Orientador: Daltro Garcia Pinatti / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T12:35:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Torikachvili_MiltonStarosta_M.pdf: 1041384 bytes, checksum: 2c10d7a2e18f03541daf60c103602d85 (MD5) Previous issue date: 1974 / Resumo: Foi feito o estudo da influência do campo magnético ma emissão estimulada de luz por lasers eletroluminescentes de GaAs. As amostras foram mantidas em Hélio super fluido e foram aplicados campos de até 47,5KG. Observou-se que aplicação de campo aumenta a intensidade das linhas de maior energia dos modos longitudinais, as expensas dos de menor energia, deslocando o "baricentro" do espectro para o lado de maior energia. Esse deslocamento depende da corrente de injeção do dispositivo, sem que se possa, no entanto, especificar esta dependência. A curva DE x B2 é aproximadamente linear para a maioria das amostras estudadas / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Fernando Iikawa / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-02T08:29:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Godoy_MarcioPeronFrancode_M.pdf: 1005871 bytes, checksum: d3c091fe4907e20f12f78e9cd519761d (MD5) Previous issue date: 2002 / Resumo: Neste trabalho, foi projetado e construído um dispositivo,denominado célula de pressão biaxial, onde é possível aplicar tração biaxial em filmes epitaxiais, em particular, semicondutores. Este sistema foi adaptado a um criostato de imersão com bobina supercondutora, que aplica campos de até 15 T, permitindo-nos o estudo de propriedades ópticas, magneto-ópticas e de magneto-transporte, a baixas temperaturas. A tensão máxima obtida foi de aproximadamente 3 kbar em filmes de GaAs. A tração biaxial acarreta mudança na estrutura eletrônica dos materiais, influenciando suas propriedades ópticas e elétricas. A célula de pressão foi utilizada no estudo de dois sistemas: poços quânticos de dopagem modulada GaAs/InGaP, por fotoluminescência, e magneto-éxcitons em InP-bulk, por magneto-fotoluminescência, demonstrando ser uma ferramenta complementar no estudo de filmes semicondutores. Neste trabalho, foi projetado e construído um dispositivo, denominado célula de pressão biaxial, onde é possível aplicar tração biaxial em filmes epitaxiais, em particular, semicondutores. Este sistema foi adaptado a um criostato de imersão com bobina supercondutora, que aplica campos de até 15 T, permitindo-nos o estudo de propriedades ópticas, magneto-ópticas e de magneto-transporte, a baixas temperaturas. A tensão máxima obtida foi de aproximadamente 3 kbar em filmes de GaAs. A tração biaxial acarreta mudança na estrutura eletrônica dos materiais, influenciando suas propriedades ópticas e elétricas. A célula de pressão foi utilizada no estudo de dois sistemas: poços quânticos de dopagem modulada GaAs/InGaP, por fotoluminescência, e magneto-éxcitons em InP-bulk, por magneto-fotoluminescência, demonstrando ser uma ferramenta complementar no estudo de filmes semicondutores / Abstract: We had developed an apparatus, a biaxial pressure cell, which applies biaxial tensile strain in epitaxials semiconductor films. This system was customized to an immersion superconductor magneto-cryostat, which applies magnetic fields up to 15 T. It is a powerfull tool to the study the optical, magneto-optical and magneto-transport properties in the presence of a biaxial strain at low temperatures. The maximum tensile strain obtained was 3 kbar on GaAs films. This biaxial tensile strain is enough to change the electronic structure of materials, influencing its optical and transport properties. The pressure cell was used for studying modulation-doped GaAs/InGaP quantum wells by photoluminescence and magneto-excitons in InP-bulk by magneto-photoluminescence. It has been demonstrated that this pressure cell is an important tool to study the properties of semiconductors films / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientadores: Maria Jose Santos Pompeu Brasil, Marcelo Knobel / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-02T11:45:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Carvalho_HugoBonettede_M.pdf: 2150383 bytes, checksum: fca750027da867c85bf942d81b11d4f0 (MD5) Previous issue date: 2002 / Resumo: O objetivo deste trabalho consiste no estudo e implementação da técnica de caracterização de filmes magnéticos através da montagem de um magnetômetro a efeito Kerr (MEK). Nesta dissertação discutimos primeiramente a fenomenologia associada ao efeito Kerr magneto-óptico. Na sequência apresentamos o magnetômetro e os procedimentos experimentais utilizados na obtenção das curvas de magnetização (histereses) de filmes magnéticos. Por último mostramos os resultados obtidos na caracterização das propriedades magnéticas e morfológicas de filmes finos de Co, depositados sobre substrato de Si (100) com espessuras na faixa de 30 a 950Å. Discutimos a correlação entre a rugosidade da superfície, a espessura e as propriedades magnéticas destes filmes. A microestrutura dos filmes foi caracterizada por difração de raios-x e por microscopia de força atômica (AFM - Atomic Force Microscopy). Utilizamos o MEK para investigar o processo de magnetização em função da orientação do campo magnético externo (anisotropia) e da temperatura. A caracterização dos domínios magnéticos foi realizada através de microscopia Kerr / Abstract:The aim of this work was to study and implement a technique for the characterization of the magnetic properties of thin films through a Kerr magnetometer (MEK). First we present the phenomenology behind the magneto-optic Kerr effect. In the sequence we present the magnetometer (MEK) and the experimental procedures applied to get hysteresis loops from the magnetic thin films. Finally we present the results of the magnetic and morphologic characterization of thin films of Co deposited by magnetron sputtering onto Si (100) with thickness ranging from 30 to 950Å. We discuss the correlation among roughness, thickness and magnetic properties of the Co films. The film microstructure was characterized by x-ray diffraction and AFM (Atomic Force Microscopy). We have used the MEK to investigate the hysteresis loops and the in-plane switching behaviour as a function of the applied magnetic field orientation and as a function of temperature. The magnetic domain characterization was carried out by longitudinal magneto-optical Kerr microscopy / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Fernando Iikawa / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-06T18:02:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Godoy_MarcioPeronFrancode_D.pdf: 4057709 bytes, checksum: 0df1e56082150d4109dcf891f05d4da6 (MD5) Previous issue date: 2006 / Resumo: Neste trabalho estudamos as propriedade estruturais e ópticas de pontos quânticos auto-organizados de InP crescidos sobre o substrato de GaAs. Esta estrutura apresenta o alinhamento de bandas tipo-II na interface, confinando o elétron no ponto quântico, enquanto o buraco mantém-se na barreira, próximo à interface devido à interação coulombiana atrativa. As amostras foram crescidas por epitaxia de feixe químico (CBE) no modo Stranskii-Krastanov. Os pontos quânticos apresentam raio médio de 25 nm e grande dispersão de altura (1-5 nm) e ocorre a relaxação parcial do parâmetro de rede, chegando a 2 %, em pontos quânticos superficiais. Do ponto de vista de propriedades ópticas, a fotoluminescência de pontos quânticos superficiais exibe uma eficiente emissão óptica, devido a baixa velocidade de recombinação dos estados superficiais do InP, e reflete a densidade e distribuição bimodal de tamanhos. Além disso, sua emissão óptica em função da intensidade de excitação exibe comportamento diverso em comparação com pontos quânticos cobertos com uma camada de GaAs. Em pontos quânticos cobertos, determinamos a energia de ativação térmica, que varia de 6 a 8 meV, e é associada à energia de ligação do éxciton ou energia de ionização do buraco. O decaimento temporal da luminescência de pontos quânticos é de 1,2 ns, um tempo relativamente curto para um ponto quântico tipo-II. A análise das propriedades magneto-ópticas em pontos quânticos individuais, inédita em QDs tipo-II, permitiu verificar que o fator-g do éxciton é praticamente constante, independentemente do tamanho dos QDs, devido ao fato dos buracos estarem levemente ligados. Por fim, mostramos a versatilidade do sistema acoplando-o a um poço quântico de InGaAs. Este acoplamento introduz mudanças na superposição das funções de onda do par elétron-buraco que permitem a manipulação do tempo de decaimento da luminescência e da energia de ligação excitônica / Abstract: We have investigated structural and optical properties of InP self-assembled quantum dots grown on GaAs substrate. This system presents a type-II band lineup where only electrons are confined in the InP quantum dots. The InP/GaAs quantum dots were grown by chemical beam epitaxy in the Stranskii-Krastanov mode. Our quantum dots present a mean radius of 25 nm and large height dispersion, 1-5 nm, and a partial relieve of the strain up to 2 % is observed. The photoluminescence spectra of surface quantum dots show an efficient optical emission, which is attributed to the low surface recombination velocity in InP. We observed a bimodal dispersion of the dots size distribution, giving rise to two distinct emission bands. A remarkable result is the relatively large blue shift of the emission band from uncapped samples as compared to those for capped dots. In capped quantum dots, we obtained the thermal activation energy, from 6 to 8 meV, which is associated to the exciton binding energy or hole ionization energy. The observed luminescence decay time is about 1.2 ns, relatively short decay time for type II system. We investigated magneto-optical properties using single-dot spectroscopy. The values of the exciton g factor obtained for a large number of single InP/GaAs dots are mainly constant independent of the emission energy and, therefore, of the quantum dot size. The result is attributed to the weak confinement of the holes in InP/GaAs QDs. We have also investigated structures where InP quantum dots are coupled to a InGaAs quantum well. This system permits the manipulation of the wave function overlap between electron-hole in order to control the optical emission decay time and exciton binding energy / Doutorado / Física / Doutor em Ciências