Cette thèse porte sur l’élaboration et la caractérisation électrique et physico-chimique des grilles métalliques des dispositifs FDSOI MOSFET 14 nm à base d’oxyde high-K fabriqués chez STMicroelectronics. Ces grilles métalliques sont composées de couches de TiN, lanthane et aluminium, déposées par pulvérisation cathodique RF. Des structures de test et un schéma d’intégration simplifié permettant l’analyse capacitive ont été mis en place pour caractériser la modulation du travail de sortie effectif des grilles métalliques en TiN avec l’incorporation d'additifs tels que le lanthane ou l’aluminium. Ces additifs ont été incorporés suivant une approche de grille sacrificielle. Par ailleurs, une méthodologie inédite basée sur la fluorescence X a été proposée et validée pour la caractérisation précise en ligne de la diffusion des additifs. Cette méthodologie permet de prouver que la dose effective de l’espèce incorporée après recuit de diffusion peut être modélisée en fonction de l’épaisseur du TiN piédestal dans la grille sacrificielle ainsi que de la température de recuit. De plus, la variation de l’épaisseur de l’oxyde interfaciel sur une seule plaquette (oxyde biseau) autorise l’identification de l’origine physique de la modulation du travail de sortie effectif, qui s’explique par un dipôle qui évolue avec la dose effective de l’espèce incorporée. En conséquence, un modèle de la diffusion des dopants de grille dans l’oxyde high-K et de leur impact sur le travail de sortie effectif des grilles métalliques a été proposé afin de moduler avec précision la tension de seuil (VTH) des dispositifs FDSOI 14 nm. En outre, l’impact de l’oxyde high-K à la fois sur la diffusion des additifs et sur la modulation du travail de sortie effectif a été mis en évidence. Enfin, un procédé innovant de dépôt métallique, permettant la modification de la microstructure du TiN, a été développé afin d’améliorer davantage la variabilité locale du VTH des dispositifs FDSOI. / This Ph.D. thesis is focused on the fabrication and electrical and physicochemical characterization of metal gates in 14 nm high-K based FDSOI MOSFET devices, manufactured at STMicroelectronics. These metal gates are composed of TiN, lanthanum and aluminum layers, deposited by RF sputtering. Test structures and a simplified integration scheme allowing C-V measurements, have been implemented in order to characterize the modulation of the effective work function of TiN metal gates with the incorporation of dopants such as lanthanum or aluminum. These additives are incorporated in a sacrificial gate-first approach. Furthermore, a new methodology based on X-ray fluorescence was proposed and validated for accurate in-line characterization of the diffusion of dopants. This methodology enables to prove that the effective dose of the species incorporated into dielectrics after diffusion annealing may be modeled as a function of the thickness of the pedestal TiN in the sacrificial gate and the annealing temperature. Moreover, the variation of the thickness of the interfacial oxide along the wafer (bevel oxide) authorizes the identification of the origin of the modulation of the effective work function, which is explained by a dipole that evolves with the effective dose of the incorporated dopant. Accordingly, a model of the diffusion of dopants into the gate dielectrics and their impact on the effective work function of metal gates has been proposed to precisely modulate the threshold voltage (VTH) of the 14 nm FDSOI devices. In addition, the influence of the high-K oxide on both the diffusion of dopants and the modulation of the effective work function was highlighted. Lastly, an innovative process for metal deposition, allowing the modification of the microstructure of TiN, was developed in order to further improve the local VTH variability in FDSOI devices.

Dans cette thèse, nous nous intéressons aux méthodes de la fusion d'images multi focales. Cette technique consiste à fusionner plusieurs images capturées avec différentes distances focales de la même scène. Cela permet d'obtenir une image de meilleure qualité à partir des deux images sources. Nous proposons une méthode de fusion d'images s'appuyant sur les techniques des pyramides Laplaciennes en utilisant comme règle de sélection les transformées d'ondelettes discretes(DWT: Discrete Wavelet Transform). Nous développons, par la suite, deux méthodes de fusion d'images multi focales basée sur la variabilité locale de chaque pixel. Elle tient en compte les informations dans la région environnante des pixels. La première consiste à utiliser la variabilité locale comme information dans la méthode de Dempster-Shafer. La seconde utilise une métrique basée sur la variabilité locale. En effet, la fusion proposée effectue une pondération de chaque pixel par une exponentielle de sa variabilité locale. Une étude comparative entre les méthodes proposées et celles existantes a été réalisée. Les résultats expérimentaux démontrent que nos méthodes proposées donnent des meilleurs fusions, tant dans la perception visuelle que dans l'analyse quantitative. / In this thesis, we are interested in the multi-focus image fusion method. This technique consists of fusing several captured images with different focal lengths of the same scene to obtain an image with better quality than the two source images. We propose an image fusion method based on Laplacian pyramid technique using Discrete Wavelet Transform (DWT) as a selection rule. We then develop two multi-focus image fusion methods based on the local variability of each pixel. It takes into account the information in the surrounding pixel area. The first method is to use local variability as an information in the Dempster-Shafer theory. The second method uses a metric based on local variability. Indeed, the proposed fusion method weighs each pixel by an exponential of its local variability. A comparative study between the proposed methods and the existing methods was carried out. The experimental results show that our proposed methods give better fusions, both in visual perception and in quantitative analysis.