Šio darbo tikslas ištirti BiSI ir BiSeI kristalų optines savybes ir palyginti teorines optinių dielektrinių funkcijų priklausomybes nuo fotono energijos, nuo 0 iki 25 eV energijos srityje. BiSI ir BiSeI kristalų elektroninė struktūra buvo tirta FP-LAPW metodu, naudojant tankio funkcionalo teorija (DFT) ir „Wien2k“ kompiuterinę programą. Eksperimentiniai BiSI ir BiSeI kristalų dielektrinių funkcijų spektrai menamosios ir realiosios dalies buvo gauti naudojant elipsinių parametrų spektrus išmatuotus su optiniu elipsometru spektro srityje nuo 1 iki 5,5 eV. Eksperimentiniai dielektrinių funkcijų spektrai menamosios ir realiosios dalies buvo analizuoti su keturiais Lorenco osciliatoriais naudojant pseudo dielektrinių funkcijų (PDF) metodą. / In this work electronic structure of the valence band and optical properties of the semiconducting BiSI and BiSeI crystals are investigated in the energy range 0 – 25 eV. Calculations were made with ab initio based on the density-functional theory (DFT) with program Wien2k. The full potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method was used with the generalized gradient approximation (GGA).Dielectric functions imaginary and real parts of BiSI and BiSeI crystals agree satisfactory with corresponding experimental dependences obtained by spectroscopic ellipsometry technique in the spectral range of 1 – 5.5 eV. Experimentally investigated imaginary and real parts spectra have been described by contribution of four Lorentz – type lines in the model of pseudo-dielectric function (PDF).