cd++ e S--, uma técnica recente e promissora, visando sua aplicação em fotodiodos em junções do tipo CdS/Cu2S.
Paralelamente, para fins de comparação, foram crescidos monocristais e filmes finos evaporados de CdS.
Os filmes de CdS produzidos por vaporização, tem coloração alaranjadas e a superfície apresenta uma camada de grãos de ordem demicron e sobre esta grãos maiores, da ordem de 100 mm. Os filmes são policristalinos com estrutura hexagonal e sem orientação preferencial, conforme determinado por difração de RX. Apresentam transição eletrônica direta com banda de energias proibidas de 2.37eV, e formam contato elétrico ôhmico com zinco.
Os filmes de CuxS crescidos por troca iônica sobre o CdS, tem estrutura Djurlite, 1.96 > x > 1.86, coloração escura e formam contato ôhmico com ouro.
A heterojunção formada por ambos apresenta conversão fotovoltaica, envelhecimento quando exposta ao ar e eficiência de conversão baixa / Abstract: We have tested the production of CdS thin films by vaporization of an aqueous solution containing the ions Cd++ e S--, a recent and promising technique, aiming its utilization in photovoltaic converters by means of the junction CdS/Cu2S.
In parallel we have grown single crystals and evaporated thin films of CdS.
The films of CdS produced by vaporization are orange colored and the surface presents a layer of small grains of the order of microns and over it larger grains of the order of 100 m m.
The films are polycrystalline, with hexagonal structure, and without any prefered orientation, as tested by X Ray diffraction.
They present a direct band gap in 2.37eV and ohmic contact with Zn.
The cuprous sulfide CuxS grown by ionic exchange on top of the CdS have the Djurlite structure 1.96 > x > 1.86, dark color and make ohmic contact with Au.
The heterojunction formed by both present the photovoltaic conversion, aging when exposed to the air, and low conversion efficiency / Mestrado / Física / Mestre em Física

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/277023
Date23 July 1980
CreatorsSouza, Paulo Garcia de
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Brenzikofer, René, 1945-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format68f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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