Dans une chaîne de protection CEM, on distingue parmi les principaux constituants les connecteurs qui ont pour fonction la transition des signaux entre deux circuits électroniques. Ces signaux doivent parvenir aux composants électroniques intérieurs aux équipements sans dégradation. Suivant la protection recherchée, certains connecteurs doivent être munis d’une enveloppe métallique encore appelée « blindage ». Le blindage permet d’atténuer le rayonnement parasite des signaux et de les protéger des perturbations électromagnétiques extérieures. Parmi ces connecteurs, on distingue la gamme destinée à un usage sur circuit imprimé pour relier une carte électronique à une deuxième carte ou à un câble. Le blindage des connecteurs présente parfois des imperfections telles que les ouvertures et les fentes ou encore des contacts électriques non uniformes, imposées par des contraintes de conception mécanique et de production industrielle ; ces caractéristiques engendrent des fuites et consécutivement un rayonnement électromagnétique local et lointain perceptible dans l’environnement immédiat du connecteur. Ce phénomène s’accompagne également d’un couplage sur les autres composants voisins. La thèse consiste en la compréhension de ces phénomènes physiques en procédant à des mesures et à des simulations des fuites électromagnétiques issues des connecteurs blindés. Pour cela, nous avons analysé séparément chaque source de fuite électromagnétique par la réalisation d’éprouvettes s’approchant le mieux possible de connecteurs réels. Les mécanismes de couplages électromagnétiques sont alors identifiés et leur influence relative évaluée. Les concepts théoriques défendus dans la thèse ainsi que les résultats issus de simulations numériques sont systématiquement validé par des mesures. Pour conclure, une étude de cas a été pratiquée sur un connecteur réel, le HDMI. Cette phase ultime de notre thèse a montré que le transfert de cette étude était parfaitement validé en permettant au partenaire industriel d’envisager l’optimisation du design géométrique de connecteur en fonction des critères de compatibilité électromagnétique. / From the EMC point of view, connectors travelling various electrical signals between electronic circuits may collect electromagnetic disturbances or may be a source of unintentional RF emission. The aim of this work is to characterize shielding efficiency of the connector in terms of leakages occurring at shell level. We can distinguish two kinds of leakages, the one due to small apertures and other produced by non uniform contact of the shell assembly. To characterize these phenomena, two types of devices will be constructed to perform electromagnetic test in laboratory and compare the data with predictive model obtained with the analytical computation and electromagnetic code respectively. Construction of the devices are as possible similar to a realistic connector. From the computation of the small aperture polarizability, we deduce the equivalent magnetic dipole and compare the computation of near field and far field radiation with measurement performed in near field bench test and reverberation chamber respectively. According to the good agreement between theory and experiment, the computation will be extended with an electromagnetic code in order to take into account the effects of fine geometrical details. A similar way will be used to characterize the leakage of the magnetic field due to non uniform contact on the shell surface. We can notice that the data collected along the experiment are also compared with the concept of transfer impedance. To conclude the work, the shell shape of a HDMI connector will be optimized in order to reduce the unintentional radiation.

La MRAM est une technologie de mémoire non-volatile émergente, elle a la particularité de stocker les données sous forme d’orientations de moments magnétiques. Ses performances sont intéressantes et surpassent les technologies actuelles sur plusieurs aspects. Crocus Technology développe une nouvelle génération de MRAM, les TAS-MRAM (pour ThermallyAssistedSwitching MRAM). Ces MRAM ont la particularité d’effectuer les opérations d’écritures à hautes températures, améliorant ainsi la consommation électrique et facilitant sa réduction d’échelle. Les TAS-MRAM sont développées pour des applications sécuritaires ou critiques, cependant la technologie MRAM utilise des principes physiques liés aux interactions magnétiques qui sont relativement peu étudiés en termes de sécurité du composant.L’objet du travail de cette thèse est d’évaluer les potentielles faiblesses de sécurité pour cette technologie. En particulier la capacité des MRAM à garantir l’intégrité et la confidentialité des informations qui sont stockées a été étudiée. Ce travail est divisé en deux parties, une première partie est consacrée à l’analyse de la résistance des MRAM aux attaques physiques avec un focus tout particulier sur l’étude des effets des champs magnétiques sur l’écriture, la lecture et la rétention des données ainsi que les différentes solutions envisagées pour réduire ces effets. Une étude des effets de la température a également été réalisée. L’autre partie du travail porte sur l’étude des émissions électromagnétiques et l’analyse de plusieurs méthodes pour retrouver le poids de Hamming des données manipulées par la mémoire et de ce fait en extraire de potentiels secrets ou données sensibles. / MRAM (magnetoresistive RAM) is an emergent non-volatile memory technology; it has the particularity to store data in magnetic moments orientations. It has very interesting characteristics that overwhelm mature technologies on several points. Crocus Technology is developing a new MRAM technology called TAS-MRAM (for Thermally Assisted Switching). During write operations, this new MRAM technology uses a current to heat the memory cell. This reduces the power consumption and makes scalability easier. TAS-MRAM are developed for secure or critical applications but this technology relies on spintronic, a field of physics not much studied for electronics security.This work aims to evaluate potential security weaknesses of this technology. More specifically the memory capacity to guarantee data confidentiality was studied. This work was divided in two parts; one part is dedicated to the analysis of MRAM resistance against physical perturbations, with a special focus on magnetic fields (both static and pulsed) effects on read and write operations as well as their effects on data retention. Various methods to reduce these effects were tested and compared. The effect of high temperature was also studied.The second part focuses on the analysis of electromagnetic emissions of the MRAM components during its operations. Methods to retrieve the Hamming weight of data written in the memory are exposed and compared.