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Propriétés électroniques des semiconducteurs magnétiques dilués: Ga<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>N, Ga<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>As, Ge<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>Titov, Andrey 07 December 2006 (has links) (PDF)
Les propriétés électroniques de (Ga,Mn)N ont été étudiées par spectroscopie d'absorption des rayons X au seuil K du Mn. Des calculs ab-initio ont été utilisés pour interpréter les spectres d'absorption de (Ga,Mn)N. Deux pré-pics sont présents dans le seuil du Mn: le premier pré-pic est attribué aux transitions électronique vers les états 3d du Mn de spin up, tandis que le second pré-pic correspond aux transitions vers les états 3d du Mn de spin down. Cette interprétation nous permet de déterminer que l'état électronique du Mn dans (Ga,Mn)N est Mn<sup>3+</sup>: deux pré-pics sont présents dans les spectres d'absorption du Mn<sup>3+</sup> et un seul pré-pic reste dans les spectres du Mn<sup>2+</sup>. Ce changement des spectres a été vérifié expérimentalement sur des échantillons de (Zn,Mn<sup>2+</sup>)Te et (Ga,Mn<sup>2+</sup>)As. De plus, cette interprétation permet d'étudier la distribution du Mn dans (Ga,Mn)N: la forme des spectres d'absorption suggère que la distribution du Mn est homogène dans nos échantillons de (Ga,Mn)N.
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