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Comportement dynamique de circuits Josephson.

Migny, Philippe, January 1900 (has links)
Th. doct.-ing.--Mét.--Grenoble--I.N.P., 1982. N°: DI 249.
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Suivi de la fonctionnalité des jonctions communicantes par la technique de gap-FRAP sur des modèles in vitro (2-D, 3-D) et ex vivo intérêt pour le diagnostic du cancer /

Abbaci, Muriel Guillemin, François Barberi-Heyob, Muriel. January 2008 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : Ingénierie Cellulaire et Tissulaire : Nancy 1 : 2008. / Titre provenant de l'écran-titre.
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Existence de solutions périodiques de l'équation de Josephson

Virgilio, Michel. January 2002 (has links)
Thèses (M.Sc.)--Université de Sherbrooke (Canada), 2002. / Titre de l'écran-titre (visionné le 20 juin 2006). Publié aussi en version papier.
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Présence des jonctions de type gap dans les cellules endothéliales et les cellules du muscle lisse vasculaire humaines et leur contribution à la modulation du calcium intracellulaire

Hassan, Ghada Shawki. January 2001 (has links)
Thèses (Ph.D.)--Université de Sherbrooke (Canada), 2001. / Titre de l'écran-titre (visionné le 20 juin 2006). Publié aussi en version papier.
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Rôle des interactions cellules de gliomes-cellules hôte de type glial du parenchyme cérébral au cours de l'invasion tumorale

Oliveira, Roxane Peschanski, Marc January 2007 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : Neurosciences : Paris 12 : 2005. / Version électronique uniquement consultable au sein de l'Université Paris 12 (Intranet). Titre provenant de la version papier. Bibliogr. : 356 réf.
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Implications de Cx43 dans les tumeurs gliales humaines approches in situ et in vitro /

Crespin, Sophie Mesnil, Marc January 2008 (has links) (PDF)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Biologie, médecine, santé, spécialité Physiologie : Poitiers : 2008. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 321 réf.
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Rôle du facteur de transcription Gata4 dans le maintien de la barrière épithale intestinale

Lepage, David January 2013 (has links)
Au niveau intestinal, le facteur de transcription Gata4 est exprimé dans les cellules épithéliales de la partie proximale de l’intestin grêle. Ce facteur est un régulateur de plusieurs gènes tel celui encodant la sucrase isomaltase. Quelques études ont aussi suggéré que ce facteur est impliqué dans le contrôle de l’expression de molécules de jonction, favorisant ainsi la polarisation des cellules épithéliales en culture. Dans notre laboratoire, des résultats tendent à démontrer que Gata4 est impliqué dans la réponse inflammatoire des cellules épithéliales en régulant, avec ses cofacteurs Cdx2 et Fog1, l’expression génique du peptide antimicrobien Pap1. In vivo, l’invalidation de Gata4 a montré que ce facteur de transcription est impliqué dans le maintien de l’identité et des fonctions du jéjunum par rapport à l’iléon. Cependant, aucune étude ne s’est intéressée à la régulation des molécules de jonction dans ce contexte. La présente étude a pour but de compléter l’étude de la régulation du gène Pap1 par Gata4 et d’étudier le rôle de Gata4 dans le contrôle de l’expression des molécules de jonction chez la souris. Nos résultats confirment le rôle du facteur de transcription Gata4 et de son corépresseur Fog1 dans le contrôle de l’expression de Pap1. La méthode d’interférence à l’ARN dirigée contre Fog1 a permis d’induire spontanément l’expression de Pap1 dans la lignée IEC-6/Cdx2. Chez la souris, la perte de Gata4 modifie l’expression de certaines molécules de jonction cellulaire. Des PCR quantitatifs et des immunobuvardages ont révélé que l’expression de plusieurs molécules de jonction est modulée en absence de Gata4. La Claudine 2 est la molécule de jonction dont l’expression est la plus induite autant au niveau de l’ARNm que de la protéine. Ces modifications entraînent une augmentation du passage paracellulaire du FITC-dextran fluorescent, ce qui suggère que l’épithélium est plus perméable aux macromolécules. Des infections orales par Salmonella Typhimurium ont révélé un passage accru de ces bactéries dans les animaux femelles. L’ensemble de ces travaux suggère que Gata4 est impliqué dans le contrôle de la perméabilité des jonctions intercellulaires ainsi que dans la protection des cellules épithéliales intestinales contre les bactéries.
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Composants nanométriques balistiques de la filière InGaAs/InAlAs/InP pour applications hautes fréquences / InGaAs/InAlAs/InP based-ballistic nanodevices for high frequency data processing

Gardès, Cyrille 08 February 2008 (has links)
La montée en fréquence des composants électroniques conventionnels tels que les HEMT, grâce aux règles de changement d'échelle, atteint ses limites. C'est dans ce contexte qu'il est intéressant de développer des composants d'architecture différente, comme les dispositifs balistiques, dont les dimensions sont de l'ordre du libre parcours moyen à température ambiante. Cette étude s'inscrit dans l'optimisation technologique et la caractérisation électrique de composants balistiques de la filière InGaAs/lnAlAs pseudomorphique sur substrat d'InP. Les propriétés nonlinéaires des jonctions balistiques à trois branches (TBJ) basées sur une hétérostructure optimisée ont été caractérisées en régime statique. Le fonctionnement des TBJ en redresseur de tension et en doubleur de fréquence a été étudié en hyperfréquence. Une sensibilité de redressement de 0.022mV/µW à 94 GHz en l'absence de polarisation a été obtenue sur des dispositifs à deux jonctions balistiques en parallèle. Le doublement de la fréquence dans le domaine de fonctionnement non linéaire du TBJ a été observé pour un signal sinusoïdal d'entrée à 4GHz, la tension alternative mesurée dans la branche centrale correspondant essentiellement à l'harmonique d'ordre deux à 8GHz. Enfin, des TBJ avec une grille Schottky ont été fabriqués et caractérisés en inverseurs de courant jusqu'à 400kHz. Leur fonctionnement en transistor a été mesuré en hyperfréquences. Une fréquence fT de 30GHz a été obtenue sur un composant dont la largeur de branche sous la grille est 200nm. / The increase of speed in conventional electronic devices, such as in HEMT, with down-scale rules, is reaching limitations. That is why it is interesting to develop devices with a new design such as ballistic devices which have dimensions around the electron me an free path at room temperature. The aim of this study is the technological optimisation and the electrical characterisation of InGaAs/lnAIAs pseudomorphic InP-based ballistic devices. Nonlinear properties of three-terminal ballistic junctions (TBJ) fabricated using an optimised heterostructure have been studied in DC mode. TBJ, which are operating as rectifiers and frequency multipliers, have been characterised in high frequency. A rectifying sensitivity of O.022mV/µW at 94GHz, without a DC bias, has been obtained on devices with two junctions integrated in parallel. Frequency doubling in the nonlinear domain has been shown with an applied sinusoidal signal of 4GHz. voltage measured in the output branch corresponding essentially to the second harmonie at 8GHz. Finally, TBJ with a Schottky gate have been tàbricated and their property of current inversion has been characterised up to 400kHz. Their transistor behaviour has been measured in microwaves. A current gain eut-off frequency fT of 30GHz has been obtained for a device with a branch width under the gate of 200nm.
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Modulation cholinergique de l'activité épileptiforme dans le cortex de rat et conséquences à long terme de crise précoces expérimentales dans l'hippocampe et le cortex de rat

Potier, Soizic January 2004 (has links)
Thèse numérisée par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.
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Le rôle des cytokines pro-inflammatoires dans le métabolisme de la connexine43 et leur impact sur la communication intercellulaire

Meilleur, Mélissa-Anne January 2007 (has links)
Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

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