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Lasers semicondutores sob injeção ótica ortogonalmente polarizada

Oliveira, Abinael de brito 28 August 2014 (has links)
Submitted by Maike Costa (maiksebas@gmail.com) on 2016-03-16T11:48:24Z No. of bitstreams: 1 arquivototal.pdf: 3030423 bytes, checksum: 121b1c06c249f60685f65714d1f26c0e (MD5) / Made available in DSpace on 2016-03-16T11:48:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 arquivototal.pdf: 3030423 bytes, checksum: 121b1c06c249f60685f65714d1f26c0e (MD5) Previous issue date: 2014-08-28 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / Here we present a systematic analysis of the dynamics in the frequency of semiconductor lasers in systems under orthogonal optical feedback or external injection, with and without frequency discriminator. We measure the parameter of proportionality between the change of frequency and the power level of the orthogonally polarized light injected into the cavity. We perform an application of this injection technique for frequency sweep that allows varying the frequency in a range of tens of GHz and apply it in an experience of spectroscopy. This technique allows frequency sweep without changing the main laser power, which is fed by another, control laser, whose wavelength is di erent from the principal. We have analyzed the dynamics of the semiconductor laser frequency subject to orthogonal optical feedback and injection in a con guration where a di raction grating works as a spectral lter. Using a di raction grating as frequency discriminator in these systems, we observe a dynamical behavior in the laser emission frequency. / Apresentamos neste trabalho uma an alise sistem atica em rela c~ao a din^amica em frequ^encia de lasers semicondutores em sistemas sob realimenta c~ao e inje c~ao otica ortogonal com e sem discriminador de frequ^encia. Medimos o par^ametro de proporcionalidade entre o deslocamento em frequ^encia e a varia c~ao da pot^encia injetada ortogonalmente na cavidade. Montamos alguns sistemas com a nalidade de varrer a frequ^encia de emiss~ao de um laser semicondutor, explorando con gura c~oes sob inje c~ao otica ortogonal. Entre elas, zemos uma aplica c~ao de uma t ecnica que permite obter uma varia c~ao de dezenas GHz em uma experi^encia de espectroscopia, sem variar a pot^encia de sa da do laser principal o qual e alimentado por outro laser de controle com comprimento de onda diferente do principal. Analisamos a dinamica em frequencia do laser semicondutor sujeito a realimenta cao e inje cao otica ortogonal com uma grade de difra cao empregada como ltro espectral. Usando uma grade de difra cao como discriminador de frequencia nesses sistemas, observamos um comportamento semelhante a uma oscila cao na frequencia.

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