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Výzkum interkalačních vlastností elektrodových materiálů založených na přírodním grafitu / Study of intercalation properties of electrode materials based on naturla graphite

Bílek, Lukáš January 2020 (has links)
This diploma thesis deals with the issue of lithium-ion accumulators. The thesis focuses on the negative electrode of lithium-ion accumulators made of natural graphite. The first part of this thesis points to the issue of electrochemical cells. In the theoretical part the thesis deals with the SEI layer, advantages, disadvantages, characteristics, operating principle and the use of lithium-ion accumulators. The practical part focuses on the electrochemical properties of negative electrode, especially the determination of the diffusion coefficient. Thesis also deals with electrochemical impedance spectroscopy (EIS) and its use in determining the equivalent replacement circuit and calculating the diffusion coefficient.
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Etude théorique de la diffusion de l’oxygène dans des oxydes diélectriques / Theoretical study of oxygen diffusion in gate oxides

Lontsi Fomena, Mireille 11 December 2008 (has links)
La miniaturisation des composants CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) impose l’emploi de matériaux diélectriques de permittivité élevée. LaAlO3 et SrTiO3 sont aujourd’hui parmi les meilleurs candidats ; toutefois, la diffusion de l’oxygène dans ces matériaux conduit à la dégradation des propriétés électriques et de l’interface avec le silicium. Ce travail théorique a pour but d’étudier les facteurs gouvernant, à l’échelle de la liaison chimique, la diffusion de l’ion oxygène. L’approche choisie repose sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), couplée à des méthodes d’analyse de la densité électronique, et sur le développement d’un outil original : les cartes de densité d’énergie. Les régions de la densité électronique contribuant à la barrière de diffusion ont ainsi pu être identifiées; une optimisation de ces matériaux à l’échelle de la liaison chimique peut alors être envisagée. / The miniaturization of CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) components requires the use of high dielectric permittivity materials as gate oxide. LaAlO3 and SrTiO3 are among the best candidates, but the oxygen diffusion in these materials leads to the degradation of both the electrical properties and the interface with silicon. In this context, the aim of this theoretical work is to study the factors governing the oxygen ion diffusion at the chemical bonding scale. This approach is based on Density Functional Theory (DFT), coupled with electron density analysis methods, and the pioneering development of energy density cards. The regions of the electron density contributing to the diffusion barrier have been identified allowing new routes of optimization of these materials across the chemical bonding.

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