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Tunelamento ressonante de buraco em heteroestruturas semicondutoras de duplas barreiras submetidas a pressões externo

Cunha, Salomé Fontão 29 July 2005 (has links)
Made available in DSpace on 2015-04-22T22:07:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SALOME_ FONTAO_CUNHA.pdf: 1002004 bytes, checksum: d7451d75aca7e8b7ef22bdbdd99db48c (MD5) Previous issue date: 2005-07-29 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Estudamos o transporte de buracos em dupla barreira ressonante submetida a stress uniaxial, usando a técnica da matriz de espalhamento na aproximação de massa efetiva do modelo de Luttinger-Kohn-Pikus. A transmissividade é calculada para k = 0 e k ≠ 0 para o sistema GaAs /AlAs para os esforços de compressão (T < 0) e tração (T > 0). Para k = 0, os buracos leves e pesados são desacoplados e observa-se um deslocamento rígido nas curvas de transmissividades e inversão do estado fundamental, HH1 LH1 para o esforço de tração. No caso k ≠ 0, além da mistura das bandas que aumenta a probabilidade de transmissão, o stress muda o caráter das partícula HH LH, a separação relativa entre os estados HH e LH no poço quântico, e indiretamente, influência na mistura dos estados de valência, aumentando ou diminuindo as transmissividades dos buracos dependendo do tipo de esforço aplicado.

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