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Modélisation distribuée des transistors MOS submicroniques /Toutain, Sophie. January 1989 (has links)
Th.--Microélectronique--Paris--ENST, 1989. / Bibliogr. p. 229-234.
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ETUDE DES EFFETS DES IRRADIATIONS NEUTRON SUR DES STRUCTURES MOS TECHNOLOGIE N-MOS, PAR SPECTROSCOPIE DLTS MESURES CAPACITIVES /Ahaitouf, Abdelaziz. CHARLES, JEAN PIERRE.. January 1999 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : SCIENCES ET TECHNIQUES : Metz : 1999. / 1999METZ033S. 73 ref.
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Etude de caractérisation de matériaux diélectriques de grille à forte permittivité pour les technologies CMOS ultimesChang, Youjean Ducroquet, Frédérique. January 2004 (has links)
Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : INSA LYON : 2003. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 185-204.
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ANALYSE DES DEFAUTS INDUITS PAR IRRADIATIONS IONISANTE ET A EFFETS DE DEPLACEMENT DANS DES STRUCTURES MCT (MOS CONTROLLED THYRISTOR) A PARTIR DE MESURES ELECTRIQUES ET PAR SIMULATION /Haddi, Ahmed. Charles, Jean-Pierre. January 1999 (has links) (PDF)
Thèse de doctorat : SCIENCES ET TECHNIQUES : Metz : 1999. / 1999METZ030S. 60 ref.
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Contribution à la conception d'un circuit analogique programmable en technologie CMOS conception et caractérisation d'une cellule de calcul analogique /Aubert, Alain Chante, Jean-Pierre January 2005 (has links)
Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2005. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 131-134.
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Macro-modélisation des structures MOS "haute tension" intégrées avec prise en compte de l'auto-échauffementCanepari, Anna Chante, Jean-Pierre January 2007 (has links)
Thèse doctorat : Microélectronique : Villeurbanne, INSA : 2006. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin de chaque chapitre.
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Caractérisations électriques des structures MOS à nanocristaux de Ge pour des applications mémoires non volatilesKanoun, Mehdi Souifi, Abdelkader. January 2005 (has links)
Thèse doctorat : Microélectronique : Villeurbanne, INSA : 2004. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin de chaque chapitre.
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Contribution à l'étude de la dégradation de films minces et ultra-minces de SiO2 de structures MOS soumises à des contraintes électriques et à la caractérisation par spectroscopie tunnel inélastique de jonction Al-SiO2-Si thèse pour le doctorat en sciences spécialité Electronique /Petit, Christian Meinertzhagen, Anne Salace, Guy January 2005 (has links) (PDF)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Electronique : Reims : 2004. / Titre provenant de l'écran titre. Bibliogr. p. 187-191.
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Caractérisations électriques et physico-chimiques des oxydes sur Carbure de Silicium application à une technologie MOSFETs /Ekoue, Adamah Guillot, Gérard January 2004 (has links)
Thèse de doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2002. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 221-230.
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Etude d'électrodes métalliques à base de tungstène, préparées par MOCVD, pour empilement de grille CMOS de technologie sub-65 nmAllegret, Stéphane Hollinger, Guy. January 2006 (has links) (PDF)
Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Ecully, Ecole centrale de Lyon : 2006. / 107 réf.
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