Spelling suggestions: "subject:"matriz cisalhamento"" "subject:"patriz cisalhamento""
1 |
Transmissividade de Spins Polarizados em dupla barreira simétricaMarques, Efraim Fernandes 02 October 2012 (has links)
Submitted by Geyciane Santos (geyciane_thamires@hotmail.com) on 2015-08-06T15:41:08Z
No. of bitstreams: 1
Dissertação - Efraim Fernandes Marques.PDF: 1576792 bytes, checksum: 9f5d857f0e1015473fb55bdbd1206731 (MD5) / Approved for entry into archive by Divisão de Documentação/BC Biblioteca Central (ddbc@ufam.edu.br) on 2015-08-07T13:48:53Z (GMT) No. of bitstreams: 1
Dissertação - Efraim Fernandes Marques.PDF: 1576792 bytes, checksum: 9f5d857f0e1015473fb55bdbd1206731 (MD5) / Approved for entry into archive by Divisão de Documentação/BC Biblioteca Central (ddbc@ufam.edu.br) on 2015-08-07T13:50:56Z (GMT) No. of bitstreams: 1
Dissertação - Efraim Fernandes Marques.PDF: 1576792 bytes, checksum: 9f5d857f0e1015473fb55bdbd1206731 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-08-07T13:50:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Dissertação - Efraim Fernandes Marques.PDF: 1576792 bytes, checksum: 9f5d857f0e1015473fb55bdbd1206731 (MD5)
Previous issue date: 2012-10-02 / CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / In this dissertation, the scattering matrix technique is used to calculate the transmissivity
of polarized spins through semiconductors heterostructures of symmetrical double
barrier. The movement of electrons is described in the effective mass approach of the
complete Dresselhaus models. The transmissivity and polarization are calculated as a function of electron energy with kjj = 0; 5x106cm1, kjj = 1x106cm1 and kjj = 2x106cm1 varying the angle GaSb=GaxAl1xSb=GaSb=GaxAl1xSb=GaSb system. Fixing the parallel moment kjj and varying = 30o, 45o, 60o and 90o, we observed that the positions of the resonant picks vary faintly with the energy and the transmission curves change more strongly in the areas out of the resonance, with the polarization reaching values among 54%!82% in the resonant levels. For the direction = 45o, the spin mixing produces a spin polarization efficiency of nearly 100 %. Applying an external voltage, the peak transmissivity and spin polarization undergo a shift towards regions to lower energies. / Neste trabalho, a técnica da matriz de espalhamento é usada para calcular a transmissividade de spins polarizados através de heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira simétrica. O movimento de elétrons de condução são descritos na aproximação da massa efetiva do modelo completo de Dresselhaus.
A transmissividade e a polarização são calculadas como função da energia do elétron para kjj = 0; 5x106cm1, kjj = 1x106cm1 e kjj = 2x106cm1 com vários valores de , para um sistema GaSb=GaxAl1xSb=GaSb=GaxAl1xSb=GaSb. Fixando o momento paralelo kjj e variando = 30o, 45o, 60o e 90o, observamos que as posições dos picos ressonantes variam fracamente com a energia e as curvas de transmissão mudam mais fortemente nas regiões fora da ressonância, com a polarização atingindo valores entre 54%!82% nos níveis ressonantes. Para a direção = 45o, o spin-mixing produz uma eficiência de polarização de quase 100%. Ao aplicarmos uma tensão externa, os picos de transmissividade e spin polarização sofrem um desclocamento para regiões de energias mais baixas.
|
Page generated in 0.0607 seconds